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IPD30N06S4L23ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD30N06S2L23ATMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 59425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7329TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7328TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZ120R060M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZ120R030M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA120R007M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA120R040M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA120R014M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA120R020M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR5305TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR5305TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR5305TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 9964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR5305TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR5305TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 9964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS4125D0EPV33XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 PinstariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 3.7V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 2.5A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS4125D0EPV33XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 PinstariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 3.7V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 2.5A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB320P10LMATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB320P10LMATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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XMC1302Q024X0064ABXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 13Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 32MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC13xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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XMC1302Q024X0064ABXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 13Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 32MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC1000 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: XMC13xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ITS4090QEPDXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.09ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Strombegrenzung: 1.5A IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 24V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ITS4090QEPDXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.09ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Strombegrenzung: 1.5A IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 24V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE4929CXAFM28HAMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4929CXAFM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, 15 °CtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 80mA Qualifikation: AEC-Q100 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 15°C Versorgungsspannung, min.: 4V Sensorgehäuse/-bauform: SSO Bauform - Sensor: SSO euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 16V Betriebstemperatur, max.: 130°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYBT-213043-02 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°CtariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0 isCanonical: N Bluetooth-Klasse: Klasse 2 usEccn: 5A992.c euEccn: NLR Produktpalette: - productTraceability: No Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IAUC100N10S5L040ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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IAUC100N10S5N040ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC027N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 13188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC034N10LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC050N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC034N10LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC027N10NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 16108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IAUC100N10S5N040ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IAUC100N10S5L040ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC0802LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 22247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE42662GSV33HTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.4V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE42662GSV33HTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.4V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE7189QKXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE7189QKXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-28V Versorgungsspannung, 1.5Aout, 190ns Verzögerung, LQFP-64tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: LQFP Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 5.