Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24633) > Сторінка 364 з 411

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 410 411  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
XMC7100D-F100K4160AA XMC7100D-F100K4160AA INFINEON 3795158.pdf Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1312.39 грн
10+1187.40 грн
25+1128.19 грн
50+992.63 грн
100+865.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 TLE5009A16DE2210XUMA1 INFINEON 2343216.pdf Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.08 грн
10+352.77 грн
25+333.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 TLE5009A16DE2210XUMA1 INFINEON 2343216.pdf Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+352.77 грн
25+333.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 IPB80N08S207ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.64 грн
500+202.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 BAS7004E6433HTMA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.56 грн
52+16.03 грн
100+10.11 грн
500+6.96 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 BAS7004E6433HTMA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.11 грн
500+6.96 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 IAUC45N04S6N070HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2 Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.17 грн
11+79.68 грн
100+53.04 грн
500+35.73 грн
1000+29.96 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1 IDH08G120C5XKSA1 INFINEON 3929311.pdf Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.60 грн
10+223.66 грн
100+170.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-28LTXC CY7C65634-28LTXC INFINEON INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-G FM25040B-G INFINEON CYPR-S-A0011126796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.46 грн
10+150.48 грн
25+147.19 грн
50+132.10 грн
100+119.82 грн
250+117.00 грн
500+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 INFINEON 4384461.pdf Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Shield-Board
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4646.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 INFINEON 4384460.pdf Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: NBT2000
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.66 грн
250+135.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.28 грн
250+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.73 грн
250+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF INFINEON IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 BGT24MR2E6327XUMA1 INFINEON INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.03 грн
10+412.79 грн
25+384.01 грн
50+341.31 грн
100+300.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 BGT24ATR22E6433XUMA1 INFINEON 4379514.pdf Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+800.09 грн
10+695.66 грн
25+659.48 грн
50+563.51 грн
100+474.35 грн
250+465.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 BGT24MR2E6327XUMA1 INFINEON INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON 3189134.pdf Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.91 грн
10+130.75 грн
100+91.27 грн
500+62.84 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON 3189134.pdf Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.27 грн
500+62.84 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.35 грн
10+108.54 грн
100+83.87 грн
500+65.67 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.51 грн
50+202.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.11 грн
10+129.10 грн
100+87.99 грн
500+64.75 грн
1000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.06 грн
21+39.96 грн
100+27.14 грн
500+19.32 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.17 грн
10+116.77 грн
100+96.21 грн
500+74.83 грн
1000+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.30 грн
50+111.01 грн
250+89.63 грн
1000+72.77 грн
3000+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.57 грн
10+140.61 грн
100+98.68 грн
500+75.90 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.30 грн
10+125.81 грн
100+110.19 грн
500+94.68 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.19 грн
50+132.39 грн
250+109.37 грн
1000+80.94 грн
3000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795150.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.96 грн
10+172.68 грн
100+120.06 грн
500+83.99 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.53 грн
10+162.81 грн
100+118.41 грн
500+91.63 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.53 грн
10+162.81 грн
100+118.41 грн
500+91.63 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795150.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.96 грн
10+172.68 грн
100+120.06 грн
500+83.99 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.56 грн
250+132.51 грн
500+119.12 грн
1000+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.41 грн
10+210.51 грн
25+191.60 грн
50+164.93 грн
100+139.56 грн
250+132.51 грн
500+119.12 грн
1000+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 IM12B20EC1XKMA1 INFINEON 4386888.pdf Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2111.66 грн
5+2059.85 грн
10+2008.05 грн
50+1816.51 грн
100+1632.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 IM12B10CC1XKMA1 INFINEON 4386886.pdf Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 16A
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1544.27 грн
5+1534.41 грн
10+1523.72 грн
50+1405.72 грн
100+1288.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 IM12B15CC1XKMA1 INFINEON 4386887.pdf Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 22A
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2781.83 грн
5+2434.00 грн
10+2017.09 грн
50+1679.07 грн
100+1430.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 FF600R12ME7B11BPSA1 INFINEON 3517982.pdf Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20415.98 грн
5+19939.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.69 грн
10+144.72 грн
100+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 S25FL064LABMFB013 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFB013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.14 грн
10+91.27 грн
50+90.45 грн
100+83.23 грн
250+74.71 грн
500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA001 S25FL064LABMFA001 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFA001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.43 грн
10+92.10 грн
50+91.27 грн
100+83.99 грн
250+75.42 грн
500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM010 S25FL064LABNFM010 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.70 грн
10+115.12 грн
50+109.37 грн
100+98.50 грн
250+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.12 грн
50+49.34 грн
100+34.78 грн
500+24.97 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.57 грн
500+21.53 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.32 грн
500+77.88 грн
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.44 грн
10+122.52 грн
100+100.32 грн
500+77.88 грн
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON 1849713.html Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.50 грн
250+66.36 грн
1000+39.63 грн
3000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.47 грн
500+25.96 грн
1000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.14 грн
500+40.24 грн
1000+34.54 грн
5000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 INFINEON 4129521.pdf Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.37 грн
10+98.68 грн
100+93.74 грн
500+71.32 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 INFINEON 4129521.pdf Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.74 грн
500+71.32 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 TLE4973RE35S5S0010XUMA1 INFINEON 4162927.pdf Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.04 грн
10+208.86 грн
25+206.40 грн
50+184.02 грн
100+163.52 грн
250+157.18 грн
500+150.13 грн
1000+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 TLE4973RE35S5S0010XUMA1 INFINEON 4162927.pdf Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.52 грн
250+157.18 грн
500+150.13 грн
1000+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.73 грн
500+12.22 грн
