Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC2H12B-TR1STMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 80µA
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.99 грн
10+136.08 грн
50+104.33 грн
100+88.32 грн
500+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.65 грн
7500+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 2 A High surge Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.69 грн
162+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.71 грн
50+71.02 грн
100+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC2H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 15.6 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 15.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+104.26 грн
10+77.27 грн
100+63.41 грн
1000+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.69 грн
10+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.50 грн
10+458.85 грн
50+368.21 грн
100+318.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 585 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+499.24 грн
10+283.56 грн
100+206.13 грн
600+186.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+453.36 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 562 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+526.64 грн
10+300.07 грн
100+218.53 грн
600+199.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Automotive Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+539.75 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 193 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+996.20 грн
10+903.20 грн
25+752.78 грн
50+728.64 грн
100+663.41 грн
250+630.79 грн
600+590.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.72 грн
10+881.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 30 A SILICON
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2272pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 225 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.67 грн
10+1058.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 174 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1196.35 грн
10+1083.99 грн
25+904.12 грн
50+874.11 грн
100+795.83 грн
250+757.34 грн
600+708.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.90 грн
10+614.05 грн
100+538.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 331 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+745.06 грн
10+515.37 грн
100+440.32 грн
600+439.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 2x15A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC31H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247; Ir: 600uA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Case: TO247
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 105A
Max. load current: 38A
Mounting: THT
Technology: SiC
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Leakage current: 0.6mA
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1046.61 грн
2+862.67 грн
4+815.53 грн
5+814.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.66 грн
30+504.25 грн
120+431.11 грн
510+384.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon-carbide diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode
на замовлення 362 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+628.62 грн
10+426.10 грн
100+328.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40065CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247; Ir: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Leakage current: 2mA
Application: automotive industry
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+657.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.35 грн
10+605.27 грн
100+456.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Diode, D2PAK-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+103.77 грн
100+70.99 грн
500+53.45 грн
1000+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
на замовлення 900 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+164.38 грн
10+99.77 грн
100+62.30 грн
500+50.95 грн
1000+47.55 грн
2500+43.18 грн
5000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406D
Код товару: 57913
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 533 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+684.17 грн
10+526.62 грн
1200+290.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.87 грн
30+816.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40G12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 202 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 40A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1518.27 грн
10+1380.31 грн
25+1146.78 грн
50+1078.94 грн
100+1025.45 грн
250+977.83 грн
600+930.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 40A POWER SCH
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1643.45 грн
30+990.17 грн
120+980.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 387 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+998.48 грн
10+718.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1045.91 грн
10+814.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 129 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 2x20A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
на замовлення 596 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1250.39 грн
10+930.21 грн
25+806.92 грн
100+656.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+137.75 грн
10+103.52 грн
100+72.41 грн
500+70.45 грн
1000+60.01 грн
2000+39.53 грн
5000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 150 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+154.49 грн
10+74.19 грн
100+57.80 грн
500+45.86 грн
1000+44.23 грн
2500+42.66 грн
5000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.24 грн
10+98.33 грн
50+74.44 грн
100+62.63 грн
500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin SMB Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065UFY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, DO-221AA (SMB flach)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.57 грн
10+110.47 грн
50+84.00 грн
100+70.81 грн
500+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin SMB Flat Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065UFY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, DO-221AA (SMB flach)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AA (SMB flach)
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.30 грн
5000+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+168.95 грн
10+107.27 грн
100+63.99 грн
500+51.01 грн
1000+47.82 грн
2500+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.25 грн
10+109.13 грн
50+83.02 грн
100+69.99 грн
500+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.82 грн
5000+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+143.08 грн
10+62.86 грн
100+53.16 грн
500+42.40 грн
1000+41.03 грн
2000+36.40 грн
5000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+238.97 грн
10+114.78 грн
100+70.45 грн
500+58.71 грн
1000+50.23 грн
2000+47.75 грн
5000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.39 грн
10+74.19 грн
3000+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.85 грн
10+135.45 грн
100+120.90 грн
500+106.94 грн
3000+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+174.85 грн
106+135.45 грн
119+120.90 грн
500+106.94 грн
3000+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 12301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+179.56 грн
500+170.04 грн
1000+160.53 грн
10000+145.63 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.