Продукція > IXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTH32P20T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V | на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH340N04T4 | IXYS | MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH340N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH34N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH34N65X2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Gate charge: 54nC Features of semiconductor devices: ultra junction x-class | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH34N65X2 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 34 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 540 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 540 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH34N65X2 | IXYS | MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH360N055T2 | IXYS | MOSFETs 360Amps 55V | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH360N055T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH360N055T2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 360A Power dissipation: 935W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 78ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36N20T | IXYS | MOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36N50P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36N50P | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 540W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36N50P | IXYS | MOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36N50P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36N50P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH36P10 | IXYS | MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36P10 | IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36P15P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH36P15P | IXYS | MOSFETs PolarP Power MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH38N30L2 | Littelfuse | MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N100P | IXYS | MOSFETs 3 Amps 1000V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N100P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 820ns | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH3N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH3N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH3N120 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH3N120 | IXYS | MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N150 | MFET N-CH U=1500В I= 3 A R= 7.3 Om P=250W TO-247) задержка 19 нсек Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTH3N150 | IXYS | MOSFETs High Voltage Power MOSFET | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N150 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N150 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH3N150 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38.6nC Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N200P3HV | Littelfuse | POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N200P3HV | IXYS | Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH3N200P3HV | IXYS | MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3 | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH40N30 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH40N30 | IXYS | MOSFETs 40 Amps 300V 0.085 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH40N30 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 300V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH40N50L2 | IXYS | MOSFETs 40 Amps 500V | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH40N50L2 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 540 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 540 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH40N50L2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH40N50L2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH41N25 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH41N25 | IXYS | MOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH420N04T2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; 935W; TO247-3; 74ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 420A Power dissipation: 935W Case: TO247-3 On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 74ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH420N04T2 | IXYS | MOSFET Trench T2 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH420N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 420A TO247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH440N055T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 440A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH440N055T2 | IXYS | MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH44N25L2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH44N25L2 | IXYS | MOSFETs TO247 250V 44A N-CH LINEAR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH44N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH44P15T | IXYS | MOSFETs -44 Amps -150V 0.065 Rds | на замовлення 3458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH44P15T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH44P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH450P2 | IXYS | MOSFET PolarP2 Power MOSFET | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH450P2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH460P2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH460P2 | IXYS | MOSFETs PolarP2 Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH460P2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N15 | IXYS | MOSFETs 48 Amps 150V 0.032 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N15 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N20 | IXYS | MOSFETs 48 Amps 200V 0.050 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N20 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 275W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Power Dissipation (Max): 275W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH48N65X2 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 48 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 660 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 660 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N65X2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Case: TO247-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 660W Technology: X2-Class Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Gate charge: 76nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Reverse recovery time: 400ns Mounting: THT | на замовлення 158 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH48N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 660W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH48N65X2 | IXYS | MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH48P20P | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH48P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 48 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 462W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48P20P | IXYS | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3 Mounting: THT Drain current: -48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -200V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 85mΩ Reverse recovery time: 260ns Power dissipation: 462W Gate charge: 103nC Polarisation: unipolar Technology: PolarP™ | на замовлення 119 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH48P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48P20P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH48P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48P20P | IXYS | MOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTH48P20P | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTH48P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH48P20P транзистор Код товару: 202095
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTH4N100L | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 290W; TO247-3; 1.1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1.1µs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH4N150 | IXYS | MOSFETs High Voltage Power MOSFET | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH4N150 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 900ns Gate charge: 44.5nC Features of semiconductor devices: standard power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH4N150 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH4N150 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH500N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH500N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 500A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH500N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 500A TO247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH500N04T2 | IXYS | MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH50N20 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH50N20 | на замовлення 546 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IXTH50N20 | IXYS | MOSFETs 50 Amps 200V 0.045 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH50N20 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH50N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH50N25T | IXYS | MOSFETs Trench Gate Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTH50N30 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |