Продукція > AON
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON7788 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7804 Код товару: 168958
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AON7804 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Part Status: Active | на замовлення 426604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7804 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7804 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Part Status: Active | на замовлення 425000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7804 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; 7W; DFN3x3A DUAL; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Power dissipation: 7W Case: DFN3x3A DUAL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7804 | ALPHA&OMEGA | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 22A; 17W; -55°C ~ 150°C; AON7804 TAON7804 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7804_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A/22A 8DFN Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 22A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3.1W (Ta), 17W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7804_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7810 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7810 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7810 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5A; 8W; DFN3x3 DUAL Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 8W Case: DFN3x3 DUAL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7810 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Part Status: Active | на замовлення 20089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7812 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7820 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7826 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7900 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 13A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7900 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 13A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7902 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 13A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7932 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 8.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7932_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 8.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7934 | ALPHA&OMEGA | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15,8mOhm/11,6mOhm; 16A/18A; 23W/25W; -55°C ~ 150°C; AON7934 TAON7934 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7934 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7934 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13A/15A 8-Pin DFN EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7934 Код товару: 148857
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AON7934 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 12/14A; 9/10W; DFN3x3A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12/14A Power dissipation: 9/10W Case: DFN3x3A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2/7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9/6nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric | на замовлення 4159 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7934 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AON7934_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485pF @ 15V, 807pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON7934_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485pF @ 15V, 807pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONA66813 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: 80V N-CHANNEL ALPHASGT2 TM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 216A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONA66813 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: 80V N-CHANNEL ALPHASGT2 TM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 216A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONA66916 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: LINEAR IC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V | на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONA66916 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 30A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONA66916 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: LINEAR IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOND32324 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N/P-CH 30V 13A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta), 12.5W (Tc), 4.1W (Ta), 30W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 16A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V, 1995pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOND32324 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 16/-16A Power dissipation: 5/12W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V; ±25V On-state resistance: 14/12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOND32324 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N/P-CH 30V 13A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta), 12.5W (Tc), 4.1W (Ta), 30W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 16A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V, 1995pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOND62930 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 7A; Idm: 25A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Technology: AlphaSGT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 2.9W Case: DFN5x6 EP2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOND62930 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta), 7.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONH36328 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13.8A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONH36328 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18A; Idm: 40A; 9.2W; DFN3x3A Power dissipation: 9.2W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC On-state resistance: 11.5mΩ Gate-source voltage: 16V Drain current: 18A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Kind of channel: enhancement Case: DFN3x3A Type of transistor: N-MOSFET x2 Semiconductor structure: asymmetric | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONH36334 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONL32328 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8A 12DFN Supplier Device Package: 12-DFN-EP (4x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 730pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.6W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N and 2 P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONL32328 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8A 12DFN Supplier Device Package: 12-DFN-EP (4x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 730pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.6W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N and 2 P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONP36320 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Ta), 50W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc), 27A (Ta), 103A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V, 1650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONP36332 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) | на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONP36332 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONP36336 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 50A 8DFN Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 8927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONP36336 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 50A; 13/12W; asymmetric Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 13/12W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.7/5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19/14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONP36336 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 50A 8DFN Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR20485 | Alpha & Omega Semiconductor | Medium Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR20485 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: SINGLE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21117 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.5A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 10 V | на замовлення 30024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21117 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin DFN-A EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21117 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.5A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21305C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21305C | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21307 | AOS | MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21307 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21307 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21307 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21307 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V | на замовлення 62015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21311C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: LINEAR IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V | на замовлення 11492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21321 | AOS | MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 9.6W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21357 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21357 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21357 | AOS | MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21357 Код товару: 215468
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AONR21357 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -32.5A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 25nC On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 12W Gate-source voltage: ±25V Case: DFN3x3 Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21357 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR21357 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR21357_201 | Alpha & Omega Semiconductor | 30V P-Channel Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR26309A | Alpha & Omega Semiconductor | 30V Complementary MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR26309A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8DFN Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 14A (Tc), 5.7A (Ta), 21A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W (Ta), 7W (Tc), 1.5W (Ta), 20.8W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel, Common Drain (Complementary) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32308C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32314 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; 9.6W; DFN8; 3x3mm Case: DFN8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Dimensions: 3x3mm On-state resistance: 8.7mΩ Power dissipation: 9.6W Drain current: 25.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32314 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/30A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32314 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32318 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6360 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32318 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6360 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR32320 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32320C | Alpha & Omega Semiconductor | 30V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR32320C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 9772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR32320C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR32320C Код товару: 180701
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AONR32340C Код товару: 188231
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AONR34332C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 48A/50A 8DFN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR34332C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 22W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 78nC On-state resistance: 1.6mΩ Gate-source voltage: ±12V Power dissipation: 22W Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Case: DFN3.3x3.3 EP Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR36326C | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR36326C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 48A; 8W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 8W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR36326C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 20.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR36328 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 24W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AONR36366 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 15 V | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AONR36366 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |

