Продукція > NSV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSVMMBTH10LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 11713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
26+11.62 грн
30+10.27 грн
100+8.25 грн
250+7.60 грн
500+7.20 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.3W; SOT23; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GON Semiconductor50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 0.05A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
на замовлення 13488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT1GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+16.83 грн
100+13.38 грн
500+9.44 грн
1000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.76 грн
100+7.96 грн
500+5.51 грн
1000+4.87 грн
2000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GON Semiconductor50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GonsemiDescription: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3GON Semiconductor50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2113LT3GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2113LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2114LT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP
на замовлення 18464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2114LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2130LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2131LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 8...15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2131LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+7.02 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 8836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
21+14.94 грн
100+7.30 грн
500+5.71 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G-M01onsemiDescription: NSVMMUN2132LT1G-M01
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G-M01onsemiDescription: MMUN2132L - NSVMMUN2132 - DIGITA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8987+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 8987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.91 грн
35+21.68 грн
36+21.25 грн
100+9.84 грн
250+9.02 грн
500+7.26 грн
1000+4.72 грн
3000+3.88 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
58+5.28 грн
100+3.52 грн
500+2.51 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 33310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
6000+1.81 грн
9000+1.70 грн
15000+1.49 грн
21000+1.43 грн
30000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.47 грн
100+7.56 грн
500+5.91 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
6000+3.52 грн
9000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2136LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
42+7.32 грн
100+4.54 грн
500+3.09 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2136LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 PNP DIGITA L TRAN
на замовлення 67855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2136LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.47 грн
6000+2.12 грн
9000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2137LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8715+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 8715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2137LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2137LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2138LT1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
на замовлення 14674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GON SemiconductorТранзистор NPN з BRT, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 60, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA, Р, Вт = 0,246, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 25 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+7.02 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2217LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2217LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2217LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2230LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.64 грн
100+4.12 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2230LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2230LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
6000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 8...15
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 30438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1GonsemiDescription: SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.17 грн
100+4.42 грн
500+3.01 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2231LT1GonsemiDescription: SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT1onsemiDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 9278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+7.02 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 15...30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+7.02 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
2000+2.28 грн
5000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2232LT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 15130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2233LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.17 грн
100+4.42 грн
500+3.01 грн
1000+2.64 грн
2000+2.33 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2233LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2233LT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN
на замовлення 25800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2235LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSIST
на замовлення 104375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2235LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+7.02 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2235LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2235LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2236LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.64 грн
100+4.12 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2236LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
на замовлення 8955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2236LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
6000+1.92 грн
9000+1.80 грн
15000+1.56 грн
21000+1.48 грн
30000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2237LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
6000+1.92 грн
9000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2237LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 15961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2237LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.64 грн
100+4.12 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSA1162GT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V BIPOLAR SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSA1162GT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V BIPOLAR SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSA1162GT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC59 XSTR PNP 45V TR
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSB1218A-RT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSB1218A-RT1GonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE AMPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSB92T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2868+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 2868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSB92T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC59 HV XSTR PNP 300V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSB92T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.15A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.