Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 359 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFR540ZTRL AUIRFR540ZTRL INFINEON INFN-S-A0003614979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.23 грн
500+96.96 грн
1000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR540ZTRL AUIRFR540ZTRL INFINEON INFN-S-A0003614979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.42 грн
10+171.61 грн
100+122.23 грн
500+96.96 грн
1000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR AUIRFN8459TR INFINEON auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444 Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.66 грн
50+127.90 грн
250+122.23 грн
1000+100.72 грн
2000+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7P INFINEON IRSDS18595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.61 грн
5+752.00 грн
10+563.40 грн
50+481.06 грн
100+435.04 грн
250+426.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON INFN-S-A0008053310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR024N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.47 грн
10+119.80 грн
100+85.80 грн
500+61.49 грн
1000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8403TRL AUIRFR8403TRL INFINEON 3723073.pdf Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 99W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.71 грн
500+90.95 грн
1000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8403TRL AUIRFR8403TRL INFINEON 3723073.pdf Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.32 грн
10+145.71 грн
100+111.71 грн
500+90.95 грн
1000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324WL AUIRF1324WL INFINEON auirf1324wl.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8c07c1370 Description: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 1300 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+747.96 грн
5+696.96 грн
10+645.15 грн
50+550.96 грн
100+423.93 грн
250+415.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON 2332215.pdf Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0027 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON 2332215.pdf Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0027 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.08 грн
10+232.32 грн
100+166.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404Z AUIRF1404Z INFINEON 2332215.pdf Description: INFINEON - AUIRF1404Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.15 грн
5+543.16 грн
10+457.35 грн
50+390.86 грн
100+299.74 грн
250+293.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL INFINEON auirfs3107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b660f414b2 Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.16 грн
5+455.74 грн
10+385.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 AUIRF3205 INFINEON IRSDS13098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF3205 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.28 грн
10+106.85 грн
100+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL INFINEON 2354669.pdf Description: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.35 грн
10+386.12 грн
50+358.60 грн
100+306.68 грн
250+278.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL INFINEON auirfs3107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b660f414b2 Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON INFN-S-A0002298909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7342QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.71 грн
250+124.66 грн
1000+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404 AUIRF1404 INFINEON INFN-S-A0008053277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF1404 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.97 грн
5+463.02 грн
10+450.88 грн
50+406.65 грн
100+367.73 грн
250+360.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL INFINEON INFN-S-A0002298902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL INFINEON 2354669.pdf Description: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+386.12 грн
50+358.60 грн
100+306.68 грн
250+278.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL AUIRF6215STRL INFINEON 2849728.pdf Description: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL AUIRF6215STRL INFINEON 2849728.pdf Description: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1 IPLK70R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPLK70R750P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671988874c6b76 Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.02 грн
500+28.64 грн
1000+23.80 грн
5000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1 IPLK70R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPLK70R750P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671988874c6b76 Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.90 грн
14+58.85 грн
100+39.02 грн
500+28.64 грн
1000+23.80 грн
5000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1 IAUAN04S7N008AUMA1 INFINEON 4256787.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+112.52 грн
500+93.21 грн
1000+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218 Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.90 грн
500+126.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 IAUAN04S7N005AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N005-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f19068b361215 Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.61 грн
500+109.74 грн
1000+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1 IAUAN04S7N007AUMA1 INFINEON 4256786.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.14 грн
500+90.95 грн
1000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFN010 S25FL064LABMFN010 INFINEON CYPR-S-A0002840219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFN010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.04 грн
10+94.71 грн
50+93.90 грн
100+85.69 грн
250+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM040 S25FL064LABNFM040 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFM040 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, USON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: USON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI000 S25FL064LABMFI000 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.99 грн
10+95.52 грн
50+90.66 грн
100+73.96 грн
250+67.02 грн
500+65.78 грн
