Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25687) > Сторінка 365 з 429

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 378 420 429  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1ED3123MU12HXUMA1 1ED3123MU12HXUMA1 INFINEON 3177208.pdf Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.44 грн
250+158.92 грн
500+147.20 грн
1000+120.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1 INFINEON 3932271.pdf Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.72 грн
10+95.69 грн
50+86.30 грн
100+71.33 грн
250+61.88 грн
500+59.54 грн
1000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1 INFINEON 3932271.pdf Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.33 грн
250+61.88 грн
500+59.54 грн
1000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 IDK10G120C5XTMA1 INFINEON Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41 Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.81 грн
500+149.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21534-24PVXI CY8C21534-24PVXI INFINEON 1734566.pdf Description: INFINEON - CY8C21534-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 512Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x34
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 INFINEON Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83 Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.13 грн
5+584.42 грн
10+582.71 грн
50+363.37 грн
100+295.87 грн
250+290.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.58 грн
500+25.55 грн
1000+20.51 грн
5000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON 2830776.pdf Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.26 грн
5+524.61 грн
10+504.10 грн
50+330.84 грн
100+295.14 грн
250+294.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1 IMW120R140M1HXKSA1 INFINEON 2830777.pdf Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.13 грн
10+554.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167EV30LL-45BVXIT CY62167EV30LL-45BVXIT INFINEON CYPR-S-A0000037706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62167EV30LL-45BVXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+989.41 грн
25+958.65 грн
50+867.96 грн
100+774.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 TLD5045EJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.33 грн
10+88.86 грн
50+80.31 грн
100+66.17 грн
250+57.49 грн
500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 TLD5045EJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.17 грн
250+57.49 грн
500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500551TMAATMA1 BTS500551TMAATMA1 INFINEON Infineon-BTS50055-1TMA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b00de935ed Description: INFINEON - BTS500551TMAATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 130A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.72 грн
10+475.05 грн
25+452.84 грн
50+392.72 грн
100+336.15 грн
250+321.50 грн
500+292.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Demoboard_BTT3018EJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc89f6a011a Description: INFINEON - BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTT3018EJ, Low-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTT3018EJ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTT3018EJ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2324.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.42 грн
500+72.99 грн
1000+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1 IMW120R007M1HXKSA1 INFINEON 3704044.pdf Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3889.28 грн
5+3862.80 грн
10+3836.31 грн
50+2684.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 S78HS512TC0BHB013 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.79 грн
10+1261.97 грн
25+1222.66 грн
50+1018.70 грн
100+916.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 S78HL512TC0BHB003 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1305.54 грн
10+1210.70 грн
25+1172.25 грн
50+976.65 грн
100+879.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 S78HL512TC0BHB003 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1305.54 грн
10+1210.70 грн
25+1172.25 грн
50+976.65 грн
100+879.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 S78HS512TC0BHB013 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.79 грн
10+1261.97 грн
25+1222.66 грн
50+1018.70 грн
100+916.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB010 S78HS512TC0BHB010 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB010 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.79 грн
10+1261.97 грн
25+1222.66 грн
50+1018.70 грн
100+916.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB000 S78HL512TC0BHB000 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB000 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1528.54 грн
10+1423.45 грн
25+1373.89 грн
50+1204.35 грн
100+1045.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.09 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4373IUBGT CYW4373IUBGT INFINEON CYW4373.PDF Description: INFINEON - CYW4373IUBGT - WiFi und Bluetooth, 2.4GHz bis 5GHz, 433Mbit/s, 1.14V bis 1.26V, -20°C bis 70°C, WLBGA-128
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 0
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 128Pin(s)
Übertragungsrate: 433Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+524.61 грн
25+496.41 грн
50+443.50 грн
100+393.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S404AKSA1 IPP80N04S404AKSA1 INFINEON 2354649.pdf Description: INFINEON - IPP80N04S404AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO220-3-1, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO220-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.17 грн
10+158.92 грн
100+116.20 грн
500+98.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFDAKSA1 INFINEON INFNS29198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.99 грн
10+334.08 грн
100+300.75 грн
500+249.12 грн
1000+201.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3116-LQXIT CY8CMBR3116-LQXIT INFINEON CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8CMBR3116-LQXIT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: QFN-EP
