Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25138) > Сторінка 359 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
REFICC80QSG84W1BPATOBO1 REFICC80QSG84W1BPATOBO1 INFINEON Infineon-Reference_design_REF_ICC80QSG_84W1_BPA-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180e09fd7c9720a Description: INFINEON - REFICC80QSG84W1BPATOBO1 - Referenzdesign-Kit, ICC80QSGXUMA1, Laderegler, Power-Management - Akku
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
rohsCompliant: Y-EX
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICC80QSGXUMA1, MOSFET IPN70R450P7S
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Laderegler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICC80QSGXUMA1
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6116.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM005TOBO1 KITLGPWRBOM005TOBO1 INFINEON 3763577.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM005TOBO1 - Demoboard, IPT007N06N, Power-Management, LVDS-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT007N06N
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IPT007N06N
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: LVDS-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3723.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF INFINEON IRSDS06973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.65 грн
250+39.91 грн
1000+28.59 грн
2000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 S80KS2563GABHA020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.23 грн
10+439.31 грн
25+421.74 грн
50+370.63 грн
100+337.10 грн
250+330.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHM020 S80KS2563GABHM020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.58 грн
10+426.76 грн
25+422.57 грн
50+353.54 грн
100+320.61 грн
250+319.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHB020 S80KS2563GABHB020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.70 грн
10+1105.39 грн
25+915.44 грн
50+762.25 грн
100+649.82 грн
200+606.07 грн
500+573.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 S80KS2563GABHI020 INFINEON CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.50 грн
10+427.60 грн
25+425.09 грн
50+391.61 грн
100+359.34 грн
250+357.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHV020 S80KS2563GABHV020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.35 грн
10+418.39 грн
25+391.61 грн
50+361.31 грн
100+331.37 грн
250+325.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.46 грн
141+5.94 грн
500+4.74 грн
1000+3.66 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+17.24 грн
73+11.46 грн
141+5.94 грн
500+4.74 грн
1000+3.66 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.68 грн
1000+5.16 грн
5000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.73 грн
50+157.31 грн
250+117.15 грн
1000+88.58 грн
3000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.11 грн
27+31.30 грн
50+26.36 грн
200+19.81 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.36 грн
200+19.81 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-030 CY8C3866LTI-030 INFINEON Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C3866LTI-030 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers, 8051, 67 MHz, 64 KB, 68 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C38xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1165.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.67 грн
13+68.11 грн
100+43.51 грн
500+33.72 грн
1000+24.10 грн
5000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 INFINEON BSZ0904NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2a1ec7d90032 Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.51 грн
50+46.61 грн
250+40.33 грн
1000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.51 грн
500+33.72 грн
1000+24.10 грн
5000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0506NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cfbae64b902a3 Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.90 грн
50+43.09 грн
250+38.58 грн
1000+29.99 грн
3000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0506NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cfbae64b902a3 Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.09 грн
250+38.58 грн
1000+29.99 грн
3000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.54 грн
10+98.74 грн
100+72.72 грн
500+57.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3 Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.83 грн
33+26.11 грн
100+17.24 грн
500+12.35 грн
1000+10.69 грн
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3 Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+12.90 грн
1000+10.90 грн
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.60 грн
11+77.90 грн
100+58.66 грн
500+46.15 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 INFINEON 3049661.pdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.44 грн
22+38.74 грн
100+25.35 грн
500+20.28 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.72 грн
500+57.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.66 грн
500+46.15 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.61 грн
500+37.45 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.50 грн
500+31.39 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.21 грн
500+72.11 грн
1000+51.35 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.78 грн
10+112.97 грн
100+91.21 грн
500+72.11 грн
1000+51.35 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 BSZ0909LSATMA1 INFINEON 3049660.pdf Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.02 грн
35+24.18 грн
100+23.35 грн
500+20.90 грн
1000+18.94 грн
5000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 BSZ0909LSATMA1 INFINEON 3049660.pdf Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.35 грн
500+20.90 грн
1000+18.94 грн
5000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 INFINEON 3049661.pdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.35 грн
500+20.28 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70E6327HTSA1 BAS70E6327HTSA1 INFINEON INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.96 грн
127+6.61 грн
500+5.13 грн
