Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25139) > Сторінка 365 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE493DP2B6A1HTSA1 TLE493DP2B6A1HTSA1 INFINEON INFN-S-A0012490483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DP2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.09 грн
10+118.82 грн
50+110.46 грн
100+94.80 грн
250+83.92 грн
500+79.61 грн
1000+76.03 грн
2500+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A1HTSA1 TLE493DP2B6A1HTSA1 INFINEON INFN-S-A0012490483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DP2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.80 грн
250+83.92 грн
500+79.61 грн
1000+76.03 грн
2500+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP39N65ES5XKSA1 IKP39N65ES5XKSA1 INFINEON 2792923.pdf Description: INFINEON - IKP39N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.45 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.91 грн
10+214.22 грн
100+173.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920819M2EVB-01 CYW920819M2EVB-01 INFINEON 4146099.pdf Description: INFINEON - CYW920819M2EVB-01 - Evaluationsboard, CYW20819, Bluetooth Low Energy, SoC, BLE-Funkkarte CYW920819M2IPA1, USB-Kabel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20819
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE2, BLE-Funkkarte CYW920819M2IPA1, USB-A/Micro-B-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4541.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1 IQE006NE2LM5CGATMA1 INFINEON 3154689.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.58 грн
500+66.43 грн
1000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1 INFINEON 3983234.pdf Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+275.30 грн
10+207.52 грн
100+171.54 грн
500+146.08 грн
1000+131.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 IQDH45N04LM6CGATMA1 INFINEON 3983235.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.22 грн
10+266.93 грн
100+219.24 грн
500+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON 3983240.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.04 грн
10+252.71 грн
100+210.03 грн
500+177.16 грн
1000+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1 INFINEON 3983234.pdf Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.54 грн
500+146.08 грн
1000+131.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON 3983240.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.03 грн
500+177.16 грн
1000+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 IQDH45N04LM6CGATMA1 INFINEON 3983235.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.24 грн
500+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3031ASXUMA1 1EDI3031ASXUMA1 INFINEON 3517980.pdf Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.52 грн
10+405.84 грн
25+374.88 грн
50+332.56 грн
100+291.92 грн
250+277.57 грн
500+263.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3033ASXUMA1 1EDI3033ASXUMA1 INFINEON 3543153.pdf Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.82 грн
10+338.06 грн
25+312.12 грн
50+276.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 1EDI60I12AHXUMA1 INFINEON 2354779.pdf Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.75 грн
250+140.58 грн
500+126.23 грн
1000+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1 INFINEON INFN-S-A0010508743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.62 грн
250+143.45 грн
500+129.10 грн
1000+109.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3031ASXUMA1 1EDI3031ASXUMA1 INFINEON 3517980.pdf Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+405.84 грн
25+374.88 грн
50+332.56 грн
100+291.92 грн
250+277.57 грн
500+263.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3033ASXUMA1 1EDI3033ASXUMA1 INFINEON 3543153.pdf Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3051EVALBOARDTOBO2 1EDI3051EVALBOARDTOBO2 INFINEON 4130658.pdf Description: INFINEON - 1EDI3051EVALBOARDTOBO2 - Evaluationsboard, 1EDI3051AS, IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3051AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3051AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11008.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 INFINEON Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0 Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 INFINEON Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0 Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON 2354623.pdf Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IM241M6T2BAKMA1 IM241M6T2BAKMA1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - IM241M6T2BAKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 2 kV, DIP23, CIPOS Mikro
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mikro
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 4A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP23
Produktpalette: CIPOS IM241 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+795.78 грн
5+705.41 грн
10+615.03 грн
50+544.69 грн
100+436.08 грн
250+416.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 IPD95R750P7ATMA1 INFINEON 2643879.pdf Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.44 грн
10+123.01 грн
100+85.35 грн
500+66.43 грн
1000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004165860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.99 грн
10+92.05 грн
100+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 IPD95R750P7ATMA1 INFINEON 2643879.pdf Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
500+66.43 грн
1000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004165860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3122MU12HXUMA1 1ED3122MU12HXUMA1 INFINEON 3177208.pdf Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.85 грн
10+185.77 грн
25+178.23 грн
50+158.51 грн
100+139.86 грн
250+133.41 грн
500+119.78 грн
1000+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3123MU12HXUMA1 1ED3123MU12HXUMA1 INFINEON 3177208.pdf Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.04 грн
10+217.56 грн
25+209.20 грн
50+186.48 грн
100+164.97 грн
250+155.64 грн
500+144.17 грн
1000+117.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3461MC12MXUMA1 1ED3461MC12MXUMA1 INFINEON INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.72 грн
10+405.84 грн
25+381.57 грн
50+331.01 грн
100+284.74 грн
250+269.68 грн
500+242.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3251MC12HXUMA1 1ED3251MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.32 грн
250+106.87 грн
