| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AIMBG120R020M1XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HVtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AIMBG120R020M1XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HVtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S29AL008J55TFNR10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: TSOP rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 55ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit Speichergröße: 8Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S29AL008J70TFN010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: TSOP IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit Speichergröße: 8Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
XMC7200D-F176K8384AA | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MBADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7 hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 81Kanäle Programmspeichergröße: 8MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 350MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC7000 RAM-Speichergröße: 1MB MCU-Baureihe: XMC7200 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s) Anzahl der Pins: 176Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CYT4BF8CEDQ0AESGS | INFINEON |
Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 BittariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 81Kanäle Programmspeichergröße: 8MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 350MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Traveo T2G RAM-Speichergröße: 1MB MCU-Baureihe: CYT4BF Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s) Anzahl der Pins: 176Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CYT4BFBCJDQ0BZEGS | INFINEON |
Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 BittariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 96Kanäle Programmspeichergröße: 8MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 350MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Traveo T2G RAM-Speichergröße: 1MB MCU-Baureihe: CYT4BF Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s) Anzahl der Pins: 272Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
XMC7200D-E272K8384AA | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MBtariffCode: 85423190 ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7 hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: BGA usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 96Kanäle Programmspeichergröße: 8MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 350MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC7000 RAM-Speichergröße: 1MB MCU-Baureihe: XMC7200 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s) Anzahl der Pins: 272Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PASCO2V15AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)tariffCode: 90271090 Genauigkeit: ±5% rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Genauigkeit: 5% usEccn: EAR99 euEccn: NLR Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Partikelanzahl, max.: 32000ppm Gas: Kohlendioxid SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CYT3BB8CEBQ1AEEGS | INFINEON |
Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 BittariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 64Kanäle Programmspeichergröße: 4MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 250MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Traveo T2G RAM-Speichergröße: 768KB MCU-Baureihe: CYT3BB Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s) Anzahl der Pins: 176Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digitaltariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Ausgangsstrom: 1A usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 23V Core-Chip: TLD5098EP Eingangsspannung, max.: 27V Dimmsteuerung: Analog, Digital euEccn: NLR Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Eingangsspannung, min.: 8V Produktpalette: - productTraceability: No Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSZ010NE2LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SDPMFIG10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 66MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 66MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S26KL512SDABHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 96ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 100MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SDPMFVG10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 66MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 66MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FS512SDSBHB210 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS512SDSBHB210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 80MHz, BGA-24tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: BGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 80MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 80MHz Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Speichergröße: 512Mbit Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SAGBHBA10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHBA10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: BGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SAGBHVB10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHVB10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: BGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FS512SAGNFI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: WSON IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S26KS512SDPBHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S26KS512SDPBHV020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 166MHz, FBGA-24tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 96ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 166MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S29GL512T11FHIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FS512SAGBHI210 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS512SAGBHI210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: BGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SAGBHV210 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHV210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: BGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S29GL512S10FHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 PinstariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SAGMFMR10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFMR10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SAGMFA010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SAGMFBG10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFBG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Speichergröße: 512Mbit Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S29GL512S11TFIV20 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 PinstariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: TSOP rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 56Pin(s) Speichergröße: 512Mbit Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S25FL512SAGMFVG11 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFVG11 