Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN180N15P. - MOSFET, N-CH, 150V, 150A, ISOTOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20
Код товару: 47824
Додати до обраних Обраний товар
IxysТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: miniBLOC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 660/22
товару немає в наявності
1+275.00 грн
10+253.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20IXYSMOSFET Modules 200V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150 Транзистори
на замовлення 176 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+3094.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TN-CH 250V 168A SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2395.91 грн
10+1703.50 грн
50+1446.83 грн
100+1311.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYSMOSFET Modules 155A 250V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2179.94 грн
5+1611.24 грн
10+1536.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 70V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07IXYSMOSFET Modules 70V 200A
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYSMOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+1972.32 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 235nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2298.84 грн
10+1631.18 грн
50+1383.06 грн
100+1246.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate charge: 193nC
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 570mΩ
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1238.52 грн
3+1096.88 грн
10+1094.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIXYSMOSFET Modules 20 Amps 1200V 0.6 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2283.50 грн
10+2120.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PIXYSMOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 1050 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 188A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3763.57 грн
10+2746.03 грн
50+2435.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 1.07kW
Gate charge: 255nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 188A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3179.53 грн
10+2654.11 грн
20+2486.25 грн
50+2394.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3737.16 грн
10+2725.61 грн
50+2414.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2915.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 192A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3
Код товару: 164550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+5289.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3IXYSMOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3733.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 190ns
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3490.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN21N100Q
Код товару: 52937
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN21N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN21N100QIXYSMOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3MOSFET MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS, -20...+20C Силові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 160A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 390W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2895.29 грн
10+2079.45 грн
50+1778.15 грн
100+1652.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 160A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYSMOSFET Modules 230 Amps 100V 0.006 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN230N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.006 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 230
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B (альтернатива STE250NS10) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10
Код товару: 192504
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYS230A/100V/MOS/1U
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3018.00 грн
10+2176.00 грн
50+1865.43 грн
100+1748.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 630A
Power dissipation: 1090W
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TIXYSMOSFET Modules 230A 200V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.09kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN23N100IXYSMOSFET Modules 23 Amps 1000V 0.43 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N25X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3957.72 грн
10+2886.25 грн
50+2556.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYSMOSFET Modules 1KV 24A
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100
Код товару: 101787
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100FIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXFN24N100F 1000V 24A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N90QIXYSMOSFET Modules 24 Amps 900V 0.45W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN25N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN25N90IXYSMOSFET Modules 25 Amps 900V 0.33 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN260N17TGigaMOS POWER MOSFET, SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN260N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 65A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3248.44 грн
3+2662.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 26 Amps 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 255nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3350.45 грн
3+2747.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90
Код товару: 53753
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90IXYSDiscrete Semiconductor Modules 900V 26A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.