Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 8.0 Amp 30 Volt
на замовлення 7027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPS8L30B-TR - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 630 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 630mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+48.99 грн
100+37.71 грн
500+27.64 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.80 грн
11+72.66 грн
25+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.07 грн
10+65.67 грн
100+51.03 грн
500+40.59 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Auto LDO Pwr Schottky Rectifier
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLAT
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Current - Average Rectified (Io): 8A
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+74.59 грн
100+49.83 грн
500+36.80 грн
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPS8L30DEE-TR - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 8 A, 570 mV, 100 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 570mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STPS8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.90 грн
13+58.85 грн
25+58.56 грн
100+49.11 грн
250+45.21 грн
500+39.13 грн
1000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Switch Mode REC 8A 30V Vrrm 0.34V VF
на замовлення 10316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPS8L30DEE-TR - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 8 A, 570 mV, 100 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 570mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STPS8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+58.85 грн
242+58.56 грн
278+50.93 грн
279+48.83 грн
500+40.76 грн
1000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30HSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42 (MPSA42) (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 2797
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 50 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 40
Монтаж: THT
у наявності: 161 шт
  • 42 шт - склад
  • 91 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 188 шт
  • 188 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42-APonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92AP
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA42NSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 11501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSA92-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92AP
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSBH10OF
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.77 грн
10+182.47 грн
50+141.25 грн
100+120.11 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 900uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Leakage current: 0.9mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.96 грн
10+206.77 грн
50+160.89 грн
100+137.13 грн
500+112.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.30 грн
10+198.77 грн
50+154.43 грн
100+131.52 грн
500+108.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 42A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.60 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.82 грн
10+179.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.00 грн
10+201.89 грн
100+147.56 грн
500+113.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006D
Код товару: 108577
Додати до обраних Обраний товар
STДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006G-TRSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: I2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-262
Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMDIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.47 грн
10+152.83 грн
100+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.63 грн
10+202.81 грн
100+143.13 грн
500+113.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDescription: 650 V 10 A power Schottky silico
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 470A
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.91 грн
10+209.74 грн
50+163.30 грн
100+139.20 грн
500+114.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.71 грн
10+208.90 грн
100+168.96 грн
500+140.95 грн
1000+120.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 119  [ Наступна Сторінка >> ]