| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IQDH35N03LM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IQDH45N04LM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 637A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDI3031ASXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDI3033ASXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDI60I12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: -A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: -A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 300ns Ausgabeverzögerung: 300ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDI60H12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: -A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: -A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDI3031ASXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDI3033ASXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1EDI3051EVALBOARDTOBO2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3051EVALBOARDTOBO2 - Evaluationsboard, 1EDI3051AS, IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber, Power-ManagementtariffCode: 84733020 Prozessorkern: 1EDI3051AS Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: NO Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3051AS euEccn: NLR Unterart Anwendung: IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC350N20NSFDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC350N20NSFDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R1K4P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IM241M6T2BAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IM241M6T2BAKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 2 kV, DIP23, CIPOS MikrotariffCode: 85423990 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: CIPOS Mikro rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 2kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 4A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP23 Produktpalette: CIPOS IM241 Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R280CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R280CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3122MU12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3123MU12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 14A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 14A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3461MC12MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 244ns Ausgabeverzögerung: 236ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3251MC12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 18A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 9A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3491MC12MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 9A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 244ns Ausgabeverzögerung: 236ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3122MU12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3491MC12MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 9A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 244ns Ausgabeverzögerung: 236ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3251MC12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 18A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 9A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3491MU12MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: -A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: -A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 244ns Ausgabeverzögerung: 236ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3120MU12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1ED3491MU12MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: -A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: -A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 244ns Ausgabeverzögerung: 236ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3120MU12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3461MC12MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 244ns Ausgabeverzögerung: 236ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3123MU12HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 14A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 14A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3142MU12FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSOtariffCode: 85423190 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: CMOS usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1ED3142MU12FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSOtariffCode: 85423190 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: CMOS usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDK10G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CY8C21534-24PVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C21534-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 28 Pin(s), SSOPtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 24Kanäle Programmspeichergröße: 8KB Versorgungsspannung, min.: 2.4V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 512Byte MCU-Baureihe: CY8C21x34 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF100P218AKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD30N03S4L14ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 39876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMW120R090M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMW120R140M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CY62167EV30LL-45BVXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62167EV30LL-45BVXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TLD5045EJXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 300kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 700mA Eingangsspannung, min.: 5V Topologie: Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TLD5045EJXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 300kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 700mA Eingangsspannung, min.: 5V Topologie: Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS500551TMAATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS500551TMAATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-220-7tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.006ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 130A IC-Gehäuse / Bauform: TO-220 MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 34V Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTT3018EJ, Low-Side-LeistungsschaltertariffCode: 84733020 Prozessorkern: BTT3018EJ Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard BTT3018EJ euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD200N15N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMW120R007M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S78HS512TC0BHB013 | INFINEON |