500+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MC12MXUMA1 1ED3491MC12MXUMA1 INFINEON INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.74 грн
10+437.64 грн
25+413.37 грн
50+361.31 грн
100+312.72 грн
250+296.94 грн
500+266.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3122MU12HXUMA1 1ED3122MU12HXUMA1 INFINEON 3177208.pdf Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.86 грн
250+133.41 грн
500+119.78 грн
1000+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MC12MXUMA1 1ED3491MC12MXUMA1 INFINEON INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+437.64 грн
25+413.37 грн
50+361.31 грн
100+312.72 грн
250+296.94 грн
500+266.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3251MC12HXUMA1 1ED3251MC12HXUMA1 INFINEON 3257198.pdf Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.05 грн
10+160.66 грн
25+147.27 грн
50+129.76 грн
100+113.32 грн
250+106.87 грн
500+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MU12MXUMA1 1ED3491MU12MXUMA1 INFINEON 3177207.pdf Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+418.39 грн
25+399.98 грн
50+354.32 грн
100+311.28 грн
250+308.41 грн
500+276.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MU12HXUMA1 INFINEON 3177208.pdf Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.17 грн
250+134.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MU12MXUMA1 1ED3491MU12MXUMA1 INFINEON 3177207.pdf Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.40 грн
10+418.39 грн
25+399.98 грн
50+354.32 грн
100+311.28 грн
250+308.41 грн
500+276.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MU12HXUMA1 INFINEON 3177208.pdf Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.08 грн
10+199.99 грн
25+189.11 грн
50+166.28 грн
100+144.17 грн
250+134.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3461MC12MXUMA1 1ED3461MC12MXUMA1 INFINEON INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+405.84 грн
25+381.57 грн
50+331.01 грн
100+284.74 грн
250+269.68 грн
500+242.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3123MU12HXUMA1 1ED3123MU12HXUMA1 INFINEON 3177208.pdf Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.97 грн
250+155.64 грн
500+144.17 грн
1000+117.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1 INFINEON 3932271.pdf Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.03 грн
10+93.72 грн
50+84.51 грн
100+69.85 грн
250+60.61 грн
500+58.31 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1 INFINEON 3932271.pdf Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.85 грн
250+60.61 грн
500+58.31 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 IDK10G120C5XTMA1 INFINEON Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41 Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.79 грн
500+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21534-24PVXI CY8C21534-24PVXI INFINEON 1734566.pdf Description: INFINEON - CY8C21534-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 512Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x34
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 INFINEON Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83 Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.03 грн
5+572.36 грн
10+570.69 грн
50+355.87 грн
100+289.77 грн
250+284.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 INFINEON INFNS16979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.68 грн
500+33.96 грн
1000+27.76 грн
5000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON 2830776.pdf Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.21 грн
5+413.37 грн
10+370.69 грн
50+305.37 грн
100+278.29 грн
250+277.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1 IMW120R140M1HXKSA1 INFINEON 2830777.pdf Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.21 грн
10+476.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167EV30LL-45BVXIT CY62167EV30LL-45BVXIT INFINEON CYPR-S-A0000037706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62167EV30LL-45BVXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1030.91 грн
25+1017.53 грн
50+903.66 грн
100+730.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 TLD5045EJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.82 грн
10+87.03 грн
50+78.66 грн
100+64.80 грн
250+56.30 грн
500+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 TLD5045EJXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.80 грн
250+56.30 грн
500+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500551TMAATMA1 BTS500551TMAATMA1 INFINEON 1651318.pdf Description: INFINEON - BTS500551TMAATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 130A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.85 грн
10+465.25 грн
25+443.49 грн
50+384.62 грн
100+329.21 грн
250+314.87 грн
500+286.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Demoboard_BTT3018EJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc89f6a011a Description: INFINEON - BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTT3018EJ, Low-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTT3018EJ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTT3018EJ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2568.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.54 грн
500+71.49 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1 IMW120R007M1HXKSA1 INFINEON 3704044.pdf Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5584.68 грн
5+4886.80 грн
10+4049.19 грн
50+3370.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 S78HS512TC0BHB013 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1494.49 грн
10+1327.14 грн
25+1235.93 грн
50+1014.00 грн
100+911.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 S78HL512TC0BHB003 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.60 грн
10+1185.72 грн
25+1148.06 грн
50+956.50 грн
100+861.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 S78HL512TC0BHB003 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.60 грн
10+1185.72 грн
25+1148.06 грн
50+956.50 грн
100+861.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 S78HS512TC0BHB013 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1563.94 грн
10+1456.00 грн
25+1404.96 грн
50+1237.00 грн
100+1078.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB010 S78HS512TC0BHB010 INFINEON 3795155.pdf Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB010 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1334.67 грн
10+1235.93 грн
25+1197.43 грн
50+997.68 грн
100+897.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A1HTSA1 INFN-S-A0012490483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DP2B6A1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.09 грн
