Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIRC04DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.29 грн
10+129.38 грн
100+88.40 грн
500+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+62.38 грн
100+41.30 грн
500+30.28 грн
1000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.32 грн
500+32.91 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.85 грн
10+89.20 грн
100+58.34 грн
500+42.53 грн
1000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 18082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.98 грн
10+95.37 грн
100+64.93 грн
500+48.72 грн
1000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3
Код товару: 181487
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.06 грн
6000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.21 грн
10+72.90 грн
100+56.68 грн
500+45.09 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3
Код товару: 165751
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 42992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+90.51 грн
100+70.55 грн
500+54.70 грн
1000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRCOMM2N/A98
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSirettaModules Accessories DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSiretta LtdDescription: DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCR
Accessory Type: DIN Rail
For Use With/Related Products: Zeta Line of IoT Modems
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRETTA MODEM DIN RAIL ADAPTERSiretta DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRF-GRF2INA09+
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRF3TM8100B
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRFGRF2I/LPSTQFP48
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRI-A CA12474 Лінза
Код товару: 52146
Додати до обраних Обраний товар
LEDILСвітлодіоди > Лінзи, тримачі, оправлення для світлодіодів
Опис: Лінза; форма: квадрат; кут:137 °, застосовується для світлодіодів CREE серії XT-E
товару немає в наявності
1+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 110W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Additional functions: adjustable output current level; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Communictions protocol: DALI 2
Kind of power supply: LED
Application: LED
IP rating: IP20
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 133x39x75mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 50...160V DC
Maximum power: 110W
Efficiency: 92.5%
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2746.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 110W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Kind of power supply: LED
Application: LED
IP rating: IP20
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 150x40x90mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 50...160V DC
Maximum power: 110W
Efficiency: 92.5%
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3120.68 грн
5+2809.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 165W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Operating modes: constant current
Communictions protocol: DALI 2
IP rating: IP20
Kind of power supply: LED
Application: LED
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Output current: 70mA...1.05A
Body dimensions: 170x40x100mm
Number of outputs: 1
Output voltage: 80...235V DC
Supply voltage: 220...240V AC
Maximum power: 165W
Efficiency: 93%
Additional functions: adjustable output current level; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3235.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 165W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Kind of power supply: LED
Application: LED
IP rating: IP20
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 171x41x101mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 80...235V DC
Maximum power: 165W
Efficiency: 92.5%
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3380.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 22W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 8÷32VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Additional functions: adjustable output current level; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Communictions protocol: DALI 2
Kind of power supply: LED
Application: LED
IP rating: IP20
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 123x31x79mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 8...32V DC
Maximum power: 22W
Efficiency: 85%
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1999.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 22W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 8÷32VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Kind of power supply: LED
Application: LED
IP rating: IP20
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 133x40x77mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 8...32V DC
Maximum power: 22W
Efficiency: 85%
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2639.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 40W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 20÷54VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Operating temperature: -40...55°C
IP rating: IP20
Kind of power supply: LED
Application: LED
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Body dimensions: 123x31x79mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Output voltage: 20...54V DC
Supply voltage: 220...240V AC
Maximum power: 40W
Efficiency: 88%
Additional functions: adjustable output current level; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Communictions protocol: DALI 2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2059.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 40W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 20÷54VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Operating modes: constant current
IP rating: IP20
Application: LED
Kind of power supply: LED
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Output current: 70mA...1.05A
Body dimensions: 133x40x77mm
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 20...54V DC
Maximum power: 40W
Efficiency: 88%
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2639.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 75W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 35÷108VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Additional functions: adjustable output current level; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Communictions protocol: DALI 2
Kind of power supply: LED
Application: LED
IP rating: IP20
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 133x39x75mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 35...108V DC
Maximum power: 75W
Efficiency: 91.5%
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2517.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIO SQ 75W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 35÷108VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Operating modes: constant current
Kind of power supply: LED
Application: LED
IP rating: IP20
Caution!: rated parameters obtained at full load
Electrical connection: spring-loaded terminals
Type of power supply: switching
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 150x40x90mm
Output current: 70mA...1.05A
Number of outputs: 1
Supply voltage: 220...240V AC
Output voltage: 35...108V DC
Maximum power: 75W
Efficiency: 92%
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2884.06 грн
5+2596.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiriusLeopard ImagingThermal Imaging Cameras Working distance: 0.5-5mResolution: 320x240Color Image: 4KTX2 Edge Computing DeviceAccuracy: +/- 0.3C (0.5F)Option: AWS Support
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRIUS-01A
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4300DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 90A
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4301DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.53 грн
500+132.08 грн
1000+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4301DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
на замовлення 10553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.14 грн
10+185.36 грн
100+131.11 грн
500+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4301DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.68 грн
10+223.40 грн
100+161.53 грн
500+132.08 грн
1000+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4301DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 227A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4302DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 478A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4302DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 20 V
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.25 грн
10+247.44 грн
100+178.52 грн
500+139.15 грн
1000+131.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4400DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 440 A, 690 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.25 грн
10+244.30 грн
100+175.19 грн
500+142.53 грн
1000+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+145.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 77A
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4400DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 440 A, 690 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.38 грн
500+141.78 грн
1000+126.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4400EPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 198A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
на замовлення 7885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.17 грн
10+181.03 грн
100+127.77 грн
500+109.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.07 грн
10+220.19 грн
100+155.90 грн
500+131.33 грн
1000+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 198, Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20, Qg, нКл = 588 @ 10 В, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 2,3, Р, Вт = 132, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+213.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRS4401DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 10484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.27 грн
500+118.65 грн
1000+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.91 грн
10+243.49 грн
100+174.38 грн
500+123.87 грн
1000+106.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 58A
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.04 грн
10+220.50 грн
100+156.83 грн
500+121.67 грн
1000+113.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 334A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.38 грн
500+123.87 грн
1000+106.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS4600EPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DPVishaySIRS5100DP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 241A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.39 грн
10+180.43 грн
100+127.39 грн
500+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS5100DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 2500 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.57 грн
10+230.64 грн
100+163.13 грн
500+138.05 грн
1000+124.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100EPW-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5700DP-T1-RE3VishayMOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5702DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS570DPW-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS578DPW-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.34 грн
500+94.02 грн
1000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS578DPW-T1-RE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS578DPW-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.69 грн
10+158.31 грн
100+121.34 грн
500+94.02 грн
1000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DPVishayTrans MOSFET N-CH 80V 265A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRS5800DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 265 A, 1800 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.10 грн
10+191.26 грн
100+135.01 грн
500+113.42 грн
1000+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 265A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 40 V
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.19 грн
10+176.40 грн
100+124.32 грн
500+105.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.75 грн
6000+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS580DPW-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.46 грн
10+104.25 грн
25+95.07 грн
100+79.78 грн
250+75.27 грн
500+72.55 грн
1000+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]