Продукція > RD3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RD3L220SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+161.34 грн
10+78.02 грн
100+60.60 грн
500+48.40 грн
1000+46.90 грн
2500+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.16 грн
10+107.04 грн
50+81.23 грн
100+68.40 грн
500+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+119.48 грн
10+56.34 грн
100+43.71 грн
500+34.51 грн
1000+33.14 грн
2500+28.25 грн
5000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3N03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 30 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 80V 30A
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.77 грн
10+75.77 грн
100+58.90 грн
500+46.84 грн
1000+45.53 грн
2500+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N045ATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 80V 4.5A
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+106.55 грн
10+67.07 грн
100+38.62 грн
500+30.27 грн
1000+27.59 грн
2500+24.66 грн
5000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N06BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+209.29 грн
10+134.28 грн
100+80.89 грн
500+65.10 грн
1000+62.82 грн
2500+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N06BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N06BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N07BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 80V 105A
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+243.53 грн
10+156.79 грн
100+95.24 грн
500+77.63 грн
2500+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.27 грн
10+72.36 грн
100+48.53 грн
500+35.97 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+124.05 грн
10+58.36 грн
100+44.75 грн
500+35.81 грн
1000+33.59 грн
2500+29.42 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+110.47 грн
152+93.94 грн
167+85.85 грн
200+78.43 грн
500+64.98 грн
1000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P02BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.06 грн
10+94.39 грн
100+63.99 грн
500+47.83 грн
1000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P02BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.70 грн
118+121.29 грн
129+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P02BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P02BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+149.16 грн
10+71.64 грн
100+54.53 грн
500+44.29 грн
1000+41.49 грн
2500+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P03BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P03BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P03BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 3736 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+165.91 грн
10+81.02 грн
100+61.12 грн
500+50.03 грн
1000+47.55 грн
2500+46.05 грн
5000+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P03BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 35A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.57 грн
10+110.77 грн
100+75.71 грн
500+56.99 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P03BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P03BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P03BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 35A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P04BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+134.70 грн
10+84.77 грн
100+48.73 грн
500+39.92 грн
1000+35.03 грн
2500+29.68 грн
5000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+122.53 грн
10+72.24 грн
100+45.47 грн
500+37.31 грн
1000+34.25 грн
2500+31.18 грн
5000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.95 грн
10+72.43 грн
100+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+108.83 грн
10+59.11 грн
100+38.23 грн
500+29.94 грн
1000+26.68 грн
2500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.205Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.68 грн
10+64.46 грн
50+48.10 грн
100+40.16 грн
500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+354.36 грн
58+247.34 грн
64+224.74 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.87 грн
10+160.79 грн
50+123.70 грн
100+104.91 грн
500+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+234.40 грн
10+150.03 грн
100+91.32 грн
500+74.36 грн
1000+73.06 грн
2500+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P06BBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P06BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+110.35 грн
10+90.77 грн
100+64.45 грн
2500+54.53 грн
5000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P06BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+142.31 грн
10+90.02 грн
100+53.10 грн
500+42.27 грн
1000+39.79 грн
2500+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P07BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P07BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P07BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.46 грн
10+157.96 грн
100+110.73 грн
500+84.98 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P07BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P07BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P07BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+267.89 грн
10+134.28 грн
100+105.68 грн
500+88.06 грн
1000+87.41 грн
2500+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P07BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 80A(Id), (6.0V Drive)
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+244.29 грн
10+158.29 грн
100+95.89 грн
500+78.28 грн
1000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTLROHMDescription: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTLROHMDescription: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.01 грн
10+158.85 грн
100+111.20 грн
500+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBKHRTTLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBKHRTTLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+264.84 грн
10+132.78 грн
100+104.37 грн
500+86.11 грн
2500+81.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.65 грн
10+172.77 грн
50+133.65 грн
100+113.60 грн
500+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRTTLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRTTLRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.41 грн
10+78.91 грн
100+55.99 грн
500+45.09 грн
1000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+135.47 грн
10+89.27 грн
100+52.12 грн
500+42.53 грн
1000+39.33 грн
2500+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 147mΩ
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 10A TO-252 (DPAK)
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+137.75 грн
10+65.19 грн
100+48.60 грн
500+40.25 грн
1000+36.99 грн
2500+32.81 грн
5000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.14 грн
10+85.23 грн
50+64.29 грн
100+53.98 грн
500+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P130SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -52A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -52A
Drain current: -13A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.76 грн
10+124.91 грн
50+95.22 грн
100+80.37 грн
500+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+162.10 грн
10+104.27 грн
100+68.49 грн
500+54.86 грн
1000+52.51 грн
2500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P130SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+114.67 грн
142+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -100V -13A TO-252(DPAK)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+168.19 грн
10+116.28 грн
100+69.80 грн
500+56.30 грн
1000+51.99 грн
2500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+109.13 грн
137+104.25 грн
250+100.07 грн
500+93.02 грн
1000+83.32 грн
2500+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+114.67 грн
142+100.69 грн
250+91.83 грн
500+79.83 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.02 грн
10+109.95 грн
100+75.26 грн
500+56.68 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1RohmMOSFET P-CH 100V 13A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+119.48 грн
10+87.77 грн
100+55.90 грн
500+47.95 грн
1000+44.36 грн
2500+39.86 грн
5000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.00 грн
10+108.76 грн
100+87.40 грн
500+67.39 грн
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL Rohm SemiconductorROHM - JapanTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63; RD3P175SNFRATL TRD3p175snfratl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.51 грн
10+93.35 грн
50+70.64 грн
100+59.41 грн
500+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.