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Eingabeverzögerung: 190ns Ausgabeverzögerung: 190ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTT60301ERAXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTT60301ERAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 60A, 0.055 Ohm, SOIC-14tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.031ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 60A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 28V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5122GABHM020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5123GABHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5123GABHA020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5122GABHB020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5122GABHA020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5122GABHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5123GABHB020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5123GABHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5123GABHM020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S80KS5122GABHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD25N06S4L30ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRSM005-800MHTR | INFINEON |
Description: INFINEON - IRSM005-800MHTR - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28tariffCode: 85423911 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bauform - IPM: PQFN Nennspannung (Vces / Vdss): 40V Isolationsspannung: - euEccn: NLR Nennstrom (Ic/Id): 80A Produktpalette: CIPOS Nano IPM-Leistungsbaustein: MOSFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: CIPOS Nano SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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IKZA100N65EH7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 140A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FS100R12W2T7BOMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS100R12W2T7BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 70 A, 1.5 V, 175 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 70A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 70A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7303TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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CY8C22545-24AXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C22545-24AXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C22xx Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 44 Pin(s), TQFPtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 38Kanäle Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 3V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 1KB MCU-Baureihe: CY8C22xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C22xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDN8523RXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDN8523RXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgung, 5Aout Spitze, Versorgung 19ns In/19ns Out, TSSOP-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Eingang: Invertierend MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDN7523RXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDN7523RXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, TSSOP-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Eingang: Invertierend MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.46 грн |
| 500+ | 27.42 грн |
| 1000+ | 24.47 грн |
| 5000+ | 21.50 грн |
| IPD30N06S2L23ATMA3 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.67 грн |
| 500+ | 36.34 грн |
| 1000+ | 32.86 грн |
| 5000+ | 30.42 грн |
| IRF7329TRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.74 грн |
| 500+ | 42.78 грн |
| 1000+ | 36.14 грн |
| IRF7328TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.32 грн |
| 500+ | 49.31 грн |
| 1000+ | 39.34 грн |
| IMZ120R060M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 770.23 грн |
| 5+ | 632.37 грн |
| 10+ | 493.62 грн |
| 50+ | 430.28 грн |
| IMZ120R030M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1077.97 грн |
| 5+ | 953.45 грн |
| 10+ | 828.93 грн |
| 50+ | 757.33 грн |
| 100+ | 687.64 грн |
| 250+ | 673.92 грн |
| IMZA120R007M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5972.40 грн |
| 5+ | 5226.18 грн |
| 10+ | 4330.55 грн |
| 50+ | 3604.98 грн |
| IMZA120R040M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1041.50 грн |
| 5+ | 1018.38 грн |
| 10+ | 995.25 грн |
| 50+ | 630.97 грн |
| 100+ | 500.87 грн |
| IMZA120R014M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2066.99 грн |
| 5+ | 2017.19 грн |
| 10+ | 1967.38 грн |
| 50+ | 1780.60 грн |
| 100+ | 1600.94 грн |
| IMZA120R020M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1557.36 грн |
| 5+ | 1509.33 грн |
| 10+ | 1461.30 грн |
| 50+ | 1313.15 грн |
| 100+ | 1170.97 грн |
| 250+ | 1129.81 грн |
| AUIRFR5305TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.22 грн |
| 50+ | 173.44 грн |
| 100+ | 154.76 грн |
| 500+ | 105.71 грн |
| 1500+ | 95.29 грн |
| AUIRFR5305TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 154.76 грн |
| 500+ | 105.71 грн |
| 1500+ | 95.29 грн |
| AUIRFR5305TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 240.14 грн |
| 50+ | 215.24 грн |
| 100+ | 191.22 грн |
| 500+ | 120.58 грн |
| 1000+ | 93.77 грн |
| AUIRFR5305TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 107.62 грн |
| 6000+ | 104.95 грн |
| AUIRFR5305TR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 191.22 грн |
| 500+ | 120.58 грн |
| 1000+ | 93.77 грн |
| TLS4125D0EPV33XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 239.25 грн |
