Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFD320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 400V .49A N-CH MOSFET
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.02 грн
10+81.91 грн
100+58.38 грн
250+58.03 грн
500+57.33 грн
2500+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD320PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF. - MOSFET N, HEXDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD322Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD322HARRISIRFD322
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+164.19 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD323Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+110.99 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD323HARRISIRFD323
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+146.48 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420
Код товару: 86636
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFMOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 370
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.49 грн
10+113.23 грн
100+78.91 грн
500+69.83 грн
1000+63.40 грн
2500+52.30 грн
5000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010IR09+
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.61 грн
10+74.12 грн
100+51.88 грн
2500+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP
Case: HVMDIP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
10+83.91 грн
100+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF. - P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.87 грн
10+86.35 грн
25+78.37 грн
50+65.81 грн
100+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9012
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014 (транзистор полевой)
Код товару: 43571
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Uds,V: 60 V
Id,A: 1 A
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+185, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.15 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF
Код товару: 43657
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,1 A
Rds(on),Om: 0,50 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.50 грн
100+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.15 грн
13+59.51 грн
100+53.16 грн
500+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.42 грн
10+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020IR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD9020PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.27 грн
10+93.69 грн
100+70.96 грн
500+47.81 грн
1000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.63 грн
10+99.57 грн
100+64.94 грн
250+64.03 грн
500+54.40 грн
1000+48.18 грн
2500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+202.23 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.97 грн
10+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024
Код товару: 31844
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Uds,V: 80 V
Id,A: 1,6 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFMOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBF
Код товару: 48522
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.16 грн
10+98.57 грн
100+97.76 грн
500+70.43 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110HARRISIRFD9110
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.35 грн
1000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110HARRISIRFD9110
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.35 грн
1000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110Harris CorporationDescription: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 6914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110SiliconixP-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF
Код товару: 59118
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,7 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+106.10 грн
156+90.89 грн
200+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.34 грн
10+100.20 грн
100+77.15 грн
500+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF(MOSFET,P-CH,100V,0.7A,DIP-4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+205.06 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.53 грн
10+85.92 грн
100+63.61 грн
500+56.07 грн
2500+47.55 грн
25000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113(MOSFET,P-CH,80V,0.6A,DIP-4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Vishay / SiliconixMOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113Harris CorporationDescription: -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113HARRISIRFD9113
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9113HARRISIRFD9113
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120HARRISIRFD9120
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+115.16 грн
1000+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 11222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.97 грн
10+94.50 грн
100+70.96 грн
500+57.95 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBF
Код товару: 31845
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HD-1
Uds,V: 100 V
Id,A: 1 А
Rds(on),Om: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBFVishay SiliconixP-CH. 100V 1.0A HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.68 грн
500+96.91 грн
1000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.68 грн
500+96.91 грн
1000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 15501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.68 грн
500+96.91 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123HARRISIRFD9123
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.68 грн
500+96.91 грн
1000+89.38 грн
10000+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9123PBFVishayMOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210
Код товару: 155079
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 200 V
Id,A: 0,4 A
Rds(on),Om: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8,9
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]