Продукція > TPN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPN1110ENH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+96.06 грн
100+56.88 грн
500+45.91 грн
1000+43.35 грн
2500+40.04 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
10+84.57 грн
100+57.02 грн
500+42.25 грн
1000+36.86 грн
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.02 грн
500+42.25 грн
1000+36.86 грн
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12EUROPADescription: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.24 грн
500+37.77 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.21 грн
10+89.40 грн
100+60.24 грн
500+37.77 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1200APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1200APL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 11038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+53.03 грн
100+30.44 грн
500+23.68 грн
1000+19.67 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1200APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1200APL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN120NSTSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+68.80 грн
100+45.93 грн
500+33.88 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+62.00 грн
100+37.00 грн
500+31.27 грн
1000+27.75 грн
2500+26.92 грн
5000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.39 грн
500+31.11 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 42W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.42 грн
12+69.99 грн
100+46.39 грн
500+31.11 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14EUROPADescription: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.29 грн
500+29.32 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+25.80 грн
591+24.00 грн
593+23.91 грн
701+19.50 грн
1000+17.04 грн
5000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.67 грн
15+55.41 грн
100+37.29 грн
500+29.32 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.35 грн
100+40.00 грн
500+29.34 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V
на замовлення 19647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+55.49 грн
100+32.72 грн
500+26.92 грн
1000+23.13 грн
2500+22.44 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN19008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+49.06 грн
100+32.37 грн
500+23.62 грн
1000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN19008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.05 грн
6000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN19008QM,LQToshibaMOSFETs PD=57W F=1MHZ
на замовлення 69185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.60 грн
100+31.13 грн
500+25.27 грн
1000+22.92 грн
3000+19.88 грн
6000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN19008QM,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
16+53.64 грн
100+35.36 грн
500+25.58 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN19008QM,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.36 грн
500+25.58 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1PLABELEUROPADescription: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W
на замовлення 25276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+64.38 грн
100+37.14 грн
500+29.06 грн
1000+24.23 грн
2500+23.95 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 31966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.91 грн
100+37.74 грн
500+27.69 грн
1000+25.20 грн
2000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.37 грн
10000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 12491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.00 грн
12+72.16 грн
100+50.82 грн
500+34.78 грн
1000+29.41 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 12491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.82 грн
500+34.78 грн
1000+29.41 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.14 грн
10+93.68 грн
100+61.03 грн
500+49.22 грн
1000+45.22 грн
2500+41.90 грн
5000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 14178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+90.27 грн
100+63.56 грн
500+47.65 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
50+68.46 грн
250+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
50+68.46 грн
250+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQToshibaMOSFETs N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+48.98 грн
100+29.55 грн
500+27.34 грн
3000+23.54 грн
6000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+59.61 грн
100+45.86 грн
500+34.03 грн
1000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.13 грн
500+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.54 грн
16+52.35 грн
100+37.13 грн
500+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2222ACDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 35...300
Kind of package: bulk
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.82 грн
180+2.33 грн
500+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2907ACDILPNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2907A
Код товару: 187366
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2907ACDILPNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2907ACDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Current gain: 35...300
Kind of package: bulk
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.64 грн
190+2.24 грн
500+2.02 грн
2000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NCToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.80 грн
100+48.11 грн
500+35.64 грн
1000+32.58 грн
2000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
на замовлення 12804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+80.98 грн
100+47.29 грн
500+37.42 грн
1000+31.69 грн
5000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.62 грн
11+77.56 грн
100+51.55 грн
500+37.77 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.22 грн
307+46.19 грн
330+43.00 грн
331+41.35 грн
500+32.27 грн
1000+29.26 грн
5000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.55 грн
500+37.77 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NCL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.74 грн
100+36.25 грн
500+26.55 грн
1000+24.14 грн
2000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+55.65 грн
100+32.38 грн
500+26.51 грн
1000+22.57 грн
5000+19.61 грн
10000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q
Код товару: 194006
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 21345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.34 грн
50+67.81 грн
250+48.97 грн
1000+34.48 грн
3000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 21345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.81 грн
250+48.97 грн
1000+34.48 грн
3000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PLL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R503NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R503NC,L1QToshibaMOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R503NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 17780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+80.98 грн
100+47.29 грн
500+37.42 грн
1000+31.69 грн
5000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.01 грн
10000+74.60 грн
15000+74.17 грн
20000+71.11 грн
25000+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+59.98 грн
100+42.02 грн
500+34.18 грн
1000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.01 грн
10000+74.60 грн
15000+74.17 грн
20000+71.11 грн
25000+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.62 грн
11+77.56 грн
100+51.55 грн
500+37.77 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.55 грн
500+37.77 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.30 грн
317+44.82 грн
334+42.53 грн
500+38.35 грн
1000+33.34 грн
5000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NLL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+55.33 грн
100+32.38 грн
500+26.44 грн
1000+22.57 грн
2500+22.16 грн
5000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]