1000+3.73 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 TLE82092SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+447.68 грн
25+426.76 грн
50+370.63 грн
100+317.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 TLE82092SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.07 грн
10+447.68 грн
25+426.76 грн
50+370.63 грн
100+317.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8 Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8 Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186SPBF IRS2186SPBF INFINEON 1935546.pdf Description: INFINEON - IRS2186SPBF - IGBT/MOSFET-IC 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 170ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.05 грн
10+214.22 грн
25+134.72 грн
50+115.00 грн
100+105.43 грн
250+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 CY8C4247AXI-M485 INFINEON 2144218.pdf Description: INFINEON - CY8C4247AXI-M485 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O's
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.43 грн
10+557.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752LTRPBF INFINEON 2211671.pdf Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.17 грн
500+34.27 грн
1000+29.26 грн
2500+28.83 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF IRS2890DSTRPBF INFINEON INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF IRS2890DSTRPBF INFINEON INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF INFINEON IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.56 грн
250+96.11 грн
500+92.52 грн
1000+82.48 грн
2500+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.23 грн
10+103.76 грн
50+96.23 грн
100+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550BXTSA1 1EDN8550BXTSA1 INFINEON 2712213.pdf Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.20 грн
500+24.17 грн
1000+21.80 грн
2500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 INFINEON 2077577.pdf Description: INFINEON - 2EDN7524FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.66 грн
500+34.89 грн
1000+32.13 грн
2500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 INFINEON 2718718.pdf Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.50 грн
500+30.23 грн
1000+21.95 грн
2500+20.37 грн
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WLC1115-68LQXQ WLC1115-68LQXQ INFINEON 4014348.pdf Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQ - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wireless-Charging-IC: Sender
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: WLC1115
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+400.82 грн
10+276.14 грн
25+262.75 грн
50+230.77 грн
100+200.83 грн
250+196.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+487.84 грн
50+435.13 грн
100+384.44 грн
250+361.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.42 грн
5+558.13 грн
10+487.84 грн
50+435.13 грн
100+384.44 грн
250+361.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+348.10 грн
100+282.00 грн
500+236.99 грн
1000+186.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.23 грн
500+27.82 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.27 грн
10+97.07 грн
100+76.48 грн
500+59.13 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.48 грн
500+59.13 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA1 TC297TX128F300NBCKXUMA1 INFINEON Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf Description: INFINEON - TC297TX128F300NBCKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 84Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 2.7MB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: CAN, ENET, I2C, I2S, LIN, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8844.78 грн
5+8136.86 грн
10+6838.18 грн
25+6049.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TP128F300NBCKXUMA1 TC297TP128F300NBCKXUMA1 INFINEON 2672526.pdf Description: INFINEON - TC297TP128F300NBCKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 84Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 728KB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3097.77 грн
5+3081.03 грн
10+3063.46 грн
25+2733.53 грн
50+2315.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC364DP64F300FAAKXUMA1 TC364DP64F300FAAKXUMA1 INFINEON 3177163.pdf Description: INFINEON - TC364DP64F300FAAKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC3xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 1.375V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 4MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 672KB
ADC-Kanäle: 43Kanäle
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC3xx
Produktpalette: AURIX Family TC3xx Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI
Bausteinkern: TriCore
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Bauform - MCU: TQFP
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.125V
CPU-Geschwindigkeit: 300MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 101I/O(s)
Qualifikation: AEC-Q100
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
Anzahl der Bits: 32bit
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2801.54 грн
25+2514.41 грн
50+2313.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
REFICC80QSG84W1BPATOBO1 Infineon-Reference_design_REF_ICC80QSG_84W1_BPA-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180e09fd7c9720a
REFICC80QSG84W1BPATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFICC80QSG84W1BPATOBO1 - Referenzdesign-Kit, ICC80QSGXUMA1, Laderegler, Power-Management - Akku
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
rohsCompliant: Y-EX
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICC80QSGXUMA1, MOSFET IPN70R450P7S
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Laderegler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICC80QSGXUMA1
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6116.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM005TOBO1 3763577.pdf
KITLGPWRBOM005TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM005TOBO1 - Demoboard, IPT007N06N, Power-Management, LVDS-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT007N06N
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IPT007N06N
