Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC10H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.94 грн
50+193.31 грн
100+174.74 грн
500+153.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.35 грн
10+289.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.78 грн
50+202.86 грн
100+187.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+293.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.83 грн
10+230.30 грн
100+179.32 грн
500+150.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+323.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.71 грн
10+306.35 грн
100+247.86 грн
500+206.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.43 грн
10+276.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.4mA
Max. forward impulse current: 71A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+367.62 грн
101+348.88 грн
500+331.32 грн
1000+301.43 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive Grade 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.50 грн
10+177.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 7762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+556.15 грн
30+468.86 грн
100+374.18 грн
250+342.86 грн
500+257.38 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.15 грн
10+473.54 грн
25+468.86 грн
100+374.18 грн
250+342.86 грн
500+257.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+483.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.21 грн
10+334.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.85 грн
30+211.87 грн
120+179.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.78 грн
50+162.82 грн
100+161.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 113765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 36 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 113765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.12 грн
10+189.01 грн
100+133.94 грн
500+103.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+251.95 грн
70+201.09 грн
100+183.95 грн
500+174.85 грн
1000+157.22 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.95 грн
10+201.09 грн
100+183.95 грн
500+174.85 грн
1000+157.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 36 nC, TO-220ACFP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACFP
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.59 грн
50+159.50 грн
100+145.54 грн
500+127.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.66 грн
10+190.20 грн
100+134.78 грн
500+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.37 грн
10+208.58 грн
100+148.51 грн
500+131.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.03 грн
10+210.27 грн
25+208.21 грн
50+198.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.07 грн
10+222.59 грн
100+166.79 грн
500+129.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+285.77 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 12A 600V 12nC Schottky Carbide
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+286.07 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 12A TO-220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 12 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.64 грн
10+216.88 грн
100+175.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.99 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12H065CT - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 12A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 12 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.14 грн
50+139.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.73 грн
10+243.86 грн
100+197.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.10 грн
50+266.60 грн
100+244.87 грн
500+196.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]