10+118.82 грн
50+110.46 грн
100+94.80 грн
250+83.92 грн
500+79.61 грн
1000+76.03 грн
2500+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP2B6A1HTSA1 INFN-S-A0012490483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DP2B6A1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP2B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP-6
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.80 грн
250+83.92 грн
500+79.61 грн
1000+76.03 грн
2500+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP39N65ES5XKSA1 2792923.pdf
IKP39N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP39N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.45 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.91 грн
10+214.22 грн
100+173.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920819M2EVB-01 4146099.pdf
CYW920819M2EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920819M2EVB-01 - Evaluationsboard, CYW20819, Bluetooth Low Energy, SoC, BLE-Funkkarte CYW920819M2IPA1, USB-Kabel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20819
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE2, BLE-Funkkarte CYW920819M2IPA1, USB-A/Micro-B-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4541.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1 3154689.pdf
IQE006NE2LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.58 грн
500+66.43 грн
1000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1 3983234.pdf
IQDH35N03LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+275.30 грн
10+207.52 грн
100+171.54 грн
500+146.08 грн
1000+131.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 3983235.pdf
IQDH45N04LM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.22 грн
10+266.93 грн
100+219.24 грн
500+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 3983240.pdf
IQD020N10NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.04 грн
10+252.71 грн
100+210.03 грн
500+177.16 грн
1000+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGATMA1 3983234.pdf
IQDH35N03LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+171.54 грн
500+146.08 грн
1000+131.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGATMA1 3983240.pdf
IQD020N10NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+210.03 грн
500+177.16 грн
1000+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 3983235.pdf
IQDH45N04LM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+219.24 грн
500+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3031ASXUMA1 3517980.pdf
1EDI3031ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+530.52 грн
10+405.84 грн
25+374.88 грн
50+332.56 грн
100+291.92 грн
250+277.57 грн
500+263.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3033ASXUMA1 3543153.pdf
1EDI3033ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.82 грн
10+338.06 грн
25+312.12 грн
50+276.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 2354779.pdf
1EDI60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.75 грн
250+140.58 грн
500+126.23 грн
1000+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 INFN-S-A0010508743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI60H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+150.62 грн
250+143.45 грн
500+129.10 грн
1000+109.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3031ASXUMA1 3517980.pdf
1EDI3031ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+405.84 грн
25+374.88 грн
50+332.56 грн
100+291.92 грн
250+277.57 грн
500+263.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3033ASXUMA1 3543153.pdf
1EDI3033ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3051EVALBOARDTOBO2 4130658.pdf
1EDI3051EVALBOARDTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3051EVALBOARDTOBO2 - Evaluationsboard, 1EDI3051AS, IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3051AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3051AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11008.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1 Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0
BSC350N20NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1 Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0
BSC350N20NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 2354623.pdf
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IM241M6T2BAKMA1 3763994.pdf
IM241M6T2BAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM241M6T2BAKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 2 kV, DIP23, CIPOS Mikro
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mikro
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 4A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP23
Produktpalette: CIPOS IM241 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+795.78 грн
5+705.41 грн
10+615.03 грн
50+544.69 грн
100+436.08 грн
250+416.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 2643879.pdf
IPD95R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.44 грн
10+123.01 грн
100+85.35 грн
500+66.43 грн
1000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 INFN-S-A0004165860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R280CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.99 грн
10+92.05 грн
100+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 2643879.pdf
IPD95R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.35 грн
500+66.43 грн
1000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 INFN-S-A0004165860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R280CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3122MU12HXUMA1 3177208.pdf
1ED3122MU12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.85 грн
10+185.77 грн
25+178.23 грн
50+158.51 грн
100+139.86 грн
250+133.41 грн
500+119.78 грн
1000+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3123MU12HXUMA1 3177208.pdf
1ED3123MU12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.04 грн
10+217.56 грн
25+209.20 грн
50+186.48 грн
100+164.97 грн
250+155.64 грн
500+144.17 грн
1000+117.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3461MC12MXUMA1 INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED3461MC12MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+498.72 грн
10+405.84 грн
25+381.57 грн
50+331.01 грн
100+284.74 грн
250+269.68 грн
500+242.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3251MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3251MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.32 грн
250+106.87 грн