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.09 грн
250+123.77 грн
500+119.37 грн
1000+115.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI CY8CMBR3106S-LQXI INFINEON Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Description: INFINEON - CY8CMBR3106S-LQXI - Kapazitiver Berührungssensor, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
IC-Schnittstelle: I2C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Sensor: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16E1210XUMA1 TLE5109A16E1210XUMA1 INFINEON 2818773.pdf Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.40 грн
10+184.55 грн
25+171.74 грн
50+146.78 грн
100+124.50 грн
250+120.11 грн
500+114.98 грн
1000+112.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16E1210XUMA1 TLE5109A16E1210XUMA1 INFINEON 2818773.pdf Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.50 грн
250+120.11 грн
500+114.98 грн
1000+112.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM004TOBO1 KITLGPWRBOM004TOBO1 INFINEON Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e Description: INFINEON - KITLGPWRBOM004TOBO1 - Kit, Power-Board, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar, OptiMOS 60V
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3183.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.66 грн
10+255.47 грн
100+206.77 грн
500+171.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.77 грн
500+171.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON 2211652.pdf Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.76 грн
10+164.90 грн
100+125.60 грн
500+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON 2211652.pdf Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.60 грн
500+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+386.19 грн
100+286.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.77 грн
10+386.19 грн
100+286.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.54 грн
10+276.83 грн
100+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 IPB720P15LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 INFINEON 3970159.pdf Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.09 грн
500+68.79 грн
1000+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 INFINEON 3970159.pdf Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.93 грн
10+145.25 грн
100+105.09 грн
500+68.79 грн
1000+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.29 грн
500+103.93 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.50 грн
10+166.61 грн
100+133.29 грн
500+103.93 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.01 грн
10+148.67 грн
100+119.62 грн
500+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.62 грн
500+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.18 грн
500+92.03 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.89 грн
10+173.45 грн
100+122.18 грн
500+92.03 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+493.85 грн
50+430.81 грн
100+372.04 грн
250+359.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 INFINEON INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.19 грн
5+575.02 грн
10+493.85 грн
50+430.81 грн
100+372.04 грн
250+359.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.34 грн
10+222.15 грн
100+166.61 грн
500+114.25 грн
1000+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.61 грн
500+114.25 грн
1000+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 INFINEON INFNS28185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.79 грн
500+111.07 грн
1000+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 IDK08G120C5XTMA1 INFINEON Infineon-IDK08G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0d8a10f3e Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.77 грн
500+180.10 грн
1000+154.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4PBPSA1 FP35R12W2T4PBPSA1 INFINEON Infineon-FP35R12W2T4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbbf0d7a71f8 Infineon-FP35R12W2T4P-DS-v03_00-CN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbbeec4571f6 Description: INFINEON - FP35R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 35 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2822.98 грн
5+2766.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON 3629108.pdf Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+346.89 грн
50+228.98 грн
100+181.99 грн
500+140.43 грн
1500+126.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON 3629108.pdf Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+286.23 грн
50+259.74 грн
100+232.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LQI-BL473 CY8C4247LQI-BL473 INFINEON 2143896.pdf Description: INFINEON - CY8C4247LQI-BL473 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.29 грн
10+274.27 грн
25+264.01 грн
50+236.43 грн
100+209.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.47 грн
500+30.55 грн
1000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.36 грн
500+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1XUMA1 BTS711L1XUMA1 INFINEON 1909022.pdf Description: INFINEON - BTS711L1XUMA1 - Leistungsschalter SIPMOS, High-Side, Active-High, 4 Ausg., -10 bis +16V DC Eingangssp., 7.5A, SOP-20
tariffCode: 85412900
Durchlasswiderstand: 0.042ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+254.86 грн
250+243.14 грн
500+235.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3123MU12HXUMA1 3177208.pdf
1ED3123MU12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+168.44 грн
250+158.92 грн
500+147.20 грн
1000+120.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 3932271.pdf
1ED3142MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.72 грн
10+95.69 грн
50+86.30 грн
100+71.33 грн
250+61.88 грн
500+59.54 грн
1000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 3932271.pdf
1ED3142MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.33 грн
250+61.88 грн
500+59.54 грн
1000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41
IDK10G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+194.81 грн