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKZA40N65EH7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6503WE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6503WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.56 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pins, 0.45 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1V Diodenkapazität: 0.45pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Widerstand bei If: 0.56ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6302LE6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-1 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.21pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR63 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BAR6302LE6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-1 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.21pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR63 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BA89202VH6127XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 35V euEccn: NLR Verlustleistung: - Durchlassspannung: 1V Diodenkapazität: 0.85pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.36ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 46996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BA89202VH6127XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 35V euEccn: NLR Verlustleistung: - Durchlassspannung: 1V Diodenkapazität: 0.85pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.36ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 47016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FS150R12W3T7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Schraub rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 150A Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
6ED2230S12TXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 6ED2230S12TXUMA1 - IBGT-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-24, 700/650ns Verzögerung, 13V bis 20VtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 650mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 350mA Versorgungsspannung, min.: 13V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 700ns Ausgabeverzögerung: 650ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C65213A-32LTXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65213A-32LTXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.71V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Brücke: USB zu UART SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C65213A-28PVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65213A-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SSOP usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.71V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Brücke: USB zu UART SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C65213-32LTXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.71V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Brücke: USB zu UART SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C65213-32LTXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.71V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Brücke: USB zu UART SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| F3L500R12W3H7H11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H11BPSA1 - IGBT-Modul, 325 A, 1.69 V, 20 mW, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V Dauer-Kollektorstrom: 325A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FF3MR20KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR38163MTRPBFAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 500mV IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 14V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 30A Qualifikation: - Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR DC/DC-Wandler: Modul Eingangsspannung, min.: 5.3V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 30A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR38163MTRPBFAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 500mV IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 14V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 30A Qualifikation: - Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR DC/DC-Wandler: Modul Eingangsspannung, min.: 5.3V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 30A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IMYH200R012M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 PlustariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 552W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FM24CL64B-G | INFINEON |
Description: INFINEON - FM24CL64B-G - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2.7V bis 3.65V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: I2C Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 8K x 8 Bit Taktfrequenz: 1MHz euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.65V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 - Referenzdesign-Board, 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA, PFCtariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: Cortex-M0 Unterart Anwendung: Blindstromkompensation (PFC) usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: ARM SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TLE49644MXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE49644MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 TtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Unipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.01T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 3 Pins Sensorausgang: Digital Produktpalette: XENSIV Series Hysterese, typ.: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 32V Betriebstemperatur, max.: 170°C Ausgangsschnittstelle: Open-Drain Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDWD40E65E7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD40E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 89 ns, 149 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 149A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 89ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDWD30E65E7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD30E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 82 ns, 126 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 126A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 82ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FB50R07W2E3B23BOMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 45A Produktpalette: EasyPIM Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IQE022N06LM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IQE022N06LM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IMBG120R234M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HVtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IMBG120R234M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HVtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AIMBG120R020M1XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1362.55 грн |
| 50+ | 1191.16 грн |
| 100+ | 1031.16 грн |
| AIMBG120R020M1XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1665.15 грн |
| 5+ | 1513.85 грн |
| 10+ | 1362.55 грн |
| 50+ | 1191.16 грн |
| 100+ | 1031.16 грн |
| IPN60R360P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.71 грн |