| 10+ | 186.78 грн |
| 25+ | 176.99 грн |
| 50+ | 146.18 грн |
| 100+ | 128.08 грн |
| 250+ | 122.74 грн |
| 500+ | 118.93 грн |
| 1000+ | 113.59 грн |
| TLS4125D0EPV33XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3.7V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 186.78 грн |
| 25+ | 176.99 грн |
| 50+ | 146.18 грн |
| 100+ | 128.08 грн |
| 250+ | 122.74 грн |
| 500+ | 118.93 грн |
| 1000+ | 113.59 грн |
| IPB320P10LMATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 399.35 грн |
| 10+ | 281.05 грн |
| 50+ | 241.92 грн |
| IPB320P10LMATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 241.92 грн |
| XMC1302Q024X0064ABXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 199.23 грн |
| 10+ | 157.43 грн |
| 50+ | 143.20 грн |
| 100+ | 123.06 грн |
| 250+ | 106.73 грн |
| 500+ | 102.92 грн |
| 1000+ | 99.11 грн |
| XMC1302Q024X0064ABXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 123.06 грн |
| 250+ | 106.73 грн |
| 500+ | 102.92 грн |
| 1000+ | 99.11 грн |
| ITS4090QEPDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 512.30 грн |
| 10+ | 362.88 грн |
| 25+ | 337.09 грн |
| 50+ | 294.84 грн |
| 100+ | 254.63 грн |
| 250+ | 241.67 грн |
| 500+ | 216.51 грн |
| 1000+ | 182.20 грн |
| ITS4090QEPDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ITS4090QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 1.5A, 0.09 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 254.63 грн |
| 250+ | 241.67 грн |
| 500+ | 216.51 грн |
| 1000+ | 182.20 грн |
| TLE4929CXAFM28HAMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4929CXAFM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, 15 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 80mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 15°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE4929CXAFM28HAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, 15 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Drehzahlsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 80mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 15°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 163.65 грн |
| 10+ | 160.09 грн |
| 25+ | 152.98 грн |
| 50+ | 136.27 грн |
| 100+ | 120.45 грн |
| 250+ | 115.88 грн |
| 500+ | 110.54 грн |
| 1000+ | 108.25 грн |
| CYBT-213043-02 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 679.51 грн |
| 5+ | 644.82 грн |
| 10+ | 610.14 грн |
| 50+ | 500.48 грн |
| 100+ | 434.54 грн |
| 250+ | 416.24 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 168.10 грн |
| 50+ | 132.52 грн |
| 250+ | 120.96 грн |
| 1000+ | 106.54 грн |
| 3000+ | 95.29 грн |
| IAUC100N10S5L040ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| IAUC100N10S5N040ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 257.04 грн |
| 10+ | 178.77 грн |
| 100+ | 125.41 грн |
| 500+ | 101.58 грн |
| 1000+ | 90.72 грн |
| BSC027N10NS5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 398.46 грн |
| 10+ | 303.29 грн |
| 100+ | 220.57 грн |
| 500+ | 170.96 грн |
| 1000+ | 154.76 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 216.13 грн |
| 10+ | 157.43 грн |
| 100+ | 134.30 грн |
| 500+ | 112.32 грн |
| 1000+ | 96.82 грн |
| BSC050N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 164.54 грн |
| 50+ | 94.28 грн |
| 250+ | 77.02 грн |
| 1000+ | 67.31 грн |
| BSC034N10LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 134.30 грн |
| 500+ | 112.32 грн |
| 1000+ | 96.82 грн |
| BSC035N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 132.52 грн |
| 250+ | 120.96 грн |
| 1000+ | 106.54 грн |
| 3000+ | 95.29 грн |
| BSC027N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 248.15 грн |
| 500+ | 216.38 грн |
| 1000+ | 160.86 грн |
| IAUC100N10S5N040ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 125.41 грн |
| 500+ | 101.58 грн |
| 1000+ | 90.72 грн |
| IAUC100N10S5L040ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 113.84 грн |
| 500+ | 82.59 грн |
| 1000+ | 74.71 грн |
| BSC0802LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 180.55 грн |
| 100+ | 145.86 грн |
| 500+ | 109.84 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 115.62 грн |
| 500+ | 89.20 грн |
| 1000+ | 80.05 грн |
| TLE42662GSV33HTMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 103.24 грн |
| 250+ | 89.20 грн |
| 500+ | 78.52 грн |
| 1000+ | 67.32 грн |
| TLE42662GSV33HTMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - TLE42662GSV33HTMA2 - LDO-Festspannungsregler, 4.4V bis 45V, 1V Dropout, 3.3Vout, 150mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.02 грн |
| 10+ | 145.86 грн |
| 50+ | 128.96 грн |
| 100+ | 103.24 грн |
| 250+ | 89.20 грн |
| 500+ | 78.52 грн |
| 1000+ | 67.32 грн |
| TLE7189QKXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE7189QKXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-28V Versorgungsspannung, 1.5Aout, 190ns Verzögerung, LQFP-64
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 190ns
Ausgabeverzögerung: 190ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLE7189QKXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-28V Versorgungsspannung, 1.5Aout, 190ns Verzögerung, LQFP-64
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 190ns
Ausgabeverzögerung: 190ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 579.01 грн |
