Продукція > SIR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIRA84BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.98 грн
18+42.63 грн
25+42.21 грн
50+40.31 грн
100+24.11 грн
250+22.92 грн
500+17.38 грн
1000+15.49 грн
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A
на замовлення 8338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.21 грн
339+41.80 грн
524+27.00 грн
529+25.79 грн
698+18.10 грн
1000+15.49 грн
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.66 грн
100+21.77 грн
500+15.63 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88BDP-T1-GE3VishayN Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.99 грн
6000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA88BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
10+34.95 грн
100+26.07 грн
500+19.23 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 19A
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA88DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45.5 A, 6700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 22850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA88DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 45.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+24.23 грн
100+17.68 грн
500+14.28 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.97 грн
19+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DPVishayMOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+89.44 грн
100+68.91 грн
500+51.65 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.44 грн
10+126.64 грн
50+89.74 грн
100+77.99 грн
250+65.41 грн
500+58.71 грн
1000+55.35 грн
1500+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
на замовлення 31351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-RE3VishaySIRA90DP-T1-RE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 7764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+88.08 грн
100+68.91 грн
500+51.65 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
на замовлення 37932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.65 грн
6000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA96DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+33.29 грн
100+24.86 грн
500+18.33 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA96DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA96DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA96DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+148.69 грн
100+113.10 грн
500+86.40 грн
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB2167
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 24.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+107.10 грн
100+73.00 грн
500+54.81 грн
1000+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 24.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+112.54 грн
100+90.48 грн
500+69.76 грн
1000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+63.10 грн
100+41.77 грн
500+30.63 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Power dissipation: 34.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.96 грн
6+80.51 грн
10+71.29 грн
25+60.38 грн
100+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 18082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+96.46 грн
100+65.68 грн
500+49.28 грн
1000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.56 грн
6000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3
Код товару: 181487
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+73.74 грн
100+57.33 грн
500+45.61 грн
1000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
на замовлення 9559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+101.97 грн
50+77.34 грн
100+65.12 грн
500+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3
Код товару: 165751
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 42992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRCOMM2N/A98
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSiretta LtdDescription: DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCR
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Zeta Line of IoT Modems
Accessory Type: DIN Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSirettaModules Accessories DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA MODEM DIN RAIL ADAPTERSiretta DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRF-GRF2INA09+
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRF3TM8100B
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRFGRF2I/LPSTQFP48
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRI-A CA12474 Лінза
Код товару: 52146
Додати до обраних Обраний товар
LEDILСвітлодіоди > Лінзи, тримачі, оправлення для світлодіодів
Опис: Лінза; форма: квадрат; кут:137 °, застосовується для світлодіодів CREE серії XT-E
товару немає в наявності
1+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 110W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Maximum power: 110W
Output voltage: 50...160V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x39x75mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 110W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 150x40x90mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Maximum power: 110W
Output voltage: 50...160V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3156.55 грн
5+2842.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 165W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 93%
Application: LED
Maximum power: 165W
Output voltage: 80...235V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 170x40x100mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 165W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Maximum power: 165W
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 171x41x101mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Output voltage: 80...235V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.