| 500+ | 35.20 грн |
| 1000+ | 25.37 грн |
| 5000+ | 22.84 грн |
| IPN60R360P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 92.92 грн |
| 12+ | 70.14 грн |
| 100+ | 46.71 грн |
| 500+ | 35.20 грн |
| 1000+ | 25.37 грн |
| 5000+ | 22.84 грн |
| IPN80R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.97 грн |
| 500+ | 43.75 грн |
| 1000+ | 34.89 грн |
| S29AL008J55TFNR10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 239.29 грн |
| 10+ | 223.66 грн |
| 25+ | 217.09 грн |
| 50+ | 177.91 грн |
| 100+ | 157.88 грн |
| 250+ | 150.83 грн |
| S29AL008J70TFN010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.60 грн |
| 10+ | 180.08 грн |
| 25+ | 168.57 грн |
| 50+ | 152.71 грн |
| XMC7200D-F176K8384AA |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1293.47 грн |
| 5+ | 1087.08 грн |
| 10+ | 1086.25 грн |
| 25+ | 1007.90 грн |
| 50+ | 929.66 грн |
| 100+ | 928.96 грн |
| 250+ | 928.26 грн |
| CYT4BF8CEDQ0AESGS |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2323.81 грн |
| 5+ | 2091.10 грн |
| 10+ | 1694.75 грн |
| 25+ | 1443.13 грн |
| 50+ | 1305.34 грн |
| CYT4BFBCJDQ0BZEGS |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2216.91 грн |
| 5+ | 2097.68 грн |
| 10+ | 1978.45 грн |
| 25+ | 1754.66 грн |
| 50+ | 1587.27 грн |
| XMC7200D-E272K8384AA |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1565.65 грн |
| 5+ | 1412.71 грн |
| 10+ | 1258.94 грн |
| 25+ | 1144.58 грн |
| 50+ | 1033.27 грн |
| PASCO2V15AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
Genauigkeit: ±5%
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Genauigkeit: 5%
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
Gas: Kohlendioxid
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
Genauigkeit: ±5%
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Genauigkeit: 5%
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
Gas: Kohlendioxid
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1704.62 грн |
| 5+ | 1554.14 грн |
| 10+ | 1467.80 грн |
| 50+ | 1150.69 грн |
| 100+ | 986.05 грн |
| 250+ | 966.32 грн |
| CYT3BB8CEBQ1AEEGS |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1902.79 грн |
| 10+ | 1608.41 грн |
| 25+ | 1536.05 грн |
| 50+ | 1351.50 грн |
| 100+ | 1177.76 грн |
| TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5345.75 грн |
| BSZ010NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 105.25 грн |
| 500+ | 82.46 грн |
| 1000+ | 69.07 грн |
| S25FL512SDPMFIG10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 613.43 грн |
| 10+ | 571.50 грн |
| 25+ | 554.23 грн |
| 50+ | 501.66 грн |
| S26KL512SDABHI020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1080.50 грн |
| 10+ | 1004.02 грн |
| 25+ | 972.78 грн |
| 50+ | 810.90 грн |
| 100+ | 730.20 грн |
| S25FL512SDPMFVG10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 661.13 грн |
| 10+ | 615.08 грн |
| 25+ | 596.99 грн |
| 50+ | 541.36 грн |
| 100+ | 472.23 грн |
| S25FS512SDSBHB210 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SDSBHB210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 80MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FS512SDSBHB210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 80MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 637.28 грн |
| 10+ | 604.39 грн |
| 25+ | 592.05 грн |
| 50+ | 532.20 грн |
| 100+ | 482.81 грн |
| S25FL512SAGBHBA10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHBA10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHBA10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 744.18 грн |
| 10+ | 691.55 грн |
| 25+ | 670.99 грн |
| 50+ | 608.56 грн |
| 100+ | 548.35 грн |
| S25FL512SAGBHVB10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHVB10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHVB10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 504.07 грн |
| 10+ | 464.60 грн |
| 25+ | 451.44 грн |
| 50+ | 404.69 грн |
| 100+ | 368.62 грн |
| 250+ | 359.46 грн |
| S25FS512SAGNFI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 420.19 грн |
| 10+ | 390.59 грн |
| 25+ | 379.08 грн |
| 50+ | 344.37 грн |
| 100+ | 310.12 грн |
| 250+ | 296.73 грн |
| S26KS512SDPBHV020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S26KS512SDPBHV020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 166MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S26KS512SDPBHV020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 166MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1157.79 грн |
| 10+ | 1079.68 грн |
| 25+ | 985.11 грн |
| 50+ | 910.93 грн |
| 100+ | 837.33 грн |
| S29GL512T11FHIV10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 588.76 грн |
| 10+ | 558.34 грн |
| 25+ | 556.69 грн |
| 50+ | 515.40 грн |
| 100+ | 473.64 грн |
| 250+ | 472.23 грн |
| S25FS512SAGBHI210 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SAGBHI210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FS512SAGBHI210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 509.00 грн |
| 10+ | 474.47 грн |
| 25+ | 459.66 грн |
| 50+ | 416.90 грн |
| 100+ | 384.13 грн |
| 250+ | 382.72 грн |
| S25FL512SAGBHV210 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHV210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHV210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 664.42 грн |
| 10+ | 619.19 грн |
| 25+ | 600.28 грн |
| 50+ | 543.66 грн |
| 100+ | 490.56 грн |
| S29GL512S10FHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 905.35 грн |
| 10+ | 841.21 грн |
| 25+ | 815.72 грн |
| 50+ | 613.90 грн |
| 100+ | 549.76 грн |
| 250+ | 512.41 грн |
| S25FL512SAGMFMR10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFMR10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFMR10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 674.28 грн |
| 10+ | 626.59 грн |
| 25+ | 607.68 грн |
| 50+ | 551.29 грн |
| 100+ | 494.79 грн |
| 250+ | 479.99 грн |
| S25FL512SAGMFA010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 679.22 грн |
| 10+ | 631.52 грн |
| 25+ | 612.61 грн |
| 50+ | 544.42 грн |
| 100+ | 431.35 грн |
| 250+ | 427.12 грн |
| S25FL512SAGMFBG10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFBG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFBG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 673.46 грн |
| 10+ | 625.77 грн |
| 25+ | 606.85 грн |
| 50+ | 505.48 грн |
| 100+ | 441.22 грн |
| 250+ | 414.44 грн |
| S29GL512S11TFIV20 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pins
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pins
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Speichergröße: 512Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 658.66 грн |
| 10+ | 628.23 грн |
| 25+ | 625.77 грн |
| 50+ | 575.73 грн |
| 100+ | 525.80 грн |
| 250+ | 515.93 грн |
| S25FL512SAGMFVG11 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFVG11 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFVG11 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 661.13 грн |
| 10+ | 615.90 грн |
| 25+ | 583.83 грн |
| 50+ | 529.15 грн |
| 100+ | 471.53 грн |
| IKZA40N65EH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 497.49 грн |
| 10+ | 343.72 грн |
| 100+ | 341.25 грн |
