Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 362 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 357 358 359 360 361 362 363 364 365 366 367 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE493DW2B6A0HTSA1 TLE493DW2B6A0HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.83 грн
250+83.70 грн
500+79.09 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A2HTSA1 TLE493DW2B6A2HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.83 грн
250+83.70 грн
500+79.86 грн
1000+76.79 грн
2500+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A3HTSA1 TLE493DW2B6A3HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.85 грн
250+76.02 грн
500+73.64 грн
1000+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A1HTSA1 TLE493DW2B6A1HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.00 грн
250+83.70 грн
500+79.86 грн
1000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.21 грн
21+44.70 грн
100+43.99 грн
500+36.60 грн
1000+33.09 грн
5000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.01 грн
15+60.65 грн
100+60.29 грн
500+51.41 грн
1000+46.38 грн
5000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.29 грн
500+51.41 грн
1000+46.38 грн
5000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON INFNS14102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.70 грн
500+27.62 грн
1000+24.65 грн
5000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.99 грн
500+36.60 грн
1000+33.09 грн
5000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.12 грн
500+43.09 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON 3740600.pdf Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.75 грн
500+49.66 грн
1000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1 IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON 2830781.pdf Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+775.79 грн
5+636.94 грн
10+497.19 грн
50+433.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON 2830780.pdf Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1085.75 грн
5+960.33 грн
10+834.92 грн
50+762.80 грн
100+692.61 грн
250+678.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1 IMZA120R007M1HXKSA1 INFINEON 3704048.pdf Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6015.52 грн
5+5263.92 грн
10+4361.81 грн
50+3631.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 INFINEON 3704051.pdf Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1049.02 грн
5+1025.73 грн
10+1002.44 грн
50+635.53 грн
100+504.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1 IMZA120R014M1HXKSA1 INFINEON 3704049.pdf Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2081.92 грн
5+2031.75 грн
10+1981.58 грн
50+1793.46 грн
100+1612.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON 3704050.pdf Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1568.60 грн
5+1520.23 грн
10+1471.85 грн
50+1322.63 грн
100+1179.43 грн
250+1137.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.60 грн
50+174.69 грн
100+155.88 грн
500+106.48 грн
1500+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.88 грн
500+106.48 грн
1500+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+241.88 грн
50+216.79 грн
100+192.60 грн
500+121.45 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON 4014765.pdf Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+108.40 грн
6000+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.60 грн
500+121.45 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPV33XUMA1 TLS4125D0EPV33XUMA1 INFINEON 3097867.pdf Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.98 грн
10+188.12 грн
25+178.27 грн
50+147.24 грн
100+129.00 грн
250+123.62 грн
500+119.79 грн
1000+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPV33XUMA1 TLS4125D0EPV33XUMA1 INFINEON 3097867.pdf Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+188.12 грн
25+178.27 грн
50+147.24 грн
100+129.00 грн
250+123.62 грн
500+119.79 грн
1000+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 IPB320P10LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.23 грн
10+283.08 грн
50+243.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 IPB320P10LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.67 грн
10+158.56 грн
50+144.23 грн
100+123.94 грн
250+107.50 грн
500+103.66 грн
1000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.94 грн
250+107.50 грн
500+103.66 грн
1000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4090QEPDXUMA1 ITS4090QEPDXUMA1 INFINEON 2792934.pdf Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.00 грн
10+365.50 грн
25+339.52 грн
50+296.97 грн
100+256.46 грн
250+243.41 грн
500+218.07 грн
1000+183.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4090QEPDXUMA1 ITS4090QEPDXUMA1 INFINEON 2792934.pdf Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.46 грн
250+243.41 грн
500+218.07 грн
1000+183.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXAFM28HAMA1 TLE4929CXAFM28HAMA1 INFINEON 3919304.pdf Description: INFINEON - TLE4929CXAFM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, 15 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 80mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 15°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.83 грн
10+161.25 грн
25+154.08 грн
50+137.25 грн
100+121.32 грн
250+116.71 грн
500+111.34 грн
1000+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 CYBT-213043-02 INFINEON INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+828.65 грн
5+774.00 грн
10+718.46 грн
50+582.29 грн
