Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 365 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE5109A16E1210XUMA1 TLE5109A16E1210XUMA1 INFINEON 2818773.pdf Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.77 грн
10+176.90 грн
25+164.62 грн
50+140.69 грн
100+119.34 грн
250+115.13 грн
500+110.21 грн
1000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16E1210XUMA1 TLE5109A16E1210XUMA1 INFINEON 2818773.pdf Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.34 грн
250+115.13 грн
500+110.21 грн
1000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM004TOBO1 KITLGPWRBOM004TOBO1 INFINEON 3739858.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM004TOBO1 - Kit, Power-Board, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar, OptiMOS 60V
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3050.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.95 грн
10+244.88 грн
100+198.20 грн
500+164.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+198.20 грн
500+164.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON 2211652.pdf Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.24 грн
10+158.07 грн
100+120.39 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON 2211652.pdf Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.39 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+326.78 грн
100+265.36 грн
500+241.84 грн
1000+188.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.36 грн
10+370.19 грн
100+274.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.35 грн
10+265.36 грн
100+194.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 INFINEON 3970159.pdf Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.74 грн
500+65.94 грн
1000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 INFINEON 3970159.pdf Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.65 грн
10+139.23 грн
100+100.74 грн
500+65.94 грн
1000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.76 грн
500+99.63 грн
1000+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.10 грн
10+159.70 грн
100+127.76 грн
500+99.63 грн
1000+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.71 грн
10+142.51 грн
100+114.66 грн
500+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.66 грн
500+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.12 грн
500+88.22 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.16 грн
10+166.26 грн
100+117.12 грн
500+88.22 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+335.79 грн
100+297.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.06 грн
10+335.79 грн
100+297.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.01 грн
10+212.94 грн
100+159.70 грн
500+109.51 грн
1000+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.70 грн
500+109.51 грн
1000+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 INFINEON Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.32 грн
500+96.58 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 IDK08G120C5XTMA1 INFINEON 3154655.pdf Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.00 грн
500+161.23 грн
1000+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4PBPSA1 FP35R12W2T4PBPSA1 INFINEON 2718707.pdf Description: INFINEON - FP35R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 35 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6195.74 грн
5+5420.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.52 грн
10+238.33 грн
100+187.55 грн
500+139.93 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.55 грн
500+139.93 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LQI-BL473 CY8C4247LQI-BL473 INFINEON 2143896.pdf Description: INFINEON - CY8C4247LQI-BL473 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.52 грн
10+262.90 грн
25+253.07 грн
50+226.63 грн
100+200.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.84 грн
500+29.28 грн
1000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r2k4p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.77 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1XUMA1 BTS711L1XUMA1 INFINEON 1909022.pdf Description: INFINEON - BTS711L1XUMA1 - Leistungsschalter SIPMOS, High-Side, Active-High, 4 Ausg., -10 bis +16V DC Eingangssp., 7.5A, SOP-20
tariffCode: 85412900
Durchlasswiderstand: 0.042ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.93 грн
250+245.00 грн
500+237.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 INFINEON Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.76 грн
50+74.53 грн
250+49.22 грн
1000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040 Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.03 грн
15+56.02 грн
100+40.87 грн
500+29.51 грн
1000+22.74 грн
5000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 INFINEON 2718772.pdf Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.23 грн
500+30.42 грн
1000+23.94 грн
5000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S54R6ATMA1 IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.46 грн
14+61.34 грн
100+40.62 грн
500+27.15 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3 Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.52 грн
10+109.75 грн
100+74.20 грн
500+55.44 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3 Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.20 грн
500+55.44 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 INFINEON Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.06 грн
250+37.35 грн
1000+25.78 грн
3000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S54R6ATMA1 IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.62 грн
500+27.15 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5668AXI-LP010 CY8C5668AXI-LP010 INFINEON 2091503.pdf Description: INFINEON - CY8C5668AXI-LP010 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 67 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C56xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2148.24 грн
5+1960.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5467AXI-LP108 CY8C5467AXI-LP108 INFINEON CYPR-S-A0011126768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C5467AXI-LP108 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 128KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY8C54xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C54LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5668AXI-LP034 CY8C5668AXI-LP034 INFINEON 2330481.pdf Description: INFINEON - CY8C5668AXI-LP034 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 67 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C56xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1743.65 грн
5+1574.12 грн
10+1404.58 грн
25+1264.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666AXI-LP004 CY8C5666AXI-LP004 INFINEON 2330481.pdf Description: INFINEON - CY8C5666AXI-LP004 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 67 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C56xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.00 грн
10+1082.72 грн
25+940.21 грн
50+859.36 грн
100+780.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8082ESXUMA1 TLE8082ESXUMA1 INFINEON Infineon-TLE8082ES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178b0da80a14f02 Description: INFINEON - TLE8082ESXUMA1 - Small-Engine-Management-IC, AEC-Q100, 6V bis 40V, PG-TSDSO-24, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Small-Engine-Management-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