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: LVDS-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3723.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF description IRSDS06973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7241TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.65 грн
250+39.91 грн
1000+28.59 грн
2000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 3681667.pdf
S80KS2563GABHA020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+460.23 грн
10+439.31 грн
25+421.74 грн
50+370.63 грн
100+337.10 грн
250+330.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHM020 3681667.pdf
S80KS2563GABHM020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+463.58 грн
10+426.76 грн
25+422.57 грн
50+353.54 грн
100+320.61 грн
250+319.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHB020 3681667.pdf
S80KS2563GABHB020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1262.70 грн
10+1105.39 грн
25+915.44 грн
50+762.25 грн
100+649.82 грн
200+606.07 грн
500+573.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S80KS2563GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+525.50 грн
10+427.60 грн
25+425.09 грн
50+391.61 грн
100+359.34 грн
250+357.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHV020 3681667.pdf
S80KS2563GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+449.35 грн
10+418.39 грн
25+391.61 грн
50+361.31 грн
100+331.37 грн
250+325.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.46 грн
141+5.94 грн
500+4.74 грн
1000+3.66 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+17.24 грн
73+11.46 грн
141+5.94 грн
500+4.74 грн
1000+3.66 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 2354686.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.68 грн
1000+5.16 грн
5000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.73 грн
50+157.31 грн
250+117.15 грн
1000+88.58 грн
3000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.11 грн
27+31.30 грн
50+26.36 грн
200+19.81 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.36 грн
200+19.81 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-030 Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C3866LTI-030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C3866LTI-030 - 8-Bit-MCU, PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers, 8051, 67 MHz, 64 KB, 68 Pin(s), QFN
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 3
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C38xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: PSOC 3 Family CY8C38xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1165.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ086P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.67 грн
13+68.11 грн
100+43.51 грн
500+33.72 грн
1000+24.10 грн
5000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2a1ec7d90032
BSZ0904NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.51 грн
50+46.61 грн
250+40.33 грн
1000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ086P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.51 грн
500+33.72 грн
1000+24.10 грн
5000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 Infineon-BSZ0506NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cfbae64b902a3
BSZ0506NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.90 грн
50+43.09 грн
250+38.58 грн
1000+29.99 грн
3000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 Infineon-BSZ0506NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cfbae64b902a3
BSZ0506NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.09 грн
250+38.58 грн
1000+29.99 грн
3000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.54 грн
10+98.74 грн
100+72.72 грн
500+57.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3
BSZ0911LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.83 грн
33+26.11 грн
100+17.24 грн
500+12.35 грн
1000+10.69 грн
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1 Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3
BSZ0911LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.98 грн
500+12.90 грн
1000+10.90 грн
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.60 грн
11+77.90 грн
100+58.66 грн
500+46.15 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 3049661.pdf
BSZ0910LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.44 грн
22+38.74 грн
100+25.35 грн
500+20.28 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 INFNS27868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.72 грн
500+57.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1 INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.66 грн
500+46.15 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1 INFNS27842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0904NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.61 грн
500+37.45 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.50 грн
500+31.39 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.21 грн
500+72.11 грн
1000+51.35 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1 4019772.pdf
BSZ0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.78 грн
10+112.97 грн
100+91.21 грн
500+72.11 грн
1000+51.35 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 3049660.pdf
BSZ0909LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.02 грн
35+24.18 грн
100+23.35 грн
500+20.90 грн
1000+18.94 грн
5000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1 3049660.pdf
BSZ0909LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.35 грн
500+20.90 грн
1000+18.94 грн
5000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 3049661.pdf
BSZ0910LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.35 грн
500+20.28 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70E6327HTSA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.96 грн
127+6.61 грн
500+5.13 грн
1000+3.73 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE82092SAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+447.68 грн
25+426.76 грн
50+370.63 грн
100+317.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 INFN-S-A0000250454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE82092SAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE82092SAAUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung DC, SPI, H-Brücke, 2 Ausgänge, 4.4V-5.25V Versorgung, 8.6Aout, SOIC-20