100+491.43 грн
250+458.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.31 грн
50+133.48 грн
250+121.83 грн
1000+107.31 грн
3000+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597345-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.73 грн
10+163.94 грн
100+114.67 грн
500+83.18 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.90 грн
10+180.06 грн
100+126.31 грн
500+102.32 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.33 грн
10+305.48 грн
100+222.17 грн
500+172.19 грн
1000+155.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+217.69 грн
10+158.56 грн
100+135.27 грн
500+113.13 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.73 грн
50+94.96 грн
250+77.58 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 BSC034N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7 Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.27 грн
500+113.13 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.48 грн
250+121.83 грн
1000+107.31 грн
3000+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+249.94 грн
500+217.94 грн
1000+162.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.31 грн
500+102.32 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542 Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.67 грн
500+83.18 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 BSC0802LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39 Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+181.85 грн
100+146.92 грн
500+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.46 грн
500+89.84 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GSV33HTMA2 TLE42662GSV33HTMA2 INFINEON INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.98 грн
250+89.84 грн
500+79.09 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GSV33HTMA2 TLE42662GSV33HTMA2 INFINEON INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.65 грн
10+146.92 грн
50+129.90 грн
100+103.98 грн
250+89.84 грн
500+79.09 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7189QKXUMA1 TLE7189QKXUMA1 INFINEON 2577616.pdf Description: INFINEON - TLE7189QKXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-28V Versorgungsspannung, 1.5Aout, 190ns Verzögerung, LQFP-64
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 190ns
Ausgabeverzögerung: 190ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTT60301ERAXUMA1 BTT60301ERAXUMA1 INFINEON 3204715.pdf Description: INFINEON - BTT60301ERAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 60A, 0.055 Ohm, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.031ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 60A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.29 грн
10+181.85 грн
25+166.62 грн
50+148.07 грн
100+130.54 грн
250+123.62 грн
500+119.79 грн
1000+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHM020 S80KS5122GABHM020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.98 грн
5+1272.08 грн
10+1271.19 грн
25+1179.56 грн
50+1088.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHI020 S80KS5123GABHI020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+727.42 грн
10+676.35 грн
25+655.75 грн
50+594.77 грн
100+532.89 грн
250+512.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHA020 S80KS5123GABHA020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+683.52 грн
10+646.79 грн
25+631.56 грн
50+538.20 грн
100+486.05 грн
250+483.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHB020 S80KS5122GABHB020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1290.90 грн
5+1290.00 грн
10+1289.10 грн
25+1196.19 грн
50+1103.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHA020 S80KS5122GABHA020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+591.25 грн
10+550.94 грн
25+533.92 грн
50+445.04 грн
100+400.82 грн
250+383.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHV020 S80KS5122GABHV020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+754.29 грн
10+701.44 грн
25+681.73 грн
50+619.72 грн
100+553.62 грн
250+537.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 S80KS5123GABHB020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+739.06 грн
10+698.75 грн
25+681.73 грн
50+581.46 грн
100+525.21 грн
250+522.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHV020 S80KS5123GABHV020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.60 грн
10+659.33 грн
25+638.73 грн
50+533.21 грн
100+479.91 грн
250+459.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHM020 S80KS5123GABHM020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+820.58 грн
10+762.35 грн
25+738.17 грн
50+616.40 грн
100+550.55 грн
250+529.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHI020 S80KS5122GABHI020 INFINEON INFN-S-A0014785292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.90 грн
10+641.42 грн
25+610.96 грн
50+553.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON 2371103.pdf Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.95 грн
500+29.03 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A0HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.83 грн
250+83.70 грн
500+79.09 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A2HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A2HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.83 грн
250+83.70 грн
500+79.86 грн
1000+76.79 грн
2500+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A3HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A3HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.85 грн