1000+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S71KS512SC0BHV000 S71KS512SC0BHV000 INFINEON CYPR-S-A0003035488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S71KS512SC0BHV000 - MCP, DDR, 8BIT, 166MHZ, 1.7V, FBGA-24
tariffCode: 85412900
DRAM-Ausführung: DDR
IC-Funktion: HyperBus MCP-Speicher
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
DRAM-Dichte: 64Mbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
MCP-Ausführung: NOR-basiertes MCP
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 1.7V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
IC-Bauform: FBGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
NAND- / NOR-Dichte: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Breite des sekundären Busses: 8 Bit
Datenbusbreite: 8 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1287.88 грн
10+1239.31 грн
25+1215.02 грн
50+1107.94 грн
100+1009.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC110N12NM6ATMA1 ISC110N12NM6ATMA1 INFINEON 4159884.pdf Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.47 грн
10+94.71 грн
100+64.68 грн
500+47.66 грн
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 INFINEON 4127747.pdf Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.88 грн
10+230.70 грн
100+163.51 грн
500+135.30 грн
1000+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 ISC032N12LM6ATMA1 INFINEON 4159882.pdf Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 3200 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.03 грн
10+228.27 грн
100+162.70 грн
500+125.53 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 INFINEON 4127746.pdf Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 1550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.54 грн
10+312.46 грн
100+221.80 грн
500+180.40 грн
1000+165.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 ISC078N12NM6ATMA1 INFINEON Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7 Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.57 грн
500+71.26 грн
1000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 INFINEON 4098639.pdf Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.18 грн
500+78.17 грн
1000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC750P10LMATMA1 ISC750P10LMATMA1 INFINEON 4098642.pdf Description: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.27 грн
10+139.23 грн
100+100.38 грн
500+77.42 грн
1000+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1 INFINEON 4148568.pdf Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.36 грн
10+293.84 грн
100+211.27 грн
500+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LMATMA1 INFINEON 4098641.pdf Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.04 грн
10+139.23 грн
100+98.76 грн
500+75.17 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC130N20NM6ATMA1 ISC130N20NM6ATMA1 INFINEON 4159486.pdf Description: INFINEON - ISC130N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0117 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+327.03 грн
100+237.18 грн
500+187.91 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC16DP15LMATMA1 ISC16DP15LMATMA1 INFINEON 4162916.pdf Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 INFINEON 4098643.pdf Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.56 грн
11+78.03 грн
100+55.61 грн
500+44.80 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LMATMA1 INFINEON 4098641.pdf Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.76 грн
500+75.17 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC110N12NM6ATMA1 ISC110N12NM6ATMA1 INFINEON 4159884.pdf Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.68 грн
500+47.66 грн
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1 ISC320N12LM6ATMA1 INFINEON 4159885.pdf Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.76 грн
500+26.08 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 INFINEON 4334674.pdf Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+207.23 грн
250+201.56 грн
1000+181.15 грн
3000+162.36 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 ISC032N12LM6ATMA1 INFINEON 4159882.pdf Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 3200 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.70 грн
500+125.53 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC130N20NM6ATMA1 ISC130N20NM6ATMA1 INFINEON 4159486.pdf Description: INFINEON - ISC130N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0117 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.49 грн
10+327.03 грн
100+237.18 грн
500+187.91 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1 ISC320N12LM6ATMA1 INFINEON 4159885.pdf Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.33 грн
19+44.93 грн
100+33.76 грн
500+26.08 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 INFINEON 4098640.pdf Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.94 грн
10+115.76 грн
100+85.80 грн
500+64.64 грн
1000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1 INFINEON 4098638.pdf Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 3700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.36 грн
10+223.42 грн
100+159.47 грн
500+136.05 грн
1000+122.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC035N10NM5LF2ATMA1 ISC035N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.03 грн
10+247.70 грн
100+176.47 грн
500+145.07 грн
1000+131.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 INFINEON 4098639.pdf Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.89 грн
10+140.04 грн
100+101.18 грн
500+78.17 грн
1000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 INFINEON 4098643.pdf Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.61 грн
500+44.80 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 ISC078N12NM6ATMA1 INFINEON Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7 Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.18 грн
10+142.47 грн
100+99.57 грн
500+71.26 грн
1000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 INFINEON 4098640.pdf Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.80 грн
500+64.64 грн
1000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1 INFINEON 4148568.pdf Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.27 грн
500+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC16DP15LMATMA1 ISC16DP15LMATMA1 INFINEON 4162916.pdf Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.27 грн
10+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 INFINEON 4127747.pdf Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.51 грн
500+135.30 грн
