Продукція > NSV

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSVMMBT5087LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5088LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5088LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR NPN 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5088LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR PNP 150V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.80 грн
500+3.28 грн
1000+2.88 грн
2000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
27+11.42 грн
100+7.10 грн
500+4.90 грн
1000+4.33 грн
2000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.06A; 0.25W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT723
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 150 V, 60 mA
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.30 грн
110+7.31 грн
189+4.26 грн
500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRA
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
26+11.64 грн
100+7.28 грн
500+5.03 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
29+10.45 грн
100+6.38 грн
500+5.13 грн
1000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Transistor
на замовлення 29773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 11132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.79 грн
100+7.35 грн
500+5.08 грн
1000+4.49 грн
2000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS LS XSTR PNP 50V
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+34.77 грн
100+22.52 грн
500+16.19 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GON Semiconductor
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.92 грн
1000+4.06 грн
5000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
25+12.31 грн
100+7.72 грн
500+5.35 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.79 грн
55+14.71 грн
100+9.32 грн
500+6.34 грн
1000+4.86 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Trnsistr
на замовлення 7654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
11+28.21 грн
100+18.16 грн
500+12.95 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
20+15.00 грн
100+9.42 грн
500+6.56 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN
на замовлення 8227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA28LT1GonsemiDescription: NPN DARLINGTON TRANSISTOR 80V AE
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 125MHz
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 11713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
26+11.49 грн
30+10.15 грн
100+8.16 грн
250+7.51 грн
500+7.12 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GonsemiRF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
6000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.3W; SOT23; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 0.05A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
18+16.64 грн
100+13.23 грн
500+9.33 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 600MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 225mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GON Semiconductor50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GON Semiconductor50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
24+12.61 грн
100+7.87 грн
500+5.44 грн
1000+4.82 грн
2000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GON Semiconductor50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2113LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2113LT3GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2114LT3GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT23 BR XSTR PNP
на замовлення 19131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2114LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2130LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
6000+1.99 грн
9000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2131LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G
на замовлення 49948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
на замовлення 8836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
21+14.77 грн
100+7.22 грн
500+5.65 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G-M01onsemiDescription: NSVMMUN2132LT1G-M01
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G-M01onsemiDescription: MMUN2132L - NSVMMUN2132 - DIGITA
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8987+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 8987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.61 грн
1000+2.27 грн
5000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.75 грн
58+5.22 грн
100+3.48 грн
500+2.48 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.49 грн
111+7.29 грн
162+4.99 грн
500+3.35 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.91 грн
35+21.68 грн
36+21.25 грн
100+9.84 грн
250+9.02 грн
500+7.26 грн
1000+4.72 грн
3000+3.88 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 33310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.79 грн
9000+1.68 грн
15000+1.47 грн
21000+1.41 грн
30000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.90 грн
6000+3.48 грн
9000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
20+15.30 грн
100+7.47 грн
500+5.85 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2136LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
6000+2.09 грн
9000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2136LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
42+7.24 грн
100+4.49 грн
500+3.06 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2136LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 PNP DIGITA L TRAN
на замовлення 67855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2137LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2137LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8715+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 8715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2137LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2138LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
на замовлення 14797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 134930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.28 грн
500+2.92 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]