Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+159.65 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+159.65 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6A 600V 6nC Schottky Carbide
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
1000+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606GSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 600V; 6A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 27A
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 6 A SiC Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+139.95 грн
100+96.05 грн
500+73.34 грн
1000+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.30 грн
5000+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.02 грн
10+144.60 грн
50+111.00 грн
100+93.98 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.23 грн
50+122.49 грн
100+100.78 грн
500+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.20 грн
50+158.51 грн
100+144.59 грн
500+116.01 грн
1000+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.00 грн
10+168.90 грн
50+130.13 грн
100+110.38 грн
500+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ACIns
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.07 грн
89+159.02 грн
100+145.06 грн
500+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.37 грн
25+75.77 грн
100+72.49 грн
250+66.58 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 6A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerFLAT
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.25mA
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.89 грн
10+152.22 грн
100+105.66 грн
500+80.50 грн
1000+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.37 грн
187+75.77 грн
188+75.17 грн
250+71.90 грн
500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAKHV; SiC; SMD; 1.2kV; 6A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D2PAKHV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.94 грн
10+184.37 грн
100+129.42 грн
500+99.44 грн
1000+92.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V 6A Schottky 1.55V Vf 30pF 29nC
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6TH13TISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 6A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
50+193.01 грн
100+165.44 грн
500+138.01 грн
1000+118.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.61 грн
50+102.64 грн
100+92.62 грн
500+70.44 грн
1000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.44 грн
10+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A SiC Power schottky Diode
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC806DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC806DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
на замовлення 980 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC806DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC806DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.62 грн
10+106.14 грн
100+100.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 13528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+122.66 грн
100+99.67 грн
500+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.19 грн
10+181.32 грн
100+127.27 грн
500+98.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicn carbid TO-220
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.95 грн
10+172.18 грн
50+133.04 грн
100+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 33A
Max. forward impulse current: 420A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 33A
Leakage current: 335µA
Max. forward impulse current: 420A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.59 грн
10+204.86 грн
50+158.97 грн
100+135.32 грн
500+111.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DI - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerFLAT
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Max. load current: 32A
Leakage current: 335µA
Max. forward impulse current: 0.8kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbid T2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119  [ Наступна Сторінка >> ]