| BAR6503WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6503WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.56 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pins, 0.45 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.45pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6503WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.56 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pins, 0.45 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.45pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 14.23 грн |
| 96+ | 8.63 грн |
| 122+ | 6.76 грн |
| 500+ | 5.47 грн |
| 1000+ | 4.77 грн |
| 5000+ | 4.43 грн |
| BAR6302LE6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAR6302LE6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 11.76 грн |
| 118+ | 7.00 грн |
| 152+ | 5.43 грн |
| BA89202VH6127XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.35 грн |
| 121+ | 6.83 грн |
| 157+ | 5.27 грн |
| 500+ | 4.26 грн |
| 1000+ | 3.76 грн |
| 5000+ | 2.92 грн |
| BA89202VH6127XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.26 грн |
| 1000+ | 3.76 грн |
| 5000+ | 2.92 грн |
| FS150R12W3T7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS150R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FS150R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6603.04 грн |
| 5+ | 5942.74 грн |
| 10+ | 4708.47 грн |
| 6ED2230S12TXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2230S12TXUMA1 - IBGT-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-24, 700/650ns Verzögerung, 13V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 650mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 6ED2230S12TXUMA1 - IBGT-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-24, 700/650ns Verzögerung, 13V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 650mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 257.26 грн |
| 250+ | 254.44 грн |
| 500+ | 251.62 грн |
| CY7C65213A-32LTXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213A-32LTXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C65213A-32LTXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 245.04 грн |
| 10+ | 184.19 грн |
| 25+ | 161.17 грн |
| 50+ | 143.55 грн |
| 100+ | 126.87 грн |
| 250+ | 119.12 грн |
| 500+ | 117.71 грн |
| 1000+ | 116.30 грн |
| CY7C65213A-28PVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213A-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C65213A-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 212.97 грн |
| 10+ | 177.62 грн |
| 25+ | 162.81 грн |
| 50+ | 148.13 грн |
| 100+ | 133.21 грн |
| 250+ | 129.69 грн |
| 500+ | 125.46 грн |
| 1000+ | 122.64 грн |
| CY7C65213-32LTXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 234.35 грн |
| 10+ | 175.97 грн |
| 25+ | 161.17 грн |
| 50+ | 142.79 грн |
| 100+ | 124.75 грн |
| 250+ | 117.71 грн |
| 500+ | 113.48 грн |
| 1000+ | 110.66 грн |
| CY7C65213-32LTXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 124.75 грн |
| 250+ | 117.71 грн |
| 500+ | 113.48 грн |
| 1000+ | 110.66 грн |
| F3L500R12W3H7H11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H11BPSA1 - IGBT-Modul, 325 A, 1.69 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
Dauer-Kollektorstrom: 325A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H11BPSA1 - IGBT-Modul, 325 A, 1.69 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
Dauer-Kollektorstrom: 325A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11729.24 грн |
| 5+ | 11013.02 грн |
| 10+ | 10264.73 грн |
| FF3MR20KM1HPHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48931.58 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 92.92 грн |
| 500+ | 66.89 грн |
| 1500+ | 59.42 грн |
| IR38163MTRPBFAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 530.38 грн |
| 10+ | 406.21 грн |
| 25+ | 377.43 грн |
| IR38163MTRPBFAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMYH200R012M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 552W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 552W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5577.64 грн |
| 5+ | 5506.10 грн |
| 10+ | 5434.56 грн |
| 50+ | 4945.58 грн |
| FM24CL64B-G |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM24CL64B-G - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2.7V bis 3.65V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.65V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FM24CL64B-G - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2.7V bis 3.65V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.65V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 249.16 грн |
| 10+ | 233.53 грн |
| 25+ | 226.13 грн |
| 50+ | 200.82 грн |
| REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 - Referenzdesign-Board, 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA, PFC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: Cortex-M0
Unterart Anwendung: Blindstromkompensation (PFC)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 - Referenzdesign-Board, 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA, PFC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: Cortex-M0
Unterart Anwendung: Blindstromkompensation (PFC)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44501.04 грн |
| TLE49644MXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49644MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLE49644MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.81 грн |
| 500+ | 20.62 грн |
| 1000+ | 18.33 грн |
| 2500+ | 17.06 грн |
| 5000+ | 14.94 грн |
| IDWD40E65E7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 89 ns, 149 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 149A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 89ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD40E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 89 ns, 149 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 149A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 89ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 261.49 грн |
| 10+ | 190.77 грн |
| 100+ | 153.77 грн |
| IDWD30E65E7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD30E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 82 ns, 126 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 126A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 82ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD30E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 82 ns, 126 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 126A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 82ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.22 грн |
| 10+ | 132.39 грн |
| 100+ | 107.72 грн |
| FB50R07W2E3B23BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3303.17 грн |
| 5+ | 3141.17 грн |
| 10+ | 2979.18 грн |
| IQE022N06LM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 215.44 грн |
| 10+ | 157.88 грн |
| 100+ | 115.94 грн |
| 500+ | 97.74 грн |
| 1000+ | 77.53 грн |
| IQE022N06LM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 115.94 грн |
| 500+ | 97.74 грн |
| 1000+ | 77.53 грн |
| IMBG120R234M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 361.81 грн |
| 10+ | 262.31 грн |
| 100+ | 187.48 грн |
| 500+ | 144.31 грн |
| IMBG120R234M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 187.48 грн |
| 500+ | 144.31 грн |




































