Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25951) > Сторінка 358 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 353 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE4971A120N5UE0001XUMA1 TLE4971A120N5UE0001XUMA1 INFINEON 3795157.pdf Description: INFINEON - TLE4971A120N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.56 грн
10+449.15 грн
25+408.24 грн
50+352.65 грн
100+301.89 грн
250+280.55 грн
500+259.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A075N5UE0001XUMA1 TLE4971A075N5UE0001XUMA1 INFINEON Infineon-TLE4971_8-5-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183794fce5f2ca8 Description: INFINEON - TLE4971A075N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+431.36 грн
10+370.88 грн
25+351.32 грн
50+289.06 грн
100+257.68 грн
250+248.53 грн
500+239.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBF IRF7946TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+217.02 грн
10+149.42 грн
100+107.62 грн
500+90.85 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBF IRF7748L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.27 грн
10+202.79 грн
100+163.65 грн
500+139.57 грн
1000+128.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBF IRF7748L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+139.57 грн
1000+128.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
REFICC80QSG84W1BPATOBO1 REFICC80QSG84W1BPATOBO1 INFINEON 3920462.pdf Description: INFINEON - REFICC80QSG84W1BPATOBO1 - Referenzdesign-Kit, ICC80QSGXUMA1, Laderegler, Power-Management - Akku
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
rohsCompliant: Y-EX
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICC80QSGXUMA1, MOSFET IPN70R450P7S
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Laderegler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICC80QSGXUMA1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5815.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM005TOBO1 KITLGPWRBOM005TOBO1 INFINEON 3763577.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM005TOBO1 - Demoboard, IPT007N06N, Power-Management, LVDS-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT007N06N
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IPT007N06N
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: LVDS-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4039.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF INFINEON IRSDS06973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.74 грн
250+37.53 грн
1000+28.08 грн
2000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 S80KS2563GABHA020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.00 грн
10+523.86 грн
25+507.85 грн
50+461.67 грн
100+415.48 грн
250+397.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHM020 S80KS2563GABHM020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.49 грн
10+603.02 грн
25+584.34 грн
50+531.04 грн
100+478.00 грн
250+457.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHB020 S80KS2563GABHB020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.12 грн
10+1174.91 грн
25+973.02 грн
50+810.19 грн
100+690.69 грн
200+644.19 грн
500+609.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 S80KS2563GABHI020 INFINEON CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.55 грн
10+454.49 грн
25+451.82 грн
50+416.24 грн
100+381.94 грн
250+380.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHV020 S80KS2563GABHV020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.20 грн
10+499.85 грн
25+485.62 грн
50+404.68 грн
100+364.40 грн
250+348.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.76 грн
1000+4.89 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+17.88 грн
71+12.63 грн
125+7.14 грн
500+5.76 грн
1000+4.89 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.53 грн
1000+6.00 грн
5000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.65 грн
10+129.85 грн
100+109.40 грн
500+87.54 грн
1000+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.07 грн
27+33.26 грн
50+28.02 грн
200+21.06 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.02 грн
200+21.06 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-030 CY8C3866LTI-030 INFINEON 2092047.pdf Description: INFINEON - CY8C3866LTI-030 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers, 8051, 67 MHz, 64 KB, 68 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C38xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1197.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.87 грн
13+72.40 грн
100+46.25 грн
500+35.84 грн
1000+25.62 грн
5000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+79.42 грн
21+42.60 грн
100+31.40 грн
500+23.21 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.25 грн
500+35.84 грн
1000+25.62 грн
5000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NSATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.23 грн
50+39.05 грн
250+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NSATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.05 грн
250+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.75 грн
10+104.95 грн
100+77.29 грн
500+60.87 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3 Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.04 грн
23+39.76 грн
100+29.71 грн
500+19.90 грн
1000+14.26 грн
5000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3 Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.71 грн
500+19.90 грн
1000+14.26 грн
5000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+88.05 грн
16+58.26 грн
100+43.58 грн
500+30.97 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.59 грн
25+36.82 грн
100+25.97 грн
500+17.67 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.29 грн
500+60.87 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.58 грн
500+30.97 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.40 грн
500+23.21 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.05 грн
500+33.37 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.95 грн
500+76.64 грн
1000+54.58 грн
5000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.20 грн
10+120.07 грн
100+96.95 грн
500+76.64 грн
1000+54.58 грн
5000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 BSZ0909LSATMA1 INFINEON 3049660.pdf Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.39 грн
21+42.51 грн
100+33.80 грн
500+26.18 грн
1000+23.71 грн
5000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 BSZ0909LSATMA1 INFINEON 3049660.pdf Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.80 грн
500+26.18 грн
1000+23.71 грн
5000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.97 грн
500+17.67 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70E6327HTSA1 BAS70E6327HTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.64 грн
1000+5.60 грн
5000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 TLE82092SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+475.84 грн
25+453.60 грн
50+393.95 грн
