Продукція > PCD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PCDH30120CCG1_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH30120CCG1_T0_00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH3065CCG1-AU-T0 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH3065CCG1-T0 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-247AD-3LD/SIC/SIC-300CTUWH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH3065CCG1_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH3065CCG1_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH3065CCGB-T0 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH3065CCGB-T0-006 | Panjit | SMA/SKY/SMD/SBM-20AH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH3065CCGB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH3065CCGB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH3065CCGC-T0 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH3065CCGC-T0-006 | Panjit | SMA/SKY/SMD/SBM-20AH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH3065CCGC_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH3065CCGC_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH40120CCG1_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH40120CCG1_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH40120CCGB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH4065CCG1_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH4065CCG1_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDH4065CCGB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDH4065CCGC_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDK4-01P-11-00AH | DEGSON | Клеммник на дин-рейку Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDK4-01P-11-00AH Код товару: 151693
Додати до обраних
Обраний товар
| Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники | у наявності: 4 шт
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PCDK4-01P-11-00L(H) | Degson | Description: DIN Rail Terminal Block Packaging: Bulk Color: Gray Type: Feed Through Termination Style: Screw Number of Levels: 2 Terminal - Width: 6.2mm Voltage - IEC: 630V Voltage - UL: 300V Wire Gauge or Range - AWG: 10-24 AWG Wire Gauge or Range - mm²: 0.2-4mm² Current - UL: 30 A Current - IEC: 32 A Number of Positions: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDK4-01P-11-00Z(H) | DEGSON ELECTRONICS | Category: Rail mounted connectors Description: Splice terminal: rail; 32A; 630V; for DIN rail mounting; grey Type of splice terminal: rail Current rating: 32A Rated voltage: 0.63kV Mechanical mounting: for DIN rail mounting Colour: grey Wire size: 24AWG...10AWG Wire cross-section: 0.2mm2 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDK4-PE-01P-1Y-00A(H) Код товару: 151695
Додати до обраних
Обраний товар
| Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PCDN004Y | на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PCDP0465G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 146pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0465G1_T0_00001 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0465GB-T0-00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP0465GB_T0_00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP05120G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 252pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 1927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP05120G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0665G1-T0-00001 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-60WH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP0665G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0665G1_T0_00001 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP0665GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0665GB_T0_00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP08120G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP08120G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP08120GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: SIC DIODE 1200V/8A IN TO-220AC P Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP08120GB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/8A in TO-220AC package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP0865G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 296pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0865G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0865GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0865GB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0865GC-T0-00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP0865GC_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP0865GC_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP10120G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP10120G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1065G1-T0-00001 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP1065G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1065G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1065GB-T0-00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP1065GB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1065GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1065GC-T0-00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP1065GC_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP1065GC_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1265G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 452pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1265G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1265GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1265GC_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP15120G1-T0-00001 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-150WH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP15120G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP15120G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: TO-220AC, SIC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 815pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP15120GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: SIC DIODE 1200V/15A IN TO-220AC Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP15120GB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/15A in TO-220AC package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP1665G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 16A Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1665G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1665GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 995pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1665GB_T0_00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP1665GC_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP1665GC_T0_00601 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP20120G1-T0-00001 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-200WH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP20120G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP20120G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V | на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP20120GB_T0_00601 | Panjit | SiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/20A in TO-220AC package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDP20120GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: SIC DIODE 1200V/20A IN TO-220AC Packaging: Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP2065G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | Description: TO-220AC, SIC | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP2065G1_T0_00001 | Panjit | SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP2065GB_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1211pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDP2065GC_T0_00601 | Panjit International Inc. | Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDR0745MT3R3 | на замовлення 65200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PCDR1045MT151 | Viking Tech | Description: FIXED IND 150UH 790MA 350MOHM SM | на замовлення 12750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDR201 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PCDR4-7REV1 | на замовлення 5653 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O217E_02.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, orange, OM2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O217E_03.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, orange, OM2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O217E_10.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O217E_20.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, orange, OM2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O317E_02.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O317E_03.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, turquois, OM3 | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O317E_05.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O317E_10.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O317E_15.0_MM | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, turquois, OM3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O417E_02.0_LL | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, heatherviolet, OM4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O417E_03.0_LL | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, heatherviolet, OM4 | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PCDS_LCMD_LCMD_O417E_05.0_LL | HUBER+SUHNER | Fibre Optic Cable Assemblies Duplex, LC classic-LC classic, MM, 1.7mm, heatherviolet, OM4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