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+543.07 грн
10+447.68 грн
25+426.76 грн
50+370.63 грн
100+317.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8
IPN50R650CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8
IPN50R650CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186SPBF 1935546.pdf
IRS2186SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2186SPBF - IGBT/MOSFET-IC 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 170ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.05 грн
10+214.22 грн
25+134.72 грн
50+115.00 грн
100+105.43 грн
250+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 2144218.pdf
CY8C4247AXI-M485
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247AXI-M485 - ARM-MCU, PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O's
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+669.43 грн
10+557.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF 2211671.pdf
IRS25752LTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.17 грн
500+34.27 грн
1000+29.26 грн
2500+28.83 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2890DSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2890DSTRPBF INFN-S-A0003258003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2890DSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2890DSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 14 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 480mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 220mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 500ns
Ausgabeverzögerung: 500ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRSDS13477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS25411STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25411STRPBF - LED-Treiber, Buck (Abwärts), 1 Ausgang, 8V bis 16.6Vin, 500kHz, 16.6V/700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 16.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 16.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.56 грн
250+96.11 грн
500+92.52 грн
1000+82.48 грн
2500+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.23 грн
10+103.76 грн
50+96.23 грн
100+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550BXTSA1 2712213.pdf
1EDN8550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.20 грн
500+24.17 грн
1000+21.80 грн
2500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2077577.pdf
2EDN7524FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7524FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.66 грн
500+34.89 грн
1000+32.13 грн
2500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 2718718.pdf
1EDN8511BXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.50 грн
500+30.23 грн
1000+21.95 грн
2500+20.37 грн
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WLC1115-68LQXQ 4014348.pdf
WLC1115-68LQXQ
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQ - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wireless-Charging-IC: Sender
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: WLC1115
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+400.82 грн
10+276.14 грн
25+262.75 грн
50+230.77 грн
100+200.83 грн
250+196.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1
IPF015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+487.84 грн
50+435.13 грн
100+384.44 грн
250+361.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1
IPF015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+628.42 грн
5+558.13 грн
10+487.84 грн
50+435.13 грн
100+384.44 грн
250+361.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+348.10 грн
100+282.00 грн
500+236.99 грн
1000+186.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.23 грн
500+27.82 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.27 грн
10+97.07 грн
100+76.48 грн
500+59.13 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.48 грн
500+59.13 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA1 Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf
TC297TX128F300NBCKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC297TX128F300NBCKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 84Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 2.7MB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: CAN, ENET, I2C, I2S, LIN, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8844.78 грн
5+8136.86 грн
10+6838.18 грн
25+6049.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TP128F300NBCKXUMA1 2672526.pdf
TC297TP128F300NBCKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC297TP128F300NBCKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 84Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 728KB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 169I/O(s)
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, LIN, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3097.77 грн
5+3081.03 грн
10+3063.46 грн
25+2733.53 грн
50+2315.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC364DP64F300FAAKXUMA1 3177163.pdf
TC364DP64F300FAAKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC364DP64F300FAAKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC3xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 300 MHz
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 1.375V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 4MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 672KB
ADC-Kanäle: 43Kanäle
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC3xx
Produktpalette: AURIX Family TC3xx Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI
Bausteinkern: TriCore
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Bauform - MCU: TQFP
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.125V
CPU-Geschwindigkeit: 300MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 101I/O(s)
Qualifikation: AEC-Q100
Betriebsfrequenz, max.: 300MHz
Anzahl der Bits: 32bit
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2801.54 грн
25+2514.41 грн
50+2313.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]