100+337.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 TLE82092SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.23 грн
10+475.84 грн
25+453.60 грн
50+393.95 грн
100+337.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8 Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8 Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186SPBF IRS2186SPBF INFINEON 1935546.pdf Description: INFINEON - IRS2186SPBF - IGBT/MOSFET-IC 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 170ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.55 грн
10+257.93 грн
25+225.02 грн
50+186.65 грн
100+157.81 грн
250+150.95 грн
500+129.60 грн
1000+127.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 CY8C4247AXI-M485 INFINEON 2144218.pdf Description: INFINEON - CY8C4247AXI-M485 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O's
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.53 грн
10+592.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF IRS2890DSTRPBF INFINEON INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+278.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF IRS2890DSTRPBF INFINEON INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF INFINEON IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.45 грн
250+102.16 грн
500+98.34 грн
1000+87.67 грн
2500+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+145.86 грн
10+110.29 грн
50+102.28 грн
100+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550BXTSA1 1EDN8550BXTSA1 INFINEON 2712213.pdf Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.60 грн
500+26.10 грн
1000+23.56 грн
2500+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 INFINEON 2077577.pdf Description: INFINEON - 2EDN7524FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.16 грн
500+31.71 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 INFINEON Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.99 грн
500+19.00 грн
1000+16.92 грн
2500+16.24 грн
5000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WLC1115-68LQXQ WLC1115-68LQXQ INFINEON 4014348.pdf Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQ - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wireless-Charging-IC: Sender
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: WLC1115
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+430.48 грн
10+337.09 грн
25+301.51 грн
50+270.89 грн
100+241.67 грн
250+237.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+518.53 грн
50+462.49 грн
100+408.62 грн
250+384.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.95 грн
5+593.24 грн
10+518.53 грн
50+462.49 грн
100+408.62 грн
250+384.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+370.00 грн
100+299.73 грн
500+251.89 грн
1000+198.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.51 грн
500+29.57 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.08 грн
11+88.50 грн
100+82.36 грн
500+60.12 грн
1000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A120N5UE0001XUMA1 3795157.pdf
TLE4971A120N5UE0001XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4971A120N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.56 грн
10+449.15 грн
25+408.24 грн
50+352.65 грн
100+301.89 грн
250+280.55 грн
500+259.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A075N5UE0001XUMA1 Infineon-TLE4971_8-5-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183794fce5f2ca8
TLE4971A075N5UE0001XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4971A075N5UE0001XUMA1 - Stromsensor, Hall-Effekt, Unidirektional, bidirektional, ±1.5%, TISON, 8 Pin(s)
Stromsensor: Hall-Effekt
hazardous: false
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kVrms
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±1.5%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+431.36 грн
10+370.88 грн
25+351.32 грн
50+289.06 грн
100+257.68 грн
250+248.53 грн
500+239.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBF INFN-S-A0012827062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7946TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+217.02 грн
10+149.42 грн
100+107.62 грн
500+90.85 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBF INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7748L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.27 грн
10+202.79 грн
100+163.65 грн
500+139.57 грн
1000+128.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBF INFN-S-A0012826339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7748L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+139.57 грн
1000+128.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
REFICC80QSG84W1BPATOBO1 3920462.pdf
REFICC80QSG84W1BPATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFICC80QSG84W1BPATOBO1 - Referenzdesign-Kit, ICC80QSGXUMA1, Laderegler, Power-Management - Akku
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
rohsCompliant: Y-EX
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICC80QSGXUMA1, MOSFET IPN70R450P7S
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Laderegler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICC80QSGXUMA1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5815.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM005TOBO1 3763577.pdf
KITLGPWRBOM005TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM005TOBO1 - Demoboard, IPT007N06N, Power-Management, LVDS-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT007N06N
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IPT007N06N
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: LVDS-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4039.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF description IRSDS06973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7241TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.74 грн
250+37.53 грн
1000+28.08 грн
2000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 3681667.pdf
S80KS2563GABHA020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+563.00 грн
10+523.86 грн
25+507.85 грн
50+461.67 грн
100+415.48 грн
250+397.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHM020 3681667.pdf
S80KS2563GABHM020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+647.49 грн
10+603.02 грн
25+584.34 грн
50+531.04 грн
100+478.00 грн
250+457.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHB020 3681667.pdf
S80KS2563GABHB020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1342.12 грн
10+1174.91 грн
25+973.02 грн
50+810.19 грн
100+690.69 грн
200+644.19 грн
500+609.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S80KS2563GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+558.55 грн
10+454.49 грн
25+451.82 грн
50+416.24 грн
100+381.94 грн
250+380.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHV020 3681667.pdf
S80KS2563GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+537.20 грн
10+499.85 грн
25+485.62 грн
50+404.68 грн
100+364.40 грн
250+348.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.76 грн