1000+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR540ZTRL INFN-S-A0003614979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR540ZTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.23 грн
500+96.96 грн
1000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR540ZTRL INFN-S-A0003614979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR540ZTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.42 грн
10+171.61 грн
100+122.23 грн
500+96.96 грн
1000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444
AUIRFN8459TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.66 грн
50+127.90 грн
250+122.23 грн
1000+100.72 грн
2000+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7P IRSDS18595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFS8409-7P
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+940.61 грн
5+752.00 грн
10+563.40 грн
50+481.06 грн
100+435.04 грн
250+426.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024N INFN-S-A0008053310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR024N
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR024N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.47 грн
10+119.80 грн
100+85.80 грн
500+61.49 грн
1000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8403TRL 3723073.pdf
AUIRFR8403TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 99W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.71 грн
500+90.95 грн
1000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8403TRL 3723073.pdf
AUIRFR8403TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.32 грн
10+145.71 грн
100+111.71 грн
500+90.95 грн
1000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324WL auirf1324wl.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8c07c1370
AUIRF1324WL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 1300 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+747.96 грн
5+696.96 грн
10+645.15 грн
50+550.96 грн
100+423.93 грн
250+415.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL 2332215.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0027 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL 2332215.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0027 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+348.08 грн
10+232.32 грн
100+166.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404Z 2332215.pdf
AUIRF1404Z
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF1404Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+628.15 грн
5+543.16 грн
10+457.35 грн
50+390.86 грн
100+299.74 грн
250+293.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3107TRL auirfs3107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b660f414b2
AUIRFS3107TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+526.16 грн
5+455.74 грн
10+385.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 IRSDS13098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF3205
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF3205 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.28 грн
10+106.85 грн
100+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL 2354669.pdf
AUIRF5210STRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+508.35 грн
10+386.12 грн
50+358.60 грн
100+306.68 грн
250+278.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS3107TRL auirfs3107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b660f414b2
AUIRFS3107TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR INFN-S-A0002298909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7342QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7342QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.71 грн
250+124.66 грн
1000+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404 INFN-S-A0008053277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF1404
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF1404 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+475.97 грн
5+463.02 грн
10+450.88 грн
50+406.65 грн
100+367.73 грн
250+360.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5410TRL INFN-S-A0002298902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5410TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL 2354669.pdf
AUIRF5210STRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+386.12 грн
50+358.60 грн
100+306.68 грн
250+278.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL 2849728.pdf
AUIRF6215STRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+348.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRL 2849728.pdf
AUIRF6215STRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1 Infineon-IPLK70R750P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671988874c6b76
IPLK70R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.02 грн
500+28.64 грн
1000+23.80 грн
5000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1 Infineon-IPLK70R750P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671988874c6b76
IPLK70R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.90 грн
14+58.85 грн
100+39.02 грн
500+28.64 грн
1000+23.80 грн
5000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1 4256787.pdf
IAUAN04S7N008AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+112.52 грн
500+93.21 грн
1000+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218
IAUAN04S7N006AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.90 грн
500+126.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N005-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f19068b361215
IAUAN04S7N005AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.61 грн
500+109.74 грн
1000+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1 4256786.pdf
IAUAN04S7N007AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.14 грн
500+90.95 грн
1000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFN010 CYPR-S-A0002840219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFN010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFN010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.04 грн
10+94.71 грн
50+93.90 грн
100+85.69 грн
250+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM040 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABNFM040
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFM040 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, USON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: USON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI000 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFI000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.99 грн
