Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 366 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N08S405ATMA1 IPD90N08S405ATMA1 INFINEON 2849748.pdf Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.82 грн
500+72.32 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1 IPG20N04S412AATMA1 INFINEON INFNS28023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.28 грн
13+64.86 грн
100+48.40 грн
500+38.10 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 INFINEON 4129357.pdf Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+225.22 грн
500+168.07 грн
1000+154.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.21 грн
50+79.93 грн
100+60.11 грн
500+45.63 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.92 грн
13+65.03 грн
100+54.22 грн
500+44.95 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TT330N16KOFHPSA2 TT330N16KOFHPSA2 INFINEON INFN-S-A0002786423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT330N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 520A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14339.05 грн
5+14052.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N18KHPSA2 DD171N18KHPSA2 INFINEON Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fbb0e4d48 Description: INFINEON - DD171N18KHPSA2 - Diodenmodul, 1.6 kV, 171 A, 1.26 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 6.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.26V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 171A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DD171N Series
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11570.83 грн
5+10835.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT60N16SOFHPSA1 TT60N16SOFHPSA1 INFINEON Infineon-TT60N-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46148a8bbb90148d04a8e952e26 Description: INFINEON - TT60N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 90A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 55A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 90A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2426.70 грн
5+2167.07 грн
10+1906.63 грн
50+1529.37 грн
100+1383.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N16KHPSA1 DD89N16KHPSA1 INFINEON 2354713.pdf Description: INFINEON - DD89N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.8 kV, 89 A, 1.5 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.5V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 89A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8969.69 грн
5+8385.74 грн
10+7800.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFHPSA2 TT500N16KOFHPSA2 INFINEON INFN-S-A0002786931-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT500N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 900A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 900A
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20835.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT430N22KOFHPSA2 TT430N22KOFHPSA2 INFINEON INFNS30424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT430N22KOFHPSA2 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 800A, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 430A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18617.51 грн
5+18244.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD360N22KHPSA1 DD360N22KHPSA1 INFINEON Infineon-DD360N22K-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d301465bd363e470f5 Description: INFINEON - DD360N22KHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 360 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 13kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 360A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14674.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD180N16KOFHPSA2 TD180N16KOFHPSA2 INFINEON 3512205.pdf Description: INFINEON - TD180N16KOFHPSA2 - Thyristor-Diodenmodul, ein Reihe geschaltet - SCR / Diode, 1.6kV, 4.8kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 180A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 285A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TT180N
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8244.87 грн
5+8080.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT820N16KOFHPSA1 TT820N16KOFHPSA1 INFINEON Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3 Description: INFINEON - TT820N16KOFHPSA1 - SCR-THYRISTOR, 1.6KV, 820A
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 820A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16610.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT390N18SOFHPSA1 TT390N18SOFHPSA1 INFINEON Infineon-TT390N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf Description: INFINEON - TT390N18SOFHPSA1 - SCR-THYRISTOR, 1.8KV, 380A
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 380A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8031.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT800N18P55XPSA1 STT800N18P55XPSA1 INFINEON 3097861.pdf Description: INFINEON - STT800N18P55XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, in Reihe geschaltet - SCR, 1.8kV, 6.3kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: -
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17262.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT1900N18P55XPSA1 STT1900N18P55XPSA1 INFINEON 3097859.pdf Description: INFINEON - STT1900N18P55XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, in Reihe geschaltet, SCR, 1.8kV, 17kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: -
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26462.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD170N36KHPSA1 DD170N36KHPSA1 INFINEON Infineon-DD170N36K-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cddffdc17df0 Description: INFINEON - DD170N36KHPSA1 - Diodenmodul, 3.6 kV, 170 A, 1.82 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.3kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Schraubmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.82V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 170A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15811.61 грн
5+14332.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1 IPB011N04NF2SATMA1 INFINEON 3920474.pdf Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1 IPB011N04NF2SATMA1 INFINEON 3920474.pdf Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.12 грн
10+200.66 грн
100+150.70 грн
500+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+463.55 грн
50+374.17 грн
100+292.73 грн
250+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LQI-S433 CY8C4125LQI-S433 INFINEON 3980998.pdf Description: INFINEON - CY8C4125LQI-S433 - MCU, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24MHz, 4kB RAM / 32kB Programmspeicher, 1.71V bis 5.5Vin, QFN-EP-40
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, IrDA, SPI, SSP, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.86 грн
10+171.99 грн
25+157.25 грн
50+134.61 грн
100+112.32 грн
250+110.21 грн
500+108.81 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AZI-483 CY8C4245AZI-483 INFINEON Infineon-PSOC_4_PSOC_4200_FAMILY_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec80ee2400e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C4245AZI-483 - MCU, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48MHz, 4kB RAM / 32kB Programmspeicher, 1.71V bis 5.5Vin, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, IrDA, SPI, SSP, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.32 грн