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 PinstariffCode: 85423990 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: HyperBus Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 200MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: - Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: HyperBus Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S78HL512TC0BHB003 | INFINEON |
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 PinstariffCode: 85423990 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: HyperBus Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 166MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: - Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: HyperBus Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S78HL512TC0BHB003 | INFINEON |
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 PinsIC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: - hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: HyperBus Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S78HS512TC0BHB013 | INFINEON |
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 PinstariffCode: 85423990 IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: - hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: HyperBus Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S78HS512TC0BHB010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB010 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 PinstariffCode: 85423990 IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: - hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: HyperBus Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S78HL512TC0BHB000 | INFINEON |
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB000 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 PinsIC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: - hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: HyperBus Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CYW4373IUBGT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW4373IUBGT - WiFi und Bluetooth, 2.4GHz bis 5GHz, 433Mbit/s, 1.14V bis 1.26V, -20°C bis 70°C, WLBGA-128tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: - Bauform - HF-IC: WLBGA Ausgangsleistung (dBm): - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WLBGA Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 0 usEccn: 5A992.c HF-Primärfunktion: Transceiver Frequenz, min.: 2.4GHz Betriebstemperatur, min.: -20°C Versorgungsspannung, min.: 1.14V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: - Anzahl der Pins: 128Pin(s) Übertragungsrate: 433Mbps Frequenzgang HF, max.: 5GHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz Versorgungsspannung, max.: 1.26V Frequenz, max.: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP80N04S404AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80N04S404AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO220-3-1, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO220-3-1 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP220N25NFDAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS FD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CY8CMBR3116-LQXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8CMBR3116-LQXIT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EPtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Sensortyp: Induktive Näherungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: I2C Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.71V Sensorgehäuse/-bauform: QFN-EP Bauform - Sensor: QFN euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Ausgangsschnittstelle: I2C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CY8CMBR3106S-LQXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8CMBR3106S-LQXI - Kapazitiver Berührungssensor, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, min.: 1.71V Anzahl der Pins: 24Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false IC-Schnittstelle: I2C rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, max.: 5.5V Bauform - Sensor: QFN Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IQD020N10NM5CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 292.38 грн |
| 10+ | 221.13 грн |
| 100+ | 184.28 грн |
| 500+ | 144.50 грн |
| 1000+ | 129.87 грн |
| IQDH35N03LM5CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 145.78 грн |
| 500+ | 126.24 грн |
| 1000+ | 114.43 грн |
| IQD020N10NM5CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 184.28 грн |
| 500+ | 144.50 грн |
| 1000+ | 129.87 грн |
| IQDH45N04LM6CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 153.15 грн |
| 1EDI3031ASXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 519.25 грн |
| 10+ | 397.22 грн |
| 25+ | 366.91 грн |
| 50+ | 325.49 грн |
| 100+ | 285.71 грн |
| 250+ | 271.67 грн |
| 500+ | 257.63 грн |
| 1EDI3033ASXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 432.43 грн |
| 10+ | 330.88 грн |
| 25+ | 305.49 грн |
| 50+ | 270.74 грн |
| 1EDI60I12AHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 144.61 грн |
| 250+ | 137.59 грн |
| 500+ | 123.55 грн |
| 1000+ | 103.90 грн |
| 1EDI60H12AHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.74 грн |
| 250+ | 113.72 грн |
| 500+ | 110.21 грн |
| 1000+ | 93.37 грн |
| 1EDI3031ASXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI3031ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 397.22 грн |
| 25+ | 366.91 грн |
| 50+ | 325.49 грн |
| 100+ | 285.71 грн |
| 250+ | 271.67 грн |
| 500+ | 257.63 грн |
| 1EDI3033ASXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI3033ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiCMOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1EDI3051EVALBOARDTOBO2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3051EVALBOARDTOBO2 - Evaluationsboard, 1EDI3051AS, IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3051AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3051AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - 1EDI3051EVALBOARDTOBO2 - Evaluationsboard, 1EDI3051AS, IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3051AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3051AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8823.91 грн |
| BSC350N20NSFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 227.68 грн |