10+95.52 грн
50+90.66 грн
100+73.96 грн
250+67.02 грн
500+65.78 грн
1000+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S71KS512SC0BHV000 CYPR-S-A0003035488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S71KS512SC0BHV000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S71KS512SC0BHV000 - MCP, DDR, 8BIT, 166MHZ, 1.7V, FBGA-24
tariffCode: 85412900
DRAM-Ausführung: DDR
IC-Funktion: HyperBus MCP-Speicher
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
DRAM-Dichte: 64Mbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
MCP-Ausführung: NOR-basiertes MCP
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 1.7V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
IC-Bauform: FBGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
NAND- / NOR-Dichte: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Breite des sekundären Busses: 8 Bit
Datenbusbreite: 8 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1287.88 грн
10+1239.31 грн
25+1215.02 грн
50+1107.94 грн
100+1009.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC110N12NM6ATMA1 4159884.pdf
ISC110N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.47 грн
10+94.71 грн
100+64.68 грн
500+47.66 грн
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 4127747.pdf
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+348.88 грн
10+230.70 грн
100+163.51 грн
500+135.30 грн
1000+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 4159882.pdf
ISC032N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 3200 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.03 грн
10+228.27 грн
100+162.70 грн
500+125.53 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1 4127746.pdf
ISC015N06NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 1550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+473.54 грн
10+312.46 грн
100+221.80 грн
500+180.40 грн
1000+165.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7
ISC078N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.57 грн
500+71.26 грн
1000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 4098639.pdf
ISC073N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.18 грн
500+78.17 грн
1000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC750P10LMATMA1 4098642.pdf
ISC750P10LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.27 грн
10+139.23 грн
100+100.38 грн
500+77.42 грн
1000+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 4148568.pdf
ISC151N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.36 грн
10+293.84 грн
100+211.27 грн
500+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1 4098641.pdf
ISC240P06LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+208.04 грн
10+139.23 грн
100+98.76 грн
500+75.17 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC130N20NM6ATMA1 4159486.pdf
ISC130N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC130N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0117 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+327.03 грн
100+237.18 грн
500+187.91 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC16DP15LMATMA1 4162916.pdf
ISC16DP15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 4098643.pdf
ISC800P06LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.56 грн
11+78.03 грн
100+55.61 грн
500+44.80 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1 4098641.pdf
ISC240P06LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.76 грн
500+75.17 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC110N12NM6ATMA1 4159884.pdf
ISC110N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.68 грн
500+47.66 грн
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1 4159885.pdf
ISC320N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.76 грн
500+26.08 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1 4334674.pdf
ISC046N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+207.23 грн
250+201.56 грн
1000+181.15 грн
3000+162.36 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 4159882.pdf
ISC032N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 3200 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+162.70 грн
500+125.53 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC130N20NM6ATMA1 4159486.pdf
ISC130N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC130N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0117 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.49 грн
10+327.03 грн
100+237.18 грн
500+187.91 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1 4159885.pdf
ISC320N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+62.33 грн
19+44.93 грн
100+33.76 грн
500+26.08 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 4098640.pdf
ISC104N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.94 грн
10+115.76 грн
100+85.80 грн
500+64.64 грн
1000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N12NM6ATMA1 4098638.pdf
ISC037N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 3700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+338.36 грн
10+223.42 грн
100+159.47 грн
500+136.05 грн
1000+122.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC035N10NM5LF2ATMA1 Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef
ISC035N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.03 грн
10+247.70 грн
100+176.47 грн
500+145.07 грн
1000+131.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 4098639.pdf
ISC073N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.89 грн
10+140.04 грн
100+101.18 грн
500+78.17 грн
1000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 4098643.pdf
ISC800P06LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.61 грн
500+44.80 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7
ISC078N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.18 грн
10+142.47 грн
100+99.57 грн
500+71.26 грн
1000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 4098640.pdf
ISC104N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.80 грн
500+64.64 грн
1000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 4148568.pdf
ISC151N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+211.27 грн
500+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC16DP15LMATMA1 4162916.pdf
ISC16DP15LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.27 грн
10+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 4127747.pdf
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+163.51 грн
500+135.30 грн
1000+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]