| BTT60301ERAXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTT60301ERAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 60A, 0.055 Ohm, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.031ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 60A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTT60301ERAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 60A, 0.055 Ohm, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.031ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 60A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 236.58 грн |
| 10+ | 180.55 грн |
| 25+ | 165.43 грн |
| 50+ | 147.01 грн |
| 100+ | 129.60 грн |
| 250+ | 122.74 грн |
| 500+ | 118.93 грн |
| 1000+ | 115.88 грн |
| S80KS5122GABHM020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1263.85 грн |
| 5+ | 1262.96 грн |
| 10+ | 1262.08 грн |
| 25+ | 1171.10 грн |
| 50+ | 1080.25 грн |
| S80KS5123GABHI020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 691.96 грн |
| 10+ | 643.93 грн |
| 25+ | 624.37 грн |
| 50+ | 520.31 грн |
| 100+ | 478.76 грн |
| 250+ | 457.41 грн |
| S80KS5123GABHA020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 678.62 грн |
| 10+ | 642.16 грн |
| 25+ | 627.04 грн |
| 50+ | 534.35 грн |
| 100+ | 482.57 грн |
| 250+ | 480.28 грн |
| S80KS5122GABHB020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1176.69 грн |
| 5+ | 1175.80 грн |
| 10+ | 1174.91 грн |
| 25+ | 1090.16 грн |
| 50+ | 1005.54 грн |
| S80KS5122GABHA020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 587.01 грн |
| 10+ | 546.99 грн |
| 25+ | 530.09 грн |
| 50+ | 441.85 грн |
| 100+ | 397.95 грн |
| 250+ | 381.18 грн |
| S80KS5122GABHV020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1111.76 грн |
| 10+ | 1033.50 грн |
| 25+ | 1001.48 грн |
| 50+ | 907.64 грн |
| 100+ | 818.00 грн |
| 250+ | 747.87 грн |
| S80KS5123GABHB020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 804.03 грн |
| 10+ | 748.00 грн |
| 25+ | 725.76 грн |
| 50+ | 659.05 грн |
| 100+ | 593.11 грн |
| 250+ | 567.95 грн |
| S80KS5123GABHV020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 703.52 грн |
| 10+ | 654.61 грн |
| 25+ | 634.15 грн |
| 50+ | 529.39 грн |
| 100+ | 476.47 грн |
| 250+ | 456.65 грн |
| S80KS5123GABHM020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 907.20 грн |
| 10+ | 842.27 грн |
| 25+ | 817.37 грн |
| 50+ | 681.35 грн |
| 100+ | 613.69 грн |
| 250+ | 587.01 грн |
| S80KS5122GABHI020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 683.96 грн |
| 10+ | 636.82 грн |
| 25+ | 606.58 грн |
| 50+ | 549.21 грн |
| IPD25N06S4L30ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.67 грн |
| 500+ | 28.82 грн |
| 1000+ | 24.47 грн |
| IRSM005-800MHTR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-800MHTR - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 80A
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRSM005-800MHTR - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 80A
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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В кошику
од. на суму грн.
| IKZA100N65EH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 770.23 грн |
| 5+ | 665.28 грн |
| 10+ | 559.44 грн |
| 50+ | 476.53 грн |
| 100+ | 399.47 грн |
| FS100R12W2T7BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12W2T7BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 70 A, 1.5 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 70A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - FS100R12W2T7BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 70 A, 1.5 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 70A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5763.39 грн |
| 5+ | 5647.76 грн |
| IRF7303TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CY8C22545-24AXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C22545-24AXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C22xx Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 44 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 38Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 1KB
MCU-Baureihe: CY8C22xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C22xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C22545-24AXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C22xx Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 44 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 38Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 1KB
MCU-Baureihe: CY8C22xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C22xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 479.39 грн |
| 10+ | 372.66 грн |
| 25+ | 345.09 грн |
| 50+ | 318.79 грн |
| 100+ | 291.98 грн |
| 2EDN8523RXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN8523RXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgung, 5Aout Spitze, Versorgung 19ns In/19ns Out, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 2EDN8523RXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgung, 5Aout Spitze, Versorgung 19ns In/19ns Out, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.92 грн |
| 250+ | 49.55 грн |
| 500+ | 48.41 грн |
| 1000+ | 47.11 грн |
| 2500+ | 45.74 грн |
| 2EDN7523RXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7523RXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 2EDN7523RXUMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 90.02 грн |
| 250+ | 77.76 грн |
| 500+ | 74.10 грн |
| 1000+ | 71.20 грн |



























