Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJA80EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.01 грн
10+85.59 грн
25+84.73 грн
50+80.62 грн
100+62.45 грн
250+59.35 грн
500+52.23 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.23 грн
500+54.19 грн
1000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.59 грн
100+52.22 грн
500+38.80 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 транзистор
Код товару: 200909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EPVishayTrans MOSFET P-CH 80V 46A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1/GE3-XVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.46 грн
10+144.69 грн
100+103.23 грн
500+77.74 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 46A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.60 грн
10+145.02 грн
100+87.79 грн
500+71.76 грн
1000+66.54 грн
3000+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 Транзистори
на замовлення 785 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+211.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 46A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA81EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0143ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.23 грн
500+77.74 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.17 грн
500+30.80 грн
1000+28.29 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 13956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.54 грн
22+38.04 грн
100+36.17 грн
500+30.80 грн
1000+28.29 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.09 грн
10+77.21 грн
25+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA84EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.16 грн
100+51.06 грн
500+37.83 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA84EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 92794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.86 грн
10+72.35 грн
100+48.98 грн
500+38.95 грн
1000+33.79 грн
3000+31.14 грн
6000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA84EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.71 грн
6000+30.25 грн
9000+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+52.16 грн
100+40.55 грн
500+32.26 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 9448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.68 грн
10+74.43 грн
100+42.99 грн
500+33.79 грн
1000+30.80 грн
3000+26.61 грн
6000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 11913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.15 грн
500+39.48 грн
1000+29.68 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 11913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
13+64.38 грн
100+50.15 грн
500+39.48 грн
1000+29.68 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+71.25 грн
100+55.57 грн
500+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 77611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.58 грн
10+58.97 грн
100+35.95 грн
500+30.10 грн
1000+25.57 грн
3000+21.95 грн
6000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA88EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA90EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.81 грн
10+88.14 грн
100+51.42 грн
500+40.69 грн
1000+37.27 грн
3000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+80.99 грн
100+63.15 грн
500+48.96 грн
1000+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.69 грн
500+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.35 грн
10+87.79 грн
100+68.69 грн
500+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA94EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA94EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.44 грн
10+87.33 грн
100+50.02 грн
500+39.64 грн
1000+34.49 грн
3000+30.31 грн
6000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA94EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 11023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.48 грн
10+63.22 грн
100+42.78 грн
500+34.91 грн
1000+30.80 грн
3000+27.87 грн
6000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+71.25 грн
100+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA96EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0179 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0179ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.15 грн
500+39.48 грн
1000+29.68 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA96EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0179 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0179ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
13+64.38 грн
100+50.15 грн
500+39.48 грн
1000+29.68 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EPVishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 59634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.24 грн
10+80.92 грн
100+47.45 грн
500+37.55 грн
1000+34.56 грн
3000+30.80 грн
6000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
11+80.07 грн
100+54.30 грн
500+45.21 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.24 грн
10+80.92 грн
100+47.52 грн
500+37.55 грн
1000+34.63 грн
3000+30.31 грн
6000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.31 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
на замовлення 7974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB02ELP-T1"GE3 - DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE 42AJ0825
tariffCode: 0
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dual N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.81 грн
10+93.48 грн
25+84.54 грн
50+70.27 грн
100+57.20 грн
500+47.93 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.18 грн
100+44.89 грн
500+33.15 грн
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.43 грн
6000+26.37 грн
9000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB02ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.45 грн
500+35.40 грн
1000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.91 грн
10+73.63 грн
100+49.96 грн
500+41.25 грн
1000+32.61 грн
3000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB02ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
12+73.07 грн
100+48.45 грн
500+35.40 грн
1000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.41 грн
10+59.29 грн
100+35.95 грн
500+28.91 грн
1000+26.55 грн
3000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
13+66.33 грн
100+44.14 грн
500+29.59 грн
1000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
на замовлення 16695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.29 грн
100+43.45 грн
500+31.96 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.25 грн
6000+25.27 грн
9000+24.29 грн
15000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB04ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.14 грн
500+29.59 грн
1000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+63.48 грн
100+49.35 грн
500+39.25 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 17124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.16 грн
10+69.71 грн
100+47.17 грн
500+39.99 грн
1000+32.61 грн
3000+30.66 грн
6000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.31 грн
6000+30.55 грн
9000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.64 грн
6000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.10 грн
10+42.06 грн
100+32.19 грн
500+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
10+104.86 грн
100+64.13 грн
500+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+69.74 грн
100+54.28 грн
500+43.18 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.13 грн
500+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB42EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0079 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0079ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0079ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 19795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.94 грн
500+44.76 грн
1000+33.65 грн
5000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB42EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 7900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.63 грн
10+96.73 грн
100+82.10 грн
500+70.12 грн
1000+48.98 грн
5000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+69.74 грн
100+54.28 грн
500+43.18 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Channel 40V PowerPAK
на замовлення 31160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.48 грн
10+74.43 грн
100+47.52 грн
500+37.55 грн
1000+34.63 грн
3000+30.31 грн
6000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.00 грн
10+87.33 грн
100+52.74 грн
500+44.73 грн
1000+39.02 грн
3000+33.09 грн
24000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.61 грн
10+92.94 грн
100+59.50 грн
500+47.38 грн
1000+43.27 грн
3000+39.36 грн
6000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.70 грн
500+44.00 грн
1000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.75 грн
10+95.92 грн
100+64.70 грн
500+44.00 грн
1000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.08 грн
100+51.05 грн
500+37.82 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 39861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.60 грн
10+71.31 грн
100+48.28 грн
500+38.18 грн
1000+33.30 грн
3000+30.66 грн
6000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]