10+185.91 грн
25+174.45 грн
50+156.66 грн
100+139.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126AXI-S433 CY8C4126AXI-S433 INFINEON 3980998.pdf Description: INFINEON - CY8C4126AXI-S433 - MCU, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24MHz, 8kB RAM / 64kB Programmspeicher, 1.71V bis 5.5Vin, TQFP-44
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, IrDA, SPI, SSP, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.98 грн
10+194.92 грн
25+180.18 грн
50+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1 IPB012N04NF2SATMA1 INFINEON 3920475.pdf Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.14 грн
500+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1 IPB012N04NF2SATMA1 INFINEON 3920475.pdf Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.98 грн
10+183.46 грн
100+135.14 грн
500+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA2 TC297TX128F300NBCKXUMA2 INFINEON Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Description: INFINEON - TC297TX128F300NBCKXUMA2 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 84Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 1.17V
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 2.7MB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.43V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4443.89 грн
5+3999.18 грн
10+3306.30 грн
25+2908.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA2 TC297TX128F300NBCKXUMA2 INFINEON Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Description: INFINEON - TC297TX128F300NBCKXUMA2 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.43V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 8MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2.7MB
ADC-Kanäle: 84Kanäle
MSL: -
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC2xx
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
Bausteinkern: TriCore
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Bauform - MCU: LFBGA
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.17V
CPU-Geschwindigkeit: 300MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
Anzahl der Bits: 32bit
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
isCanonical: N
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3306.30 грн
25+2908.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 INFINEON Infineon-FP100R12KT4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30431689f4420116cd50f28d0a58 Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14977.87 грн
5+13105.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T4BOMA1 FS25R12W1T4BOMA1 INFINEON Infineon-FS25R12W1T4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043139a1bac0113b4c47b490549 Description: INFINEON - FS25R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.85 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2686.32 грн
5+2248.97 грн
10+1810.81 грн
50+1648.00 грн
100+1490.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KE4HOSA1 FZ900R12KE4HOSA1 INFINEON Infineon-FZ900R12KE4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7c00c74594e Description: INFINEON - FZ900R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 4.3kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.3kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12311.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R17ME4BOSA1 FF450R17ME4BOSA1 INFINEON Infineon-FF450R17ME4-DS-v02_05-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d70f86f916ee9 Description: INFINEON - FF450R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 2.5kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13344.79 грн
5+12751.01 грн
10+12156.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHXUMA1 TLE75602ESHXUMA1 INFINEON INFN-S-A0004163168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE75602ESHXUMA1 - Relaistreiber, AEC-Q100, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, PG-TSDSO-24, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.35 грн
10+126.13 грн
50+113.02 грн
100+87.46 грн
250+76.52 грн
500+73.71 грн
1000+69.78 грн
2500+68.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06W1E3B11BOMA1 FP30R06W1E3B11BOMA1 INFINEON Infineon-FP30R06W1E3_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0c5c0515dc5 Infineon-FP30R06W1E3_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0c5c0515dc5 Description: INFINEON - FP30R06W1E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 37 A, 1.55 V, 115 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 37A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2294.02 грн
5+2167.89 грн
10+2040.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N2T7BPSA2 FP100R12N2T7BPSA2 INFINEON 3437272.pdf Description: INFINEON - FP100R12N2T7BPSA2 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 100 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14661.74 грн
5+13976.23 грн
10+13289.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM22LD16-55-BG FM22LD16-55-BG INFINEON CYPR-S-A0011166978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM22LD16-55-BG - FRAM, 4MB (256K x 16), parallel, 55ns Zugriffszeit, 2.7V bis 3.6V Versorgungsspannung, FBGA-48
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP08E65D2XKSA1 IDP08E65D2XKSA1 INFINEON INFNS30167-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDP08E65D2XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.6 V, 30 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.83 грн
10+110.56 грн
100+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.26 грн
500+16.50 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.33 грн
23+35.71 грн
100+23.26 грн
500+16.50 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 INFINEON INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.58 грн
10+170.35 грн
100+126.13 грн
500+98.10 грн
1000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 INFINEON INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.13 грн
500+98.10 грн
1000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327HTSA1 INFINEON INFNS10745-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAV199E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 1.5 µs, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 1.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV199 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL INFINEON INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 523A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.10 грн
10+419.33 грн
100+339.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL INFINEON INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 523A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+419.33 грн
100+339.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1 IMT65R030M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b382d71be Description: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+634.72 грн
50+542.24 грн
100+380.48 грн
250+372.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1 IMT65R072M1HXUMA1 INFINEON 3974515.pdf Description: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+404.59 грн