| 50+ | 162.98 грн |
| 250+ | 140.05 грн |
| 1000+ | 106.47 грн |
| BSC350N20NSFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 162.98 грн |
| 250+ | 140.05 грн |
| 1000+ | 106.47 грн |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 130.22 грн |
| 13+ | 63.23 грн |
| 100+ | 57.99 грн |
| 500+ | 44.11 грн |
| 1000+ | 37.35 грн |
| IM241M6T2BAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM241M6T2BAKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 2 kV, DIP23, CIPOS Mikro
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mikro
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 4A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP23
Produktpalette: CIPOS IM241 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IM241M6T2BAKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 2 kV, DIP23, CIPOS Mikro
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mikro
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 4A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP23
Produktpalette: CIPOS IM241 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 512.69 грн |
| 5+ | 448.81 грн |
| 10+ | 384.11 грн |
| 50+ | 310.28 грн |
| 100+ | 273.08 грн |
| 250+ | 272.38 грн |
| IPD95R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 183.46 грн |
| 10+ | 120.39 грн |
| 100+ | 83.54 грн |
| 500+ | 65.02 грн |
| 1000+ | 52.30 грн |
| IPD60R280CFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 115.48 грн |
| 10+ | 90.09 грн |
| 100+ | 74.45 грн |
| IPD95R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 83.54 грн |
| 500+ | 65.02 грн |
| 1000+ | 52.30 грн |
| IPD60R280CFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.45 грн |
| 1ED3122MU12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 189.19 грн |
| 10+ | 140.05 грн |
| 25+ | 128.58 грн |
| 50+ | 112.55 грн |
| 100+ | 97.58 грн |
| 250+ | 92.66 грн |
| 1ED3123MU12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.06 грн |
| 10+ | 182.64 грн |
| 25+ | 167.90 грн |
| 50+ | 148.30 грн |
| 100+ | 129.17 грн |
| 250+ | 126.36 грн |
| 500+ | 116.53 грн |
| 1ED3461MC12MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 488.12 грн |
| 10+ | 397.22 грн |
| 25+ | 373.46 грн |
| 50+ | 323.97 грн |
| 100+ | 278.69 грн |
| 250+ | 263.95 грн |
| 500+ | 237.28 грн |
| 1ED3251MC12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 110.92 грн |
| 250+ | 104.60 грн |
| 500+ | 101.09 грн |
| 1ED3491MC12MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 533.17 грн |
| 10+ | 428.34 грн |
| 25+ | 404.59 грн |
| 50+ | 353.63 грн |
| 100+ | 306.07 грн |
| 250+ | 290.63 грн |
| 500+ | 261.14 грн |
| 1ED3122MU12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1ED3122MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 97.58 грн |
| 250+ | 92.66 грн |
| 1ED3491MC12MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3491MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 9Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 428.34 грн |
| 25+ | 404.59 грн |
| 50+ | 353.63 грн |
| 100+ | 306.07 грн |
| 250+ | 290.63 грн |
| 500+ | 261.14 грн |
| 1ED3251MC12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3251MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 18A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 9A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 110ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 210.48 грн |
| 10+ | 157.25 грн |
| 25+ | 144.14 грн |
| 50+ | 127.00 грн |
| 100+ | 110.92 грн |
| 250+ | 104.60 грн |
| 500+ | 101.09 грн |
| 1ED3491MU12MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 409.50 грн |
| 25+ | 391.48 грн |
| 50+ | 346.79 грн |
| 100+ | 304.67 грн |
| 250+ | 301.86 грн |
| 500+ | 270.97 грн |
| 1ED3120MU12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1ED3491MU12MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3491MU12MXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9A, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 529.89 грн |
| 10+ | 409.50 грн |
| 25+ | 391.48 грн |
| 50+ | 346.79 грн |
| 100+ | 304.67 грн |
| 250+ | 301.86 грн |
| 500+ | 270.97 грн |
| 1ED3120MU12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3120MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 5.5A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 272.73 грн |
| 1ED3461MC12MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3461MC12MXUMA1 - Gate-Treiber, IGBT, High-Side, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 6Aout, SOIC-16, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 244ns
Ausgabeverzögerung: 236ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 397.22 грн |
| 25+ | 373.46 грн |
| 50+ | 323.97 грн |
| 100+ | 278.69 грн |
| 250+ | 263.95 грн |
| 500+ | 237.28 грн |
| 1ED3123MU12HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 14A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 14A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 129.17 грн |
| 250+ | 126.36 грн |
| 500+ | 116.53 грн |
| 1ED3142MU12FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 117.94 грн |
| 10+ | 86.00 грн |
| 50+ | 77.89 грн |
| 100+ | 64.19 грн |
| 250+ | 55.74 грн |
| 500+ | 53.56 грн |
| 1000+ | 49.91 грн |
| 1ED3142MU12FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: CMOS
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 64.19 грн |
| 250+ | 55.74 грн |
| 500+ | 53.56 грн |
| 1000+ | 49.91 грн |
| IDK10G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 186.73 грн |
| 500+ | 143.73 грн |
| CY8C21534-24PVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21534-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 512Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x34
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C21534-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 8 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 512Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x34
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x34 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF100P218AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 601.15 грн |
| 5+ | 479.93 грн |
| 10+ | 357.90 грн |
| 50+ | 305.72 грн |
| 100+ | 256.93 грн |
| 250+ | 252.02 грн |
| IPD30N03S4L14ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.19 грн |
| 500+ | 24.49 грн |
| 1000+ | 19.66 грн |
| 5000+ | 15.72 грн |
| IMW120R090M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 624.08 грн |
| 5+ | 538.90 грн |
| 10+ | 453.73 грн |
| 50+ | 386.33 грн |
| 100+ | 323.62 грн |
| 250+ | 317.30 грн |