500+149.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21534-24PVXI 1734566.pdf
CY8C21534-24PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21534-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 512Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x34
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
IRF100P218AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+586.13 грн
5+584.42 грн
10+582.71 грн
50+363.37 грн
100+295.87 грн
250+290.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.58 грн
500+25.55 грн
1000+20.51 грн
5000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 2830776.pdf
IMW120R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.26 грн
5+524.61 грн
10+504.10 грн
50+330.84 грн
100+295.14 грн
250+294.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1 2830777.pdf
IMW120R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+586.13 грн
10+554.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167EV30LL-45BVXIT CYPR-S-A0000037706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62167EV30LL-45BVXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167EV30LL-45BVXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+989.41 грн
25+958.65 грн
50+867.96 грн
100+774.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLD5045EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.33 грн
10+88.86 грн
50+80.31 грн
100+66.17 грн
250+57.49 грн
500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLD5045EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.17 грн
250+57.49 грн
500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500551TMAATMA1 Infineon-BTS50055-1TMA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b00de935ed
BTS500551TMAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500551TMAATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 130A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+623.72 грн
10+475.05 грн
25+452.84 грн
50+392.72 грн
100+336.15 грн
250+321.50 грн
500+292.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTT3018EJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc89f6a011a
BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTT3018EJ, Low-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTT3018EJ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTT3018EJ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2324.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.42 грн
500+72.99 грн
1000+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1 3704044.pdf
IMW120R007M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3889.28 грн
5+3862.80 грн
10+3836.31 грн
50+2684.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 3795155.pdf
S78HS512TC0BHB013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.79 грн
10+1261.97 грн
25+1222.66 грн
50+1018.70 грн
100+916.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 3795155.pdf
S78HL512TC0BHB003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1305.54 грн
10+1210.70 грн
25+1172.25 грн
50+976.65 грн
100+879.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 3795155.pdf
S78HL512TC0BHB003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1305.54 грн
10+1210.70 грн
25+1172.25 грн
50+976.65 грн
100+879.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 3795155.pdf
S78HS512TC0BHB013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.79 грн
10+1261.97 грн
25+1222.66 грн
50+1018.70 грн
100+916.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB010 3795155.pdf
S78HS512TC0BHB010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB010 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.79 грн
10+1261.97 грн
25+1222.66 грн
50+1018.70 грн
100+916.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB000 3795155.pdf
S78HL512TC0BHB000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB000 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1528.54 грн
10+1423.45 грн
25+1373.89 грн
50+1204.35 грн
100+1045.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.09 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYW4373IUBGT CYW4373.PDF
CYW4373IUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW4373IUBGT - WiFi und Bluetooth, 2.4GHz bis 5GHz, 433Mbit/s, 1.14V bis 1.26V, -20°C bis 70°C, WLBGA-128
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 0
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 128Pin(s)
Übertragungsrate: 433Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+524.61 грн
25+496.41 грн
50+443.50 грн
100+393.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S404AKSA1 2354649.pdf
IPP80N04S404AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N04S404AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO220-3-1, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO220-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.17 грн
10+158.92 грн
100+116.20 грн
500+98.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 INFNS29198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP220N25NFDAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+404.99 грн
10+334.08 грн
100+300.75 грн
500+249.12 грн
1000+201.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3116-LQXIT CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8CMBR3116-LQXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3116-LQXIT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: QFN-EP
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.09 грн
250+123.77 грн
500+119.37 грн
1000+115.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
CY8CMBR3106S-LQXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3106S-LQXI - Kapazitiver Berührungssensor, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
IC-Schnittstelle: I2C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Sensor: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16E1210XUMA1 2818773.pdf
TLE5109A16E1210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.40 грн
10+184.55 грн
25+171.74 грн
50+146.78 грн
100+124.50 грн
250+120.11 грн
500+114.98 грн
1000+112.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16E1210XUMA1 2818773.pdf