IC-Bauform: PG-TSDSO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.86 грн
250+155.14 грн
500+150.23 грн
1000+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8082ESXUMA1 TLE8082ESXUMA1 INFINEON Infineon-TLE8082ES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178b0da80a14f02 Description: INFINEON - TLE8082ESXUMA1 - Small-Engine-Management-IC, AEC-Q100, 6V bis 40V, PG-TSDSO-24, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Small-Engine-Management-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
IC-Bauform: PG-TSDSO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.94 грн
10+227.68 грн
25+210.48 грн
50+186.32 грн
100+162.86 грн
250+155.14 грн
500+150.23 грн
1000+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTMMTRSHIELDTOBO1 TRUSTMMTRSHIELDTOBO1 INFINEON 4148570.pdf Description: INFINEON - TRUSTMMTRSHIELDTOBO1 - MTR-Shield, OPTIGA Trust M, SLS 32AIA010MM, ARM Cortex-M0+, ARM Cortex-M4, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS 32AIA010MM
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSoC
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Trust M MTR-Shield SLS 32AIA010MM
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2434.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S4L06ATMA1 IPD90N10S4L06ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N10S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc80137500063630512 Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0066 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.36 грн
50+129.40 грн
100+97.46 грн
500+74.68 грн
1000+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.72 грн
50+113.84 грн
100+88.45 грн
500+64.34 грн
1000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 INFINEON 2849604.pdf Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.04 грн
10+83.54 грн
100+68.80 грн
500+49.81 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 INFINEON 2820329.pdf Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.60 грн
10+95.00 грн
100+75.02 грн
500+66.09 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 INFINEON 2354668.pdf Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.21 грн
100+48.57 грн
500+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.18 грн
100+79.52 грн
500+66.09 грн
1000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 IPD90N08S405ATMA1 INFINEON 2849748.pdf Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.58 грн
10+112.20 грн
100+95.82 грн
500+72.32 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.77 грн
50+87.63 грн
100+58.64 грн
500+39.62 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t Description: INFINEON - IPB80N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.52 грн
10+103.19 грн
100+69.94 грн
500+47.68 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.80 грн
10+108.93 грн
100+74.45 грн
500+50.73 грн
1000+45.91 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.00 грн
50+58.31 грн
100+49.55 грн
500+45.10 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.79 грн
10+202.29 грн
100+164.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.29 грн
10+82.72 грн
100+67.65 грн
500+49.96 грн
1000+37.56 грн
5000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16E1210XUMA1 2818773.pdf
TLE5109A16E1210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.77 грн
10+176.90 грн
25+164.62 грн
50+140.69 грн
100+119.34 грн
250+115.13 грн
500+110.21 грн
1000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16E1210XUMA1 2818773.pdf
TLE5109A16E1210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.34 грн
250+115.13 грн
500+110.21 грн
1000+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM004TOBO1 3739858.pdf
KITLGPWRBOM004TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM004TOBO1 - Kit, Power-Board, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar, OptiMOS 60V
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3050.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f
IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.95 грн
10+244.88 грн
100+198.20 грн
500+164.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f
IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+198.20 грн
500+164.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 2211652.pdf
IPB50N10S3L16ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.24 грн
10+158.07 грн
100+120.39 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 2211652.pdf
IPB50N10S3L16ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.39 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
IPB60R055CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+326.78 грн
100+265.36 грн
500+241.84 грн
1000+188.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
IPB60R055CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+541.36 грн
10+370.19 грн
100+274.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
IPB720P15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+351.35 грн
10+265.36 грн
100+194.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
IPB720P15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+194.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 3970159.pdf
IPD60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.74 грн
500+65.94 грн
1000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 3970159.pdf
IPD60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.65 грн
10+139.23 грн
100+100.74 грн
500+65.94 грн
1000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 2576641.pdf
IPB60R120P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.76 грн
500+99.63 грн
1000+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 2576641.pdf
IPB60R120P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.10 грн
10+159.70 грн
100+127.76 грн
500+99.63 грн
1000+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+168.71 грн
10+142.51 грн
100+114.66 грн
500+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.66 грн
500+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.12 грн
500+88.22 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.16 грн
10+166.26 грн
100+117.12 грн
500+88.22 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+335.79 грн
100+297.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.06 грн
10+335.79 грн
100+297.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+285.01 грн
10+212.94 грн
100+159.70 грн
500+109.51 грн
1000+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+159.70 грн
500+109.51 грн
1000+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
IPB65R190CFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.32 грн
500+96.58 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 3154655.pdf
IDK08G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+181.00 грн
500+161.23 грн
1000+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4PBPSA1 2718707.pdf
FP35R12W2T4PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP35R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 35 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6195.74 грн
5+5420.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd
IPL65R130CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+341.52 грн
10+238.33 грн
100+187.55 грн
500+139.93 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd
IPL65R130CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+187.55 грн
