Продукція > SIS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISH136-680PF
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH136-681PF
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.70 грн
100+39.68 грн
500+29.17 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 16570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.78 грн
100+34.16 грн
500+24.96 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 24125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.88 грн
6000+19.51 грн
9000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.30 грн
11+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+60.31 грн
100+41.87 грн
500+32.51 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.85 грн
6000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+65.36 грн
100+50.56 грн
500+37.42 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 16603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.06 грн
6000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 7459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.08 грн
100+28.79 грн
500+20.84 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.17 грн
34+22.46 грн
100+21.32 грн
250+19.42 грн
500+18.35 грн
1000+18.05 грн
3000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH521EDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH536DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67.4 A, 0.00325 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00325ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.75 грн
21+39.83 грн
100+28.21 грн
500+20.00 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH536DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67.4 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.63 грн
500+20.00 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds; 12V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 10771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.83 грн
500+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 70334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+38.12 грн
100+26.32 грн
500+19.43 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.29 грн
50+60.80 грн
100+39.83 грн
500+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 16544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.02 грн
500+28.00 грн
1500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 14132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+59.02 грн
100+39.08 грн
500+28.62 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 15241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 16544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
50+63.40 грн
100+42.02 грн
500+28.00 грн
1500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.44 грн
6000+22.46 грн
9000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.55 грн
500+24.83 грн
1500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.40 грн
100+31.08 грн
500+22.57 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.72 грн
50+52.75 грн
100+34.55 грн
500+24.83 грн
1500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.73 грн
12+68.28 грн
100+44.54 грн
500+31.85 грн
1000+26.55 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.36 грн
6000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.54 грн
500+31.85 грн
1000+26.55 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 6255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.40 грн
100+39.35 грн
500+28.83 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 35183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
11+74.78 грн
100+49.91 грн
500+33.51 грн
1000+28.22 грн
5000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 30V
на замовлення 19890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.91 грн
500+33.51 грн
1000+28.22 грн
5000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+54.72 грн
100+41.54 грн
500+31.68 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISHA06DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.72 грн
500+37.14 грн
1000+31.28 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+58.04 грн
100+45.38 грн
500+33.54 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET SH, 3 mO 10V, 4 mO 4.5V
на замовлення 11939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISHA06DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.17 грн
13+64.87 грн
100+50.72 грн
500+37.14 грн
1000+31.28 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.58 грн
500+39.10 грн
1000+31.42 грн
5000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.62 грн
10+82.91 грн
100+59.58 грн
500+39.10 грн
1000+31.42 грн
5000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 25A
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+63.93 грн
100+42.48 грн
500+31.22 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 22A
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.34 грн
100+33.10 грн
500+24.09 грн
1000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 19.7A
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.74 грн
6000+19.36 грн
9000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+51.93 грн
100+34.14 грн
500+24.88 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISM-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM650SIS
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM650BOAA-DH-1SIS0444/0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661FXSISBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661FX(A1)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661FXA1
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661MXSIS06+
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661MXB1
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiSM671A1
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM672A1BDSIS08+
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM741
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM760GXLV
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM760LV
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM76A3
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915DKSilicon LabsN/A N/A/-40 TO 85 OC/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915DKSilicon LabsDescription: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Type: Transceiver, Microcontroller
Frequency: 915MHz
For Use With/Related Products: Si1000
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915EKSilicon LabsRF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915EKSilicon LabsN/A N/A/-40 TO 85 OC/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR EVALUATION KIT EVALKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]