1000+10.29 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.30 грн
58+14.31 грн
100+13.73 грн
500+12.22 грн
1000+10.29 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 INFINEON 2876462.pdf Description: INFINEON - TLD22522EPXUMA1 - LED-TREIBER AECQ100, LINEAR, PG-TSDSO-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.71 грн
250+54.06 грн
500+53.00 грн
1000+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100D-F100K4160AA 3795158.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1312.39 грн
10+1187.40 грн
25+1128.19 грн
50+992.63 грн
100+865.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 2343216.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+416.08 грн
10+352.77 грн
25+333.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 2343216.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+352.77 грн
25+333.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+237.64 грн
500+202.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 45894.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+26.56 грн
52+16.03 грн
100+10.11 грн
500+6.96 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 45894.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.11 грн
500+6.96 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.17 грн
11+79.68 грн
100+53.04 грн
500+35.73 грн
1000+29.96 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1 3929311.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+265.60 грн
10+223.66 грн
100+170.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-28LTXC INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-G CYPR-S-A0011126796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+164.46 грн
10+150.48 грн
25+147.19 грн
50+132.10 грн
100+119.82 грн
250+117.00 грн
500+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 4384461.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Shield-Board
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4646.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 4384460.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: NBT2000
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+149.66 грн
250+135.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+128.28 грн
250+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF INFN-S-A0012838730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.73 грн
250+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+532.03 грн
10+412.79 грн
25+384.01 грн
50+341.31 грн
100+300.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 4379514.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+800.09 грн
10+695.66 грн
25+659.48 грн
50+563.51 грн
100+474.35 грн
250+465.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 3189134.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.91 грн
10+130.75 грн
100+91.27 грн
500+62.84 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 3189134.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.27 грн
500+62.84 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+160.35 грн
10+108.54 грн
100+83.87 грн
500+65.67 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+210.51 грн
50+202.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+203.11 грн
10+129.10 грн
100+87.99 грн
500+64.75 грн
1000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+51.06 грн
21+39.96 грн
100+27.14 грн
500+19.32 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+198.17 грн
10+116.77 грн
100+96.21 грн
500+74.83 грн
1000+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+151.30 грн
50+111.01 грн
250+89.63 грн
1000+72.77 грн
3000+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+205.57 грн
10+140.61 грн
100+98.68 грн
500+75.90 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+151.30 грн
10+125.81 грн
100+110.19 грн
500+94.68 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+184.19 грн
50+132.39 грн
250+109.37 грн
1000+80.94 грн
3000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 3795150.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+263.96 грн
10+172.68 грн
100+120.06 грн
500+83.99 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+233.53 грн
10+162.81 грн
100+118.41 грн
500+91.63 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+233.53 грн
10+162.81 грн
100+118.41 грн
500+91.63 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 3795150.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+263.96 грн
10+172.68 грн
100+120.06 грн
500+83.99 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+139.56 грн
250+132.51 грн
500+119.12 грн
1000+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+317.41 грн
10+210.51 грн
25+191.60 грн
50+164.93 грн
100+139.56 грн
250+132.51 грн
500+119.12 грн
1000+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 4386888.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2111.66 грн
5+2059.85 грн
10+2008.05 грн
50+1816.51 грн
100+1632.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 4386886.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 16A
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1544.27 грн
5+1534.41 грн
10+1523.72 грн
50+1405.72 грн
100+1288.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 4386887.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 22A
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2781.83 грн
5+2434.00 грн
10+2017.09 грн
50+1679.07 грн
100+1430.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 3517982.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+20415.98 грн
5+19939.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+209.69 грн
10+144.72 грн
100+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFB013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.14 грн
10+91.27 грн
50+90.45 грн
100+83.23 грн
250+74.71 грн
500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA001 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFA001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+104.43 грн
10+92.10 грн
50+91.27 грн
100+83.99 грн
250+75.42 грн
500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM010 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+121.70 грн
10+115.12 грн
50+109.37 грн
100+98.50 грн
250+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+72.12 грн
50+49.34 грн
100+34.78 грн
500+24.97 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.57 грн
500+21.53 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+100.32 грн
500+77.88 грн
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+178.44 грн
10+122.52 грн
100+100.32 грн
500+77.88 грн
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 1849713.html
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+99.50 грн
250+66.36 грн
1000+39.63 грн
3000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.47 грн
500+25.96 грн
1000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+58.14 грн
500+40.24 грн
1000+34.54 грн
5000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 4129521.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+109.37 грн
10+98.68 грн
100+93.74 грн
500+71.32 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 4129521.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+93.74 грн
500+71.32 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 4162927.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+245.04 грн
10+208.86 грн
25+206.40 грн
50+184.02 грн
100+163.52 грн
250+157.18 грн
500+150.13 грн
1000+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 4162927.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+163.52 грн
250+157.18 грн
500+150.13 грн
1000+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 INFNS15716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.73 грн
500+12.22 грн
1000+10.29 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 INFNS15716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+21.30 грн
58+14.31 грн
100+13.73 грн
500+12.22 грн
1000+10.29 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 2876462.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD22522EPXUMA1 - LED-TREIBER AECQ100, LINEAR, PG-TSDSO-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+59.71 грн
250+54.06 грн
500+53.00 грн
1000+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 410 411  Наступна Сторінка >> ]