Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHG28N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG30N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG30N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG30N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3
Код товару: 172042
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.84 грн
10+336.45 грн
50+267.10 грн
100+229.74 грн
500+193.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+448.86 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+449.33 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3VishayMOSFET N-CH 500V 30A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG32N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 278
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 88A
Case: TO247AC
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+677.32 грн
28+505.88 грн
100+409.40 грн
500+350.50 грн
1000+285.77 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+677.32 грн
10+505.88 грн
100+409.40 грн
500+350.50 грн
1000+285.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.15 грн
25+334.41 грн
50+304.92 грн
100+262.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247AC
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 101A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+377.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+378.52 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.21 грн
25+332.83 грн
50+303.56 грн
100+261.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 40A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3
Код товару: 154667
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 123A; 329W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 123A
Power dissipation: 329W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 131nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 154A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG44N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.073 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5892 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG44N65EF-GE3VishaySIHG44N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG460B-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3094 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG460B-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG460B-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.57 грн
25+372.10 грн
100+357.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+522.57 грн
38+372.10 грн
100+357.18 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.77 грн
72+196.38 грн
100+193.84 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.25 грн
25+375.98 грн
50+343.52 грн
100+296.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.25 грн
25+413.41 грн
50+378.36 грн
100+327.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEL-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+248.49 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+896.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.03 грн
25+451.87 грн
50+414.23 грн
100+359.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.03 грн
10+512.73 грн
50+414.23 грн
100+359.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1000.32 грн
24+589.61 грн
100+536.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V, TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3
Код товару: 203041
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+691.29 грн
10+543.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.55 грн
10+587.97 грн
100+535.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1151.22 грн
15+975.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]