Продукція > SiS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISS42DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS42LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0149 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.76 грн
10+108.49 грн
100+72.49 грн
500+53.28 грн
1000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Nch 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 23626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2058 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+74.55 грн
100+50.12 грн
500+37.22 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2058 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4304DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS4402DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.83 грн
500+53.58 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
на замовлення 12128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 128A (Tc)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.70 грн
10+105.22 грн
100+71.81 грн
500+53.98 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS4402DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.40 грн
10+114.92 грн
100+78.83 грн
500+53.58 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 128A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.90 грн
6000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-UE3VishayMOSFETs
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4402DN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4409DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.99 грн
6000+34.16 грн
9000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4409DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 P-CH 40V 17.2A
на замовлення 8602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4409DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 11182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.93 грн
10+84.40 грн
100+56.94 грн
500+42.39 грн
1000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4410DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4410DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS4410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 9000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.77 грн
15+57.38 грн
100+38.25 грн
500+27.83 грн
1000+23.35 грн
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4410DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4410DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 20 V
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+52.01 грн
100+34.28 грн
500+24.99 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4410DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS4410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 9000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.25 грн
500+27.83 грн
1000+23.35 грн
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS4634LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 8603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 14.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36.2A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 50 V
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.88 грн
10+93.80 грн
100+63.79 грн
500+47.82 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.95 грн
10+107.68 грн
100+75.14 грн
500+53.28 грн
1000+45.81 грн
5000+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.87 грн
500+47.01 грн
1000+40.78 грн
5000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+69.32 грн
100+46.27 грн
500+34.14 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 42848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.18 грн
10+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS5108DNVishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 10.5 mohm a. 10V 10.2 mohm a. 7.5V
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.40 грн
500+61.41 грн
1000+42.98 грн
5000+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.23 грн
10+110.51 грн
100+75.61 грн
500+56.95 грн
1000+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+116.52 грн
100+88.40 грн
500+61.41 грн
1000+42.98 грн
5000+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 12.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 55.9A
Power dissipation: 65.7W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 12337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.72 грн
6000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.77 грн
6000+39.45 грн
9000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46.4 A, 0.0126 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.33 грн
10+104.47 грн
100+71.20 грн
500+48.20 грн
1000+40.85 грн
5000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 12.6 m a. 10V 12.5 m a. 7.5V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.98 грн
10+95.51 грн
100+64.86 грн
500+48.55 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46.4 A, 0.0126 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.20 грн
500+48.20 грн
1000+40.85 грн
5000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5112DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.47 грн
6000+37.35 грн
9000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5112DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5112DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40.7 A, 0.0149 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.97 грн
500+52.83 грн
1000+39.74 грн
5000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5112DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 10741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.01 грн
10+91.11 грн
100+61.72 грн
500+46.10 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5112DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5112DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40.7 A, 0.0149 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.95 грн
10+93.22 грн
100+72.97 грн
500+52.83 грн
1000+39.74 грн
5000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5112DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5207DN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.7A (Ta), 136.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5207DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5208DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +8V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5208DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 172A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5208DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds +8 / -7 Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5208DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 172A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.10 грн
10+98.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 15 V
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+69.40 грн
100+46.47 грн
500+34.39 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS52DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.84 грн
12+69.03 грн
100+51.83 грн
500+37.91 грн
1000+31.82 грн
5000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 172A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 47.1A
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 172A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.26 грн
10+79.20 грн
25+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3VishaySISS54DN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
Pulsed drain current: 300A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.35 грн
10+108.20 грн
100+73.93 грн
500+55.62 грн
1000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3VishaySISS54DN
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.28 грн
10+136.37 грн
25+129.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.00 грн
6000+46.07 грн
9000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 36.3A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.86 грн
10+111.70 грн
100+79.32 грн
500+67.38 грн
1000+50.56 грн
5000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 26093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.68 грн
10+109.24 грн
100+74.70 грн
500+56.21 грн
1000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.32 грн
500+67.38 грн
1000+50.56 грн
5000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 23 m 10V
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.54 грн
10+102.06 грн
100+77.87 грн
500+53.13 грн
1000+46.22 грн
5000+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET
на замовлення 15159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.87 грн
500+53.13 грн
1000+46.22 грн
5000+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.16 грн
10+118.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5710DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5710DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 150V 26.2A N-CH MOSFET
на замовлення 19534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5710DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.34 грн
10+95.22 грн
100+75.82 грн
500+60.21 грн
1000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.98 грн
10+95.51 грн
100+64.86 грн
500+48.55 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.42 грн
10+106.08 грн
100+73.29 грн
500+54.32 грн
1000+48.15 грн
5000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.77 грн
6000+39.45 грн
9000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.29 грн
500+54.32 грн
1000+48.15 грн
5000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 66.6A
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 65.7W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+69.02 грн
100+46.05 грн
500+33.99 грн
1000+31.02 грн
2000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5810DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5812DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5812DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS588DN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.08 грн
10+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+86.56 грн
100+58.50 грн
500+43.59 грн
1000+39.96 грн
2000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS588DN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]