Продукція > PCD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PCDH2065CCG1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 98W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.36 грн
5+301.91 грн
30+266.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.56 грн
10+268.78 грн
100+254.03 грн
500+162.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGB-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGB-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
30+244.25 грн
120+204.03 грн
510+163.82 грн
1020+161.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGB_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 48A
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.4V
Power dissipation: 138W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGC-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 28A
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCGC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.93 грн
30+207.39 грн
120+172.24 грн
510+137.46 грн
1020+132.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH30120CCG1_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH30120CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1446.14 грн
10+1226.98 грн
100+1061.17 грн
500+902.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCG1-AU-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCG1-T0PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-247AD-3LD/SIC/SIC-300CTUWH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.22 грн
10+353.54 грн
100+333.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGB-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGB-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.70 грн
30+336.21 грн
120+283.97 грн
510+238.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGC-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.45 грн
30+290.32 грн
120+243.95 грн
510+199.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH3065CCGC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH40120CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH40120CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1711.07 грн
10+1464.28 грн
100+1280.72 грн
500+1025.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH40120CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH4065CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH4065CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.71 грн
10+775.69 грн
100+670.85 грн
500+570.55 грн
1000+523.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH4065CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH4065CCGC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDK4-01P-11-00AHDEGSONPCDK4-01P-11-00AH Клеммник на дин-рейку Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDK4-01P-11-00AH
Код товару: 151693
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
PCDK4-01P-11-00L(H)DegsonDescription: DIN Rail Terminal Block
Packaging: Bulk
Color: Gray
Type: Feed Through
Termination Style: Screw
Number of Levels: 2
Terminal - Width: 6.2mm
Voltage - IEC: 630V
Voltage - UL: 300V
Wire Gauge or Range - AWG: 10-24 AWG
Wire Gauge or Range - mm²: 0.2-4mm²
Current - UL: 30 A
Current - IEC: 32 A
Number of Positions: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDK4-01P-11-00Z(H)DEGSON ELECTRONICSCategory: Rail mounted connectors
Description: Splice terminal: rail; 32A; 630V; for DIN rail mounting; grey
Type of splice terminal: rail
Current rating: 32A
Rated voltage: 0.63kV
Mechanical mounting: for DIN rail mounting
Colour: grey
Wire size: 24AWG...10AWG
Wire cross-section: 0.2mm2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
20+82.19 грн
50+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDK4-PE-01P-1Y-00A(H)
Код товару: 151695
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDN004Y
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0465G1_T0_00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0465G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 146pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+148.54 грн
100+118.19 грн
500+93.85 грн
1000+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0465GB-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0465GB_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP05120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 252pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
50+130.06 грн
100+117.85 грн
500+99.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP05120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0665G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-60WH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0665G1_T0_00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0665G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
50+164.89 грн
100+141.33 грн
500+117.89 грн
1000+100.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0665GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.99 грн
50+194.64 грн
100+177.35 грн
500+137.99 грн
1000+129.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0665GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP08120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP08120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.02 грн
50+233.91 грн
100+225.79 грн
500+181.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP08120GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: SIC DIODE 1200V/8A IN TO-220AC P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP08120GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/8A in TO-220AC package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0865G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 296pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.20 грн
50+102.33 грн
100+92.37 грн
500+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0865G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0865GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.88 грн
50+177.24 грн
100+173.98 грн
500+142.09 грн
1000+138.82 грн
2000+64.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0865GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0865GC-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0865GC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0865GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
50+93.19 грн
100+83.98 грн
500+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP10120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP10120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.48 грн
50+238.93 грн
100+229.79 грн
500+166.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
50+153.22 грн
100+147.36 грн
500+116.92 грн
1000+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065GB-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.23 грн
50+206.51 грн
100+200.86 грн
500+172.80 грн
1000+171.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065GC-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065GC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.58 грн
50+207.43 грн
100+189.59 грн
500+148.62 грн
1000+144.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1265G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 452pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.82 грн
10+273.08 грн
100+220.93 грн
500+184.30 грн
1000+157.80 грн
2000+148.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1265G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1265GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.75 грн
10+377.85 грн
100+314.89 грн
500+260.74 грн
1000+234.67 грн
2000+219.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1265GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.96 грн
10+369.24 грн
100+298.76 грн
500+249.22 грн
1000+213.40 грн
2000+200.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-150WH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: TO-220AC, SIC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 815pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.36 грн
50+445.26 грн
100+411.67 грн
500+353.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120G1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 880A
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 223.9W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Max. load current: 120A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 140µA
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/15A in TO-220AC package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: SIC DIODE 1200V/15A IN TO-220AC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1665G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1665G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.48 грн
50+322.19 грн
100+276.16 грн
500+230.37 грн
1000+197.26 грн
2000+185.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1665GB_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1665GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 995pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.94 грн
50+448.92 грн
100+401.67 грн
500+332.60 грн
1000+299.34 грн
2000+280.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1665GC_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1665GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.10 грн
50+376.05 грн
100+336.45 грн
500+278.61 грн
1000+250.75 грн
2000+234.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP20120G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-200WH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP20120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.50 грн
50+551.42 грн
100+511.65 грн
500+455.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP20120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP20120GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/20A in TO-220AC package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP20120GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: SIC DIODE 1200V/20A IN TO-220AC
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.14 грн
50+377.23 грн
100+347.74 грн
500+290.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP2065G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: TO-220AC, SIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.79 грн
10+857.74 грн
100+724.40 грн
500+604.75 грн
1000+584.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP2065G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP2065GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1211pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.35 грн
10+609.41 грн
100+507.83 грн
500+420.51 грн
1000+378.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP2065GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.78 грн
10+488.72 грн
100+407.24 грн
500+337.22 грн
1000+303.50 грн
2000+284.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDR0745MT3R3
на замовлення 65200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PCDR1045MT151Viking TechDescription: FIXED IND 150UH 790MA 350MOHM SM
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]