TLE5109A16E1210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5109A16E1210XUMA1 - AMR-WINKELSENSOR, 3.6V, TDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.5T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: TDSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: Anisotrop magneto-resistiv (AMR)
Bauform - Sensor: TDSO
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.02T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.50 грн
250+120.11 грн
500+114.98 грн
1000+112.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM004TOBO1 Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e
KITLGPWRBOM004TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM004TOBO1 - Kit, Power-Board, Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar, OptiMOS 60V
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Kit, Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Stromversorgungs-Demoboards, Niederspannungsantrieb, skalierbar
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3183.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f
IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.66 грн
10+255.47 грн
100+206.77 грн
500+171.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f
IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+206.77 грн
500+171.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 2211652.pdf
IPB50N10S3L16ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.76 грн
10+164.90 грн
100+125.60 грн
500+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 2211652.pdf
IPB50N10S3L16ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.60 грн
500+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
IPB60R055CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+386.19 грн
100+286.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
IPB60R055CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+564.77 грн
10+386.19 грн
100+286.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
IPB720P15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+366.54 грн
10+276.83 грн
100+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB720P15LMATMA1 Infineon-IPB720P15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9d41c3b4f5e
IPB720P15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 3970159.pdf
IPD60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.09 грн
500+68.79 грн
1000+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 3970159.pdf
IPD60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.93 грн
10+145.25 грн
100+105.09 грн
500+68.79 грн
1000+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 2576641.pdf
IPB60R120P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.29 грн
500+103.93 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 2576641.pdf
IPB60R120P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.50 грн
10+166.61 грн
100+133.29 грн
500+103.93 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.01 грн
10+148.67 грн
100+119.62 грн
500+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.62 грн
500+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.18 грн
500+92.03 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.89 грн
10+173.45 грн
100+122.18 грн
500+92.03 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+493.85 грн
50+430.81 грн
100+372.04 грн
250+359.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 INFNS28753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+656.19 грн
5+575.02 грн
10+493.85 грн
50+430.81 грн
100+372.04 грн
250+359.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.34 грн
10+222.15 грн
100+166.61 грн
500+114.25 грн
1000+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFNS19512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R190CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.61 грн
500+114.25 грн
1000+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 INFNS28185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R190CFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.79 грн
500+111.07 грн
1000+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 Infineon-IDK08G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0d8a10f3e
IDK08G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+206.77 грн
500+180.10 грн
1000+154.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon-FP35R12W2T4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbbf0d7a71f8 Infineon-FP35R12W2T4P-DS-v03_00-CN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbbeec4571f6
FP35R12W2T4PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP35R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 35 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2822.98 грн
5+2766.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 3629108.pdf
IPL65R130CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+346.89 грн
50+228.98 грн
100+181.99 грн
500+140.43 грн
1500+126.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 3629108.pdf
IPL65R130CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+286.23 грн
50+259.74 грн
100+232.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LQI-BL473 2143896.pdf
CY8C4247LQI-BL473
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247LQI-BL473 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.29 грн
10+274.27 грн
25+264.01 грн
50+236.43 грн
100+209.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.47 грн
500+30.55 грн
1000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPN80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f5270399d6b7c
IPN80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.36 грн
500+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1XUMA1 1909022.pdf
BTS711L1XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS711L1XUMA1 - Leistungsschalter SIPMOS, High-Side, Active-High, 4 Ausg., -10 bis +16V DC Eingangssp., 7.5A, SOP-20
tariffCode: 85412900
Durchlasswiderstand: 0.042ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+254.86 грн
250+243.14 грн
500+235.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 378 420 429  [ Наступна Сторінка >> ]