Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.21 грн
13+23.83 грн
100+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.57 грн
15+22.08 грн
100+15.08 грн
500+13.06 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.87 грн
23+35.93 грн
100+26.88 грн
500+20.50 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+47.34 грн
527+26.93 грн
560+25.33 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.27 грн
37+20.86 грн
100+17.55 грн
250+16.09 грн
500+13.74 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+20.86 грн
779+18.20 грн
787+18.02 грн
885+15.45 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.88 грн
500+20.50 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TR2PBF
Код товару: 98279
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.83 грн
36+21.51 грн
50+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TR
Код товару: 99498
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: PQFN5*6
Uds,V: 30 V
Id,A: 21 A
Rds(on),Om: 4,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5250/58
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+30.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.57 грн
250+66.23 грн
1000+45.39 грн
2000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.83 грн
10+78.98 грн
100+55.24 грн
500+41.11 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.38 грн
50+98.57 грн
250+66.23 грн
1000+45.39 грн
2000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.75 грн
10+81.91 грн
100+51.60 грн
250+51.53 грн
500+41.41 грн
1000+37.85 грн
2000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.86 грн
10+78.17 грн
50+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInternational RectifierP-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.02 грн
113+126.39 грн
154+92.26 грн
200+83.38 грн
500+64.97 грн
1000+56.40 грн
2000+50.83 грн
4000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHE4250DTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 25V,60 A Power Block PQFN 6x6
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHE4250DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFHE4250DTRPBF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHE4250DTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+147.99 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 29715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.82 грн
500+28.97 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1676000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.57 грн
243+58.40 грн
500+39.88 грн
1000+36.45 грн
2000+28.27 грн
4000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.38 грн
250+69.47 грн
500+66.96 грн
1000+62.47 грн
2500+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.06 грн
15+57.35 грн
100+37.47 грн
500+26.93 грн
1000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.83 грн
10+42.80 грн
100+25.49 грн
500+19.69 грн
1000+17.81 грн
2000+16.55 грн
4000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.20 грн
10+52.57 грн
100+34.35 грн
500+24.88 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4226TRPBFInfineon
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4231TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+11.34 грн
68+11.22 грн
69+10.72 грн
100+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4231TRPBF/BKNInfineon TechnologiesDescription: IRFHM4231TRPBF/BKN
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4234TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4234TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.69 грн
298+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4234TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.62 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4234TRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM7194TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM7194TRPBFInfineon / IRMOSFET TRENCH_MOSFETS
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TR2PBFIRFHM792TR2PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBFInfineon / IRMOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
на замовлення 20418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+86.73 грн
100+58.52 грн
500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+42.89 грн
1000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM792TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.69 грн
12+70.71 грн
100+60.20 грн
500+42.89 грн
1000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8228TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8228TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 12nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8235TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 7.3nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8235TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8235TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830DTR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830DTR2PBF
Код товару: 48693
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830DTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TR2PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TR2PBFInfineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.28 грн
13+64.44 грн
100+51.24 грн
500+36.46 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.80 грн
100+38.95 грн
500+27.30 грн
1000+25.28 грн
2000+23.74 грн
4000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.05 грн
10+64.45 грн
100+42.79 грн
500+31.44 грн
1000+28.63 грн
2000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.26 грн
246+57.75 грн
277+51.19 грн
308+44.51 грн
500+38.69 грн
1000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.48 грн
17+44.60 грн
25+41.93 грн
50+38.42 грн
100+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM831TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM831TR2PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM831TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM831TRPBFInfineon
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]