250+76.02 грн
500+73.64 грн
1000+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A1HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.00 грн
250+83.70 грн
500+79.86 грн
1000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N06S2L23ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.21 грн
21+44.70 грн
100+43.99 грн
500+36.60 грн
1000+33.09 грн
5000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t
IPD30N06S2L13ATMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.01 грн
15+60.65 грн
100+60.29 грн
500+51.41 грн
1000+46.38 грн
5000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t
IPD30N06S2L13ATMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.29 грн
500+51.41 грн
1000+46.38 грн
5000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 INFNS14102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N06S4L23ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.70 грн
500+27.62 грн
1000+24.65 грн
5000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFNS09593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N06S2L23ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.99 грн
500+36.60 грн
1000+33.09 грн
5000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7329TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.12 грн
500+43.09 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 3740600.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.75 грн
500+49.66 грн
1000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1 2830781.pdf
IMZ120R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+775.79 грн
5+636.94 грн
10+497.19 грн
50+433.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 2830780.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1085.75 грн
5+960.33 грн
10+834.92 грн
50+762.80 грн
100+692.61 грн
250+678.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1 3704048.pdf
IMZA120R007M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6015.52 грн
5+5263.92 грн
10+4361.81 грн
50+3631.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 3704051.pdf
IMZA120R040M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1049.02 грн
5+1025.73 грн
10+1002.44 грн
50+635.53 грн
100+504.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1 3704049.pdf
IMZA120R014M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2081.92 грн
5+2031.75 грн
10+1981.58 грн
50+1793.46 грн
100+1612.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 3704050.pdf
IMZA120R020M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1568.60 грн
5+1520.23 грн
10+1471.85 грн
50+1322.63 грн
100+1179.43 грн
250+1137.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.60 грн
50+174.69 грн
100+155.88 грн
500+106.48 грн
1500+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+155.88 грн
500+106.48 грн
1500+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+241.88 грн
50+216.79 грн
100+192.60 грн
500+121.45 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR 4014765.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+108.40 грн
6000+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.60 грн
500+121.45 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPV33XUMA1 3097867.pdf
TLS4125D0EPV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.98 грн
10+188.12 грн
25+178.27 грн
50+147.24 грн
100+129.00 грн
250+123.62 грн
500+119.79 грн
1000+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4125D0EPV33XUMA1 3097867.pdf
TLS4125D0EPV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+188.12 грн
25+178.27 грн
50+147.24 грн
100+129.00 грн
250+123.62 грн
500+119.79 грн
1000+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc
IPB320P10LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.23 грн
10+283.08 грн
50+243.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320P10LMATMA1 Infineon-IPB320P10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9660ea34edc
IPB320P10LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1302Q024X0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.67 грн
10+158.56 грн
50+144.23 грн
100+123.94 грн
250+107.50 грн
500+103.66 грн
1000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1302Q024X0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.94 грн
250+107.50 грн
500+103.66 грн
1000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4090QEPDXUMA1 2792934.pdf
ITS4090QEPDXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+516.00 грн
10+365.50 грн
25+339.52 грн
50+296.97 грн
100+256.46 грн
250+243.41 грн
500+218.07 грн
1000+183.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4090QEPDXUMA1 2792934.pdf
ITS4090QEPDXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+256.46 грн
250+243.41 грн
500+218.07 грн
1000+183.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4929CXAFM28HAMA1 3919304.pdf
TLE4929CXAFM28HAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXAFM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, 15 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 80mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 15°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.83 грн
10+161.25 грн
25+154.08 грн
50+137.25 грн
100+121.32 грн
250+116.71 грн
500+111.34 грн
1000+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBT-213043-02
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+828.65 грн
5+774.00 грн
10+718.46 грн
50+582.29 грн
100+491.43 грн
250+458.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.31 грн
50+133.48 грн
250+121.83 грн
1000+107.31 грн