1000+4.89 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.88 грн
71+12.63 грн
125+7.14 грн
500+5.76 грн
1000+4.89 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 2354686.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.53 грн
1000+6.00 грн
5000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.65 грн
10+129.85 грн
100+109.40 грн
500+87.54 грн
1000+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.07 грн
27+33.26 грн
50+28.02 грн
200+21.06 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.02 грн
200+21.06 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-030 2092047.pdf
CY8C3866LTI-030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C3866LTI-030 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers, 8051, 67 MHz, 64 KB, 68 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C38xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1197.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ086P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+87.87 грн
13+72.40 грн
100+46.25 грн
500+35.84 грн
1000+25.62 грн
5000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0904NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+79.42 грн
21+42.60 грн
100+31.40 грн
500+23.21 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ086P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.25 грн
500+35.84 грн
1000+25.62 грн
5000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0506NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+51.23 грн
50+39.05 грн
250+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 INFN-S-A0001300496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0506NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.05 грн
250+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.75 грн
10+104.95 грн
100+77.29 грн
500+60.87 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3
BSZ0911LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.04 грн
23+39.76 грн
100+29.71 грн
500+19.90 грн
1000+14.26 грн
5000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3
BSZ0911LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.71 грн
500+19.90 грн
1000+14.26 грн
5000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+88.05 грн
16+58.26 грн
100+43.58 грн
500+30.97 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf
BSZ0910LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.59 грн
25+36.82 грн
100+25.97 грн
500+17.67 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.29 грн
500+60.87 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.58 грн
500+30.97 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0904NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.40 грн
500+23.21 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.05 грн
500+33.37 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.95 грн
500+76.64 грн
1000+54.58 грн
5000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.20 грн
10+120.07 грн
100+96.95 грн
500+76.64 грн
1000+54.58 грн
5000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 3049660.pdf
BSZ0909LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.39 грн
21+42.51 грн
100+33.80 грн
500+26.18 грн
1000+23.71 грн
5000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 3049660.pdf
BSZ0909LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.80 грн
500+26.18 грн
1000+23.71 грн
5000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf
BSZ0910LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.97 грн
500+17.67 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70E6327HTSA1 45894.pdf
BAS70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.64 грн
1000+5.60 грн
5000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE82092SAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+475.84 грн
25+453.60 грн
50+393.95 грн
100+337.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE82092SAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+577.23 грн
10+475.84 грн
25+453.60 грн
50+393.95 грн
100+337.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8
IPN50R650CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8
IPN50R650CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186SPBF 1935546.pdf
IRS2186SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2186SPBF - IGBT/MOSFET-IC 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 170ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.55 грн
10+257.93 грн
25+225.02 грн
50+186.65 грн
100+157.81 грн
250+150.95 грн
500+129.60 грн
1000+127.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 2144218.pdf
CY8C4247AXI-M485
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247AXI-M485 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O's
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+711.53 грн
10+592.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2890DSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2890DSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS25411STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.45 грн
250+102.16 грн
500+98.34 грн
1000+87.67 грн
2500+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+145.86 грн
10+110.29 грн
50+102.28 грн
100+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550BXTSA1 2712213.pdf
1EDN8550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.60 грн
500+26.10 грн
1000+23.56 грн
2500+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2077577.pdf
2EDN7524FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7524FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.16 грн
500+31.71 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN8511BXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.99 грн
500+19.00 грн
1000+16.92 грн
2500+16.24 грн
5000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WLC1115-68LQXQ 4014348.pdf
WLC1115-68LQXQ
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQ - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wireless-Charging-IC: Sender
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: WLC1115
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+430.48 грн
10+337.09 грн
25+301.51 грн
50+270.89 грн
100+241.67 грн
250+237.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1
IPF015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+518.53 грн
50+462.49 грн
100+408.62 грн
250+384.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1
IPF015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+667.95 грн
5+593.24 грн
10+518.53 грн
50+462.49 грн
100+408.62 грн
250+384.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+370.00 грн
100+299.73 грн
500+251.89 грн
1000+198.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.51 грн
500+29.57 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.08 грн
11+88.50 грн
100+82.36 грн
500+60.12 грн
1000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 353 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]