100+298.12 грн
500+276.06 грн
1000+249.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1 IMT65R072M1HXUMA1 INFINEON 3974515.pdf Description: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.38 грн
10+404.59 грн
100+298.12 грн
500+276.06 грн
1000+249.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AXI-473 CY8C4245AXI-473 INFINEON Infineon-PSOC_4_PSOC_4200_FAMILY_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec80ee2400e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C4245AXI-473 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-44
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 32KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4200
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.60 грн
10+248.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LQI-483T CY8C4245LQI-483T INFINEON 3797025.pdf Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.15 грн
10+268.63 грн
25+256.35 грн
50+226.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LQI-483T CY8C4245LQI-483T INFINEON 3797025.pdf Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.15 грн
10+268.63 грн
25+256.35 грн
50+226.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.61 грн
14+60.28 грн
100+56.02 грн
500+49.28 грн
1000+45.00 грн
5000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.02 грн
500+49.28 грн
1000+45.00 грн
5000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PJXUMA1 2EDL05N06PJXUMA1 INFINEON 2334683.pdf Description: INFINEON - 2EDL05N06PJXUMA1 - MOSFET-Treiber, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 500mA Ausgangsspannung, DSO-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 2EDL05
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 310ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.95 грн
250+50.33 грн
500+48.37 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+375.10 грн
100+274.36 грн
500+213.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 AIMBG75R140M1HXTMA1 INFINEON 4015360.pdf Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+198.20 грн
500+166.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 AIMBG75R140M1HXTMA1 INFINEON 4015360.pdf Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.54 грн
10+270.27 грн
100+194.92 грн
500+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.24 грн
10+375.10 грн
100+274.36 грн
500+213.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.80 грн
50+66.18 грн
250+59.38 грн
1000+54.38 грн
3000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.18 грн
250+59.38 грн
1000+54.38 грн
3000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP236N6165XTMA1 KP236N6165XTMA1 INFINEON 1835880.pdf Description: INFINEON - KP236N6165XTMA1 - Drucksensor, Luftdruck, analog, Absolutdruck, 60 kPa, 165 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOP
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 43.8mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 165kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOP
Bauform - Sensor: SOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 60kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.96 грн
10+296.48 грн
25+285.01 грн
50+259.33 грн
100+230.26 грн
250+226.75 грн
500+223.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 2849748.pdf
IPD90N08S405ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.82 грн
500+72.32 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1 INFNS28023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S412AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.28 грн
13+64.86 грн
100+48.40 грн
500+38.10 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 4129357.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+225.22 грн
500+168.07 грн
1000+154.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.21 грн
50+79.93 грн
100+60.11 грн
500+45.63 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.92 грн
13+65.03 грн
100+54.22 грн
500+44.95 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TT330N16KOFHPSA2 INFN-S-A0002786423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT330N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT330N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 520A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14339.05 грн
5+14052.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N18KHPSA2 Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fbb0e4d48
DD171N18KHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD171N18KHPSA2 - Diodenmodul, 1.6 kV, 171 A, 1.26 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 6.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.26V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 171A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DD171N Series
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11570.83 грн
5+10835.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT60N16SOFHPSA1 Infineon-TT60N-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46148a8bbb90148d04a8e952e26
TT60N16SOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT60N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 90A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 55A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 90A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2426.70 грн
5+2167.07 грн
10+1906.63 грн
50+1529.37 грн
100+1383.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N16KHPSA1 2354713.pdf
DD89N16KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD89N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.8 kV, 89 A, 1.5 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.5V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 89A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8969.69 грн
5+8385.74 грн
10+7800.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFHPSA2 INFN-S-A0002786931-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT500N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT500N16KOFHPSA2 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 900A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 900A
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20835.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT430N22KOFHPSA2 INFNS30424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT430N22KOFHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT430N22KOFHPSA2 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 800A, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 430A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18617.51 грн
5+18244.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD360N22KHPSA1 Infineon-DD360N22K-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d301465bd363e470f5
DD360N22KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD360N22KHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 360 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 13kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 360A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14674.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD180N16KOFHPSA2 3512205.pdf