3000+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1 INFN-S-A0008597345-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5L040ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.73 грн
10+163.94 грн
100+114.67 грн
500+83.18 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
IAUC100N10S5N040ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.90 грн
10+180.06 грн
100+126.31 грн
500+102.32 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.33 грн
10+305.48 грн
100+222.17 грн
500+172.19 грн
1000+155.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+217.69 грн
10+158.56 грн
100+135.27 грн
500+113.13 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.73 грн
50+94.96 грн
250+77.58 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N10LS5ATMA1 Infineon-BSC034N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46675313e7
BSC034N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.27 грн
500+113.13 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.48 грн
250+121.83 грн
1000+107.31 грн
3000+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+249.94 грн
500+217.94 грн
1000+162.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
IAUC100N10S5N040ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.31 грн
500+102.32 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542
IAUC100N10S5L040ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.67 грн
500+83.18 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39
BSC0802LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+181.85 грн
100+146.92 грн
500+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.46 грн
500+89.84 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GSV33HTMA2 INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE42662GSV33HTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.98 грн
250+89.84 грн
500+79.09 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GSV33HTMA2 INFNS14548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE42662GSV33HTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.65 грн
10+146.92 грн
50+129.90 грн
100+103.98 грн
250+89.84 грн
500+79.09 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7189QKXUMA1 2577616.pdf
TLE7189QKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE7189QKXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-28V Versorgungsspannung, 1.5Aout, 190ns Verzögerung, LQFP-64
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 190ns
Ausgabeverzögerung: 190ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+583.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTT60301ERAXUMA1 3204715.pdf
BTT60301ERAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTT60301ERAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 60A, 0.055 Ohm, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.031ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 60A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.29 грн
10+181.85 грн
25+166.62 грн
50+148.07 грн
100+130.54 грн
250+123.62 грн
500+119.79 грн
1000+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHM020 3681668.pdf
S80KS5122GABHM020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1272.98 грн
5+1272.08 грн
10+1271.19 грн
25+1179.56 грн
50+1088.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHI020 3681669.pdf
S80KS5123GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+727.42 грн
10+676.35 грн
25+655.75 грн
50+594.77 грн
100+532.89 грн
250+512.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHA020 3681669.pdf
S80KS5123GABHA020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+683.52 грн
10+646.79 грн
25+631.56 грн
50+538.20 грн
100+486.05 грн
250+483.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHB020 3681668.pdf
S80KS5122GABHB020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1290.90 грн
5+1290.00 грн
10+1289.10 грн
25+1196.19 грн
50+1103.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHA020 3681668.pdf
S80KS5122GABHA020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+591.25 грн
10+550.94 грн
25+533.92 грн
50+445.04 грн
100+400.82 грн
250+383.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHV020 3681668.pdf
S80KS5122GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+754.29 грн
10+701.44 грн
25+681.73 грн
50+619.72 грн
100+553.62 грн
250+537.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 3681669.pdf
S80KS5123GABHB020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+739.06 грн
10+698.75 грн
25+681.73 грн
50+581.46 грн
100+525.21 грн
250+522.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHV020 3681669.pdf
S80KS5123GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+708.60 грн
10+659.33 грн
25+638.73 грн
50+533.21 грн
100+479.91 грн
250+459.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHM020 3681669.pdf
S80KS5123GABHM020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+820.58 грн
10+762.35 грн
25+738.17 грн
50+616.40 грн
100+550.55 грн
250+529.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHI020 INFN-S-A0014785292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S80KS5122GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+688.90 грн
10+641.42 грн
25+610.96 грн
50+553.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 2371103.pdf
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.95 грн
500+29.03 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 357 358 359 360 361 362 363 364 365 366 367 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]