500+139.93 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LQI-BL473 2143896.pdf
CY8C4247LQI-BL473
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247LQI-BL473 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+341.52 грн
10+262.90 грн
25+253.07 грн
50+226.63 грн
100+200.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.84 грн
500+29.28 грн
1000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 infineon-ipn80r2k4p7-ds-en.pdf
IPN80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.77 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1XUMA1 1909022.pdf
BTS711L1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS711L1XUMA1 - Leistungsschalter SIPMOS, High-Side, Active-High, 4 Ausg., -10 bis +16V DC Eingangssp., 7.5A, SOP-20
tariffCode: 85412900
Durchlasswiderstand: 0.042ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+256.93 грн
250+245.00 грн
500+237.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.76 грн
50+74.53 грн
250+49.22 грн
1000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon-IPC50N04S5-5R8-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d56c23ca6040
IPC50N04S55R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.03 грн
15+56.02 грн
100+40.87 грн
500+29.51 грн
1000+22.74 грн
5000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S55R8ATMA1 2718772.pdf
IPC50N04S55R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.23 грн
500+30.42 грн
1000+23.94 грн
5000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d
IPC70N04S54R6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.46 грн
14+61.34 грн
100+40.62 грн
500+27.15 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.52 грн
10+109.75 грн
100+74.20 грн
500+55.44 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3
IPC100N04S51R7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.20 грн
500+55.44 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.06 грн
250+37.35 грн
1000+25.78 грн
3000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d
IPC70N04S54R6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.62 грн
500+27.15 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5668AXI-LP010 2091503.pdf
CY8C5668AXI-LP010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5668AXI-LP010 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 67 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C56xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2148.24 грн
5+1960.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5467AXI-LP108 CYPR-S-A0011126768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C5467AXI-LP108
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5467AXI-LP108 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 128KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY8C54xx
CPU-Geschwindigkeit: 67MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C54LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+899.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5668AXI-LP034 2330481.pdf
CY8C5668AXI-LP034
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5668AXI-LP034 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 67 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C56xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1743.65 грн
5+1574.12 грн
10+1404.58 грн
25+1264.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666AXI-LP004 2330481.pdf
CY8C5666AXI-LP004
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5666AXI-LP004 - ARM-MCU, PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 67 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C56xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C56xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.00 грн
10+1082.72 грн
25+940.21 грн
50+859.36 грн
100+780.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8082ESXUMA1 Infineon-TLE8082ES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178b0da80a14f02
TLE8082ESXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8082ESXUMA1 - Small-Engine-Management-IC, AEC-Q100, 6V bis 40V, PG-TSDSO-24, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Small-Engine-Management-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
IC-Bauform: PG-TSDSO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+162.86 грн
250+155.14 грн
500+150.23 грн
1000+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8082ESXUMA1 Infineon-TLE8082ES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178b0da80a14f02
TLE8082ESXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8082ESXUMA1 - Small-Engine-Management-IC, AEC-Q100, 6V bis 40V, PG-TSDSO-24, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Small-Engine-Management-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
IC-Bauform: PG-TSDSO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+298.94 грн
10+227.68 грн
25+210.48 грн
50+186.32 грн
100+162.86 грн
250+155.14 грн
500+150.23 грн
1000+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRUSTMMTRSHIELDTOBO1 4148570.pdf
TRUSTMMTRSHIELDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TRUSTMMTRSHIELDTOBO1 - MTR-Shield, OPTIGA Trust M, SLS 32AIA010MM, ARM Cortex-M0+, ARM Cortex-M4, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS 32AIA010MM
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSoC
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Trust M MTR-Shield SLS 32AIA010MM
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2434.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S4L06ATMA1 Infineon-IPD90N10S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc80137500063630512
IPD90N10S4L06ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0066 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.36 грн
50+129.40 грн
100+97.46 грн
500+74.68 грн
1000+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.72 грн
50+113.84 грн
100+88.45 грн
500+64.34 грн
1000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2 2849604.pdf
IPD90N06S405ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.04 грн
10+83.54 грн
100+68.80 грн
500+49.81 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 2820329.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.60 грн
10+95.00 грн
100+75.02 грн
500+66.09 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 2354668.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.21 грн
100+48.57 грн
500+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.18 грн
100+79.52 грн
500+66.09 грн
1000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 2849748.pdf
IPD90N08S405ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.58 грн
10+112.20 грн
100+95.82 грн
500+72.32 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.77 грн
50+87.63 грн
100+58.64 грн
500+39.62 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t
IPB80N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.52 грн
10+103.19 грн
100+69.94 грн
500+47.68 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.80 грн
10+108.93 грн
100+74.45 грн
500+50.73 грн
1000+45.91 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S4L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.00 грн
50+58.31 грн
100+49.55 грн
500+45.10 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.79 грн
10+202.29 грн
100+164.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.29 грн
10+82.72 грн
100+67.65 грн
500+49.96 грн
1000+37.56 грн
5000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]