500+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MC12MXUMA1 INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED3491MC12MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.74 грн
10+437.64 грн
25+413.37 грн
50+361.31 грн
100+312.72 грн
250+296.94 грн
500+266.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3122MU12HXUMA1 3177208.pdf
1ED3122MU12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.86 грн
250+133.41 грн
500+119.78 грн
1000+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MC12MXUMA1 INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED3491MC12MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+437.64 грн
25+413.37 грн
50+361.31 грн
100+312.72 грн
250+296.94 грн
500+266.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3251MC12HXUMA1 3257198.pdf
1ED3251MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.05 грн
10+160.66 грн
25+147.27 грн
50+129.76 грн
100+113.32 грн
250+106.87 грн
500+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MU12MXUMA1 3177207.pdf
1ED3491MU12MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+418.39 грн
25+399.98 грн
50+354.32 грн
100+311.28 грн
250+308.41 грн
500+276.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 3177208.pdf
1ED3120MU12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.17 грн
250+134.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3491MU12MXUMA1 3177207.pdf
1ED3491MU12MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+541.40 грн
10+418.39 грн
25+399.98 грн
50+354.32 грн
100+311.28 грн
250+308.41 грн
500+276.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 3177208.pdf
1ED3120MU12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.08 грн
10+199.99 грн
25+189.11 грн
50+166.28 грн
100+144.17 грн
250+134.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3461MC12MXUMA1 INFN-S-A0011951799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED3461MC12MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+405.84 грн
25+381.57 грн
50+331.01 грн
100+284.74 грн
250+269.68 грн
500+242.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3123MU12HXUMA1 3177208.pdf
1ED3123MU12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.97 грн
250+155.64 грн
500+144.17 грн
1000+117.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 3932271.pdf
1ED3142MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.03 грн
10+93.72 грн
50+84.51 грн
100+69.85 грн
250+60.61 грн
500+58.31 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MU12FXUMA1 3932271.pdf
1ED3142MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.85 грн
250+60.61 грн
500+58.31 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41
IDK10G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+190.79 грн
500+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21534-24PVXI 1734566.pdf
CY8C21534-24PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21534-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 512Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x34
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
IRF100P218AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.03 грн
5+572.36 грн
10+570.69 грн
50+355.87 грн
100+289.77 грн
250+284.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 INFNS16979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.68 грн
500+33.96 грн
1000+27.76 грн
5000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 2830776.pdf
IMW120R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+455.21 грн
5+413.37 грн
10+370.69 грн
50+305.37 грн
100+278.29 грн
250+277.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R140M1HXKSA1 2830777.pdf
IMW120R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+537.21 грн
10+476.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167EV30LL-45BVXIT CYPR-S-A0000037706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62167EV30LL-45BVXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167EV30LL-45BVXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1030.91 грн
25+1017.53 грн
50+903.66 грн
100+730.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLD5045EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.82 грн
10+87.03 грн
50+78.66 грн
100+64.80 грн
250+56.30 грн
500+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 INFN-S-A0001299438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLD5045EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.80 грн
250+56.30 грн
500+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500551TMAATMA1 1651318.pdf
BTS500551TMAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500551TMAATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 130A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+610.85 грн
10+465.25 грн
25+443.49 грн
50+384.62 грн
100+329.21 грн
250+314.87 грн
500+286.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTT3018EJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc89f6a011a
BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTT3018EJ, Low-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTT3018EJ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTT3018EJ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2568.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.54 грн
500+71.49 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R007M1HXKSA1 3704044.pdf
IMW120R007M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5584.68 грн
5+4886.80 грн
10+4049.19 грн
50+3370.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 3795155.pdf
S78HS512TC0BHB013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1494.49 грн
10+1327.14 грн
25+1235.93 грн
50+1014.00 грн
100+911.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 3795155.pdf
S78HL512TC0BHB003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1278.60 грн
10+1185.72 грн
25+1148.06 грн
50+956.50 грн
100+861.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HL512TC0BHB003 3795155.pdf
S78HL512TC0BHB003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1278.60 грн
10+1185.72 грн
25+1148.06 грн
50+956.50 грн
100+861.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB013 3795155.pdf
S78HS512TC0BHB013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1563.94 грн
10+1456.00 грн
25+1404.96 грн
50+1237.00 грн
100+1078.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S78HS512TC0BHB010 3795155.pdf
S78HS512TC0BHB010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB010 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1334.67 грн
10+1235.93 грн
25+1197.43 грн
50+997.68 грн
100+897.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]