Продукція > SIZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.33 грн
6000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.33 грн
6000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.96 грн
10+52.86 грн
100+36.73 грн
500+27.65 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.96 грн
10+49.21 грн
100+32.25 грн
500+23.43 грн
1000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.15 грн
118+119.95 грн
150+94.40 грн
200+86.29 грн
500+68.54 грн
1000+51.51 грн
2000+48.53 грн
6000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.26 грн
6000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.33 грн
329+42.90 грн
333+42.48 грн
336+40.54 грн
500+37.17 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.83 грн
10+96.05 грн
25+95.11 грн
100+71.50 грн
250+65.53 грн
500+51.67 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.09 грн
10+61.42 грн
100+47.78 грн
500+38.01 грн
1000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.32 грн
10+60.68 грн
100+47.20 грн
500+37.54 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 14016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ700DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ700DT-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ700DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.43 грн
10+70.14 грн
100+46.94 грн
500+34.70 грн
1000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20W, 30W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 3609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.74 грн
6000+39.20 грн
9000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.83 грн
10+81.45 грн
100+63.32 грн
500+50.37 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ720DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ720DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ728DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ728DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.63 грн
10+49.96 грн
100+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 5506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.53 грн
10+82.94 грн
100+56.08 грн
500+41.83 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50...80A
Power dissipation: 29/66W
Gate charge: 21/65nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.5/8.3mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAIR® 3x3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12/23nC
Drain current: 12/16A
On-state resistance: 30/17mΩ
Power dissipation: 20/33W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 30...40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ916DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22.7W, 100W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.42 грн
10+106.62 грн
100+72.85 грн
500+54.79 грн
1000+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.67 грн
6000+44.86 грн
9000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3
Код товару: 118521
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.31 грн
10+83.02 грн
100+55.83 грн
500+41.45 грн
1000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3
Код товару: 173623
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 13649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Part Status: Active
на замовлення 13593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.94 грн
10+80.04 грн
100+56.65 грн
500+43.37 грн
1000+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20W, 66W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20W, 66W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.64 грн
10+95.38 грн
100+64.72 грн
500+48.41 грн
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.97 грн
10+85.32 грн
100+66.53 грн
500+51.58 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDTVishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDTVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]