TD180N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TD180N16KOFHPSA2 - Thyristor-Diodenmodul, ein Reihe geschaltet - SCR / Diode, 1.6kV, 4.8kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 180A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 285A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TT180N
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8244.87 грн
5+8080.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT820N16KOFHPSA1 Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3
TT820N16KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT820N16KOFHPSA1 - SCR-THYRISTOR, 1.6KV, 820A
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 820A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16610.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT390N18SOFHPSA1 Infineon-TT390N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf
TT390N18SOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT390N18SOFHPSA1 - SCR-THYRISTOR, 1.8KV, 380A
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 380A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8031.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT800N18P55XPSA1 3097861.pdf
STT800N18P55XPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - STT800N18P55XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, in Reihe geschaltet - SCR, 1.8kV, 6.3kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: -
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17262.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT1900N18P55XPSA1 3097859.pdf
STT1900N18P55XPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - STT1900N18P55XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, in Reihe geschaltet, SCR, 1.8kV, 17kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: -
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26462.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD170N36KHPSA1 Infineon-DD170N36K-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cddffdc17df0
DD170N36KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD170N36KHPSA1 - Diodenmodul, 3.6 kV, 170 A, 1.82 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.3kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Schraubmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.82V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 170A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15811.61 грн
5+14332.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1 3920474.pdf
IPB011N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NF2SATMA1 3920474.pdf
IPB011N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.12 грн
10+200.66 грн
100+150.70 грн
500+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
IPB60R040CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+463.55 грн
50+374.17 грн
100+292.73 грн
250+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LQI-S433 3980998.pdf
CY8C4125LQI-S433
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4125LQI-S433 - MCU, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24MHz, 4kB RAM / 32kB Programmspeicher, 1.71V bis 5.5Vin, QFN-EP-40
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, IrDA, SPI, SSP, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.86 грн
10+171.99 грн
25+157.25 грн
50+134.61 грн
100+112.32 грн
250+110.21 грн
500+108.81 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AZI-483 Infineon-PSOC_4_PSOC_4200_FAMILY_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec80ee2400e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4245AZI-483
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245AZI-483 - MCU, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48MHz, 4kB RAM / 32kB Programmspeicher, 1.71V bis 5.5Vin, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, IrDA, SPI, SSP, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.32 грн
10+185.91 грн
25+174.45 грн
50+156.66 грн
100+139.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126AXI-S433 3980998.pdf
CY8C4126AXI-S433
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4126AXI-S433 - MCU, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24MHz, 8kB RAM / 64kB Programmspeicher, 1.71V bis 5.5Vin, TQFP-44
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, IrDA, SPI, SSP, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.98 грн
10+194.92 грн
25+180.18 грн
50+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1 3920475.pdf
IPB012N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.14 грн
500+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB012N04NF2SATMA1 3920475.pdf
IPB012N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.98 грн
10+183.46 грн
100+135.14 грн
500+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA2 Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
TC297TX128F300NBCKXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC297TX128F300NBCKXUMA2 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 84Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 1.17V
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 2.7MB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.43V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4443.89 грн
5+3999.18 грн
10+3306.30 грн
25+2908.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA2 Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
TC297TX128F300NBCKXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC297TX128F300NBCKXUMA2 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.43V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 8MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2.7MB
ADC-Kanäle: 84Kanäle
MSL: -
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC2xx
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
Bausteinkern: TriCore
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Bauform - MCU: LFBGA
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.17V
CPU-Geschwindigkeit: 300MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
Anzahl der Bits: 32bit
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
isCanonical: N
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3306.30 грн
25+2908.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 Infineon-FP100R12KT4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30431689f4420116cd50f28d0a58
FP100R12KT4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14977.87 грн
5+13105.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T4BOMA1 Infineon-FS25R12W1T4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043139a1bac0113b4c47b490549
FS25R12W1T4BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS25R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.85 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2686.32 грн
5+2248.97 грн
10+1810.81 грн
50+1648.00 грн
100+1490.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KE4HOSA1 Infineon-FZ900R12KE4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7c00c74594e
FZ900R12KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ900R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 4.3kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.3kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12311.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R17ME4BOSA1 Infineon-FF450R17ME4-DS-v02_05-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d70f86f916ee9