| IMW120R140M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 559.38 грн |
| 10+ | 312.86 грн |
| 100+ | 271.09 грн |
| CY62167EV30LL-45BVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167EV30LL-45BVXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY62167EV30LL-45BVXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 948.40 грн |
| 25+ | 918.92 грн |
| 50+ | 831.99 грн |
| 100+ | 742.01 грн |
| TLD5045EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 181.82 грн |
| 10+ | 117.12 грн |
| 50+ | 104.83 грн |
| 100+ | 80.61 грн |
| 250+ | 69.64 грн |
| 500+ | 61.14 грн |
| TLD5045EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLD5045EJXUMA1 - LED-Treiber, Buck (Abwärts), AEC-Q100, 1 Ausgang, 5V bis 40Vin, 700mAout, 300kHz, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 5V
Topologie: Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 80.61 грн |
| 250+ | 69.64 грн |
| 500+ | 61.14 грн |
| BTS500551TMAATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500551TMAATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 130A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTS500551TMAATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 130A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 597.87 грн |
| 10+ | 455.36 грн |
| 25+ | 434.07 грн |
| 50+ | 376.45 грн |
| 100+ | 322.22 грн |
| 250+ | 308.18 грн |
| 500+ | 280.80 грн |
| BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTT3018EJ, Low-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTT3018EJ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTT3018EJ
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BTT3018EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTT3018EJ, Low-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTT3018EJ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTT3018EJ
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2732.18 грн |
| IPD200N15N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 87.63 грн |
| 500+ | 69.97 грн |
| 1000+ | 64.16 грн |
| IMW120R007M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3728.09 грн |
| 5+ | 3702.70 грн |
| 10+ | 3677.31 грн |
| 50+ | 2573.53 грн |
| S78HS512TC0BHB013 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1306.30 грн |
| 10+ | 1209.66 грн |
| 25+ | 1171.99 грн |
| 50+ | 976.48 грн |
| 100+ | 878.90 грн |
| S78HL512TC0BHB003 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: HyperBus
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: -
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1251.43 грн |
| 10+ | 1160.52 грн |
| 25+ | 1123.67 грн |
| 50+ | 936.18 грн |
| 100+ | 843.10 грн |
| S78HL512TC0BHB003 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB003 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1251.43 грн |
| 10+ | 1160.52 грн |
| 25+ | 1123.67 грн |
| 50+ | 936.18 грн |
| 100+ | 843.10 грн |
| S78HS512TC0BHB013 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB013 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1306.30 грн |
| 10+ | 1209.66 грн |
| 25+ | 1171.99 грн |
| 50+ | 976.48 грн |
| 100+ | 878.90 грн |
| S78HS512TC0BHB010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB010 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S78HS512TC0BHB010 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1306.30 грн |
| 10+ | 1209.66 грн |
| 25+ | 1171.99 грн |
| 50+ | 976.48 грн |
| 100+ | 878.90 грн |
| S78HL512TC0BHB000 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB000 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - S78HL512TC0BHB000 - Flash-Speicher, 512MB, HYPERBus, 166MHz, FBGA, 24 Pins
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: -
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1465.19 грн |
| 10+ | 1364.45 грн |
| 25+ | 1316.95 грн |
| 50+ | 1154.44 грн |
| 100+ | 1001.75 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.74 грн |
| 500+ | 34.37 грн |
| 1000+ | 28.85 грн |
| CYW4373IUBGT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW4373IUBGT - WiFi und Bluetooth, 2.4GHz bis 5GHz, 433Mbit/s, 1.14V bis 1.26V, -20°C bis 70°C, WLBGA-128
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLBGA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 0
usEccn: 5A992.c
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 128Pin(s)
Übertragungsrate: 433Mbps
Frequenzgang HF, max.: 5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYW4373IUBGT - WiFi und Bluetooth, 2.4GHz bis 5GHz, 433Mbit/s, 1.14V bis 1.26V, -20°C bis 70°C, WLBGA-128
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLBGA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 0
usEccn: 5A992.c
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 128Pin(s)
Übertragungsrate: 433Mbps
Frequenzgang HF, max.: 5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 502.87 грн |
| 25+ | 475.84 грн |
| 50+ | 425.12 грн |
| 100+ | 376.97 грн |
| IPP80N04S404AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N04S404AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO220-3-1, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO220-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPP80N04S404AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO220-3-1, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO220-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 207.21 грн |
| 10+ | 152.33 грн |
| 100+ | 111.38 грн |
| 500+ | 94.30 грн |
| IPP220N25NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 388.21 грн |
| 10+ | 320.23 грн |
| 100+ | 288.29 грн |
| 500+ | 238.80 грн |
| 1000+ | 193.05 грн |
| CY8CMBR3116-LQXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3116-LQXIT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: QFN-EP
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8CMBR3116-LQXIT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: QFN-EP
Bauform - Sensor: QFN
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 125.66 грн |
| 250+ | 118.64 грн |
| 500+ | 114.43 грн |
| 1000+ | 110.92 грн |
| CY8CMBR3106S-LQXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3106S-LQXI - Kapazitiver Berührungssensor, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
IC-Schnittstelle: I2C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Sensor: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - CY8CMBR3106S-LQXI - Kapazitiver Berührungssensor, I2C, 1.71 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
IC-Schnittstelle: I2C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Sensor: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.





























