Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSA42NSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 11501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92AP
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSBH10OF
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.73 грн
50+128.41 грн
100+124.81 грн
500+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.73 грн
10+199.31 грн
100+155.70 грн
500+120.63 грн
1000+112.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.36 грн
10+157.44 грн
100+147.70 грн
500+125.18 грн
1000+114.06 грн
2000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+213.36 грн
90+157.44 грн
100+147.70 грн
500+125.18 грн
1000+114.06 грн
2000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.05 грн
50+152.42 грн
100+140.50 грн
500+108.39 грн
1000+100.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.67 грн
10+202.13 грн
100+142.77 грн
500+110.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.28 грн
10+196.42 грн
100+143.56 грн
500+110.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006D
Код товару: 108577
Додати до обраних Обраний товар
STДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006G-TRSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: I2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-262
Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.46 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.85 грн
10+148.69 грн
100+103.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMDIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.97 грн
10+197.31 грн
100+139.25 грн
500+110.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDescription: 650 V 10 A power Schottky silico
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.10 грн
50+112.98 грн
100+107.74 грн
500+92.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 470A
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.70 грн
10+203.24 грн
100+164.38 грн
500+137.13 грн
1000+117.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.42 грн
10+183.60 грн
100+129.57 грн
500+110.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.00 грн
10+197.61 грн
100+159.84 грн
500+133.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.58 грн
10+200.57 грн
100+157.06 грн
500+122.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 0.4mA
Max. load current: 25A
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 71A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.69 грн
10+245.49 грн
100+194.01 грн
500+155.75 грн
1000+149.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.99 грн
10+382.92 грн
100+280.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.94 грн
50+193.31 грн
100+174.74 грн
500+153.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 117  [ Наступна Сторінка >> ]