FF450R17ME4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 2.5kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13344.79 грн
5+12751.01 грн
10+12156.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHXUMA1 INFN-S-A0004163168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE75602ESHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75602ESHXUMA1 - Relaistreiber, AEC-Q100, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, PG-TSDSO-24, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.35 грн
10+126.13 грн
50+113.02 грн
100+87.46 грн
250+76.52 грн
500+73.71 грн
1000+69.78 грн
2500+68.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06W1E3B11BOMA1 Infineon-FP30R06W1E3_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0c5c0515dc5 Infineon-FP30R06W1E3_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0c5c0515dc5
FP30R06W1E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP30R06W1E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 37 A, 1.55 V, 115 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 37A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2294.02 грн
5+2167.89 грн
10+2040.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N2T7BPSA2 3437272.pdf
FP100R12N2T7BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N2T7BPSA2 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 100 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14661.74 грн
5+13976.23 грн
10+13289.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM22LD16-55-BG CYPR-S-A0011166978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM22LD16-55-BG
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM22LD16-55-BG - FRAM, 4MB (256K x 16), parallel, 55ns Zugriffszeit, 2.7V bis 3.6V Versorgungsspannung, FBGA-48
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP08E65D2XKSA1 INFNS30167-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDP08E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDP08E65D2XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.6 V, 30 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.83 грн
10+110.56 грн
100+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
IPN60R2K1CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.26 грн
500+16.50 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
IPN60R2K1CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.33 грн
23+35.71 грн
100+23.26 грн
500+16.50 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.58 грн
10+170.35 грн
100+126.13 грн
500+98.10 грн
1000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2 INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.13 грн
500+98.10 грн
1000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 INFNS10745-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAV199E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAV199E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 1.5 µs, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 1.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV199 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFSA8409-7TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 523A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+556.10 грн
10+419.33 грн
100+339.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFSA8409-7TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 523A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+419.33 грн
100+339.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1 Infineon-IMT65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b382d71be
IMT65R030M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+634.72 грн
50+542.24 грн
100+380.48 грн
250+372.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1 3974515.pdf
IMT65R072M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+404.59 грн
100+298.12 грн
500+276.06 грн
1000+249.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1 3974515.pdf
IMT65R072M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+559.38 грн
10+404.59 грн
100+298.12 грн
500+276.06 грн
1000+249.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AXI-473 Infineon-PSOC_4_PSOC_4200_FAMILY_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec80ee2400e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4245AXI-473
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245AXI-473 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-44
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 32KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4200
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.60 грн
10+248.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LQI-483T 3797025.pdf
CY8C4245LQI-483T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.15 грн
10+268.63 грн
25+256.35 грн
50+226.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LQI-483T 3797025.pdf
CY8C4245LQI-483T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.15 грн
10+268.63 грн
25+256.35 грн
50+226.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.61 грн
14+60.28 грн
100+56.02 грн
500+49.28 грн
1000+45.00 грн
5000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 2354550.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.02 грн
500+49.28 грн
1000+45.00 грн
5000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PJXUMA1 2334683.pdf
2EDL05N06PJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDL05N06PJXUMA1 - MOSFET-Treiber, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 500mA Ausgangsspannung, DSO-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 2EDL05
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 310ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.95 грн
250+50.33 грн
500+48.37 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f
AIMDQ75R140M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+375.10 грн
100+274.36 грн
500+213.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 4015360.pdf
AIMBG75R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+198.20 грн
500+166.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 4015360.pdf
AIMBG75R140M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.54 грн
10+270.27 грн
100+194.92 грн
500+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f
AIMDQ75R140M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+510.24 грн
10+375.10 грн
100+274.36 грн
500+213.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.80 грн
50+66.18 грн
250+59.38 грн
1000+54.38 грн
3000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.18 грн
250+59.38 грн
1000+54.38 грн
3000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP236N6165XTMA1 1835880.pdf
KP236N6165XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP236N6165XTMA1 - Drucksensor, Luftdruck, analog, Absolutdruck, 60 kPa, 165 kPa, 4.5 V, 5.5 V, SOP
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 43.8mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 165kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOP
Bauform - Sensor: SOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 60kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.96 грн
10+296.48 грн
25+285.01 грн
50+259.33 грн
100+230.26 грн
250+226.75 грн
500+223.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]