Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN24N100IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4780.04 грн
5+4048.73 грн
10+3704.02 грн
50+2998.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100
Код товару: 101787
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100FIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXFN24N100F 1000V 24A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N90QIXYSMOSFET Modules 24 Amps 900V 0.45W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN25N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN25N90IXYSMOSFET Modules 25 Amps 900V 0.33 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN260N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN260N17TGigaMOS POWER MOSFET, SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 26 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N100PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 390mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3248.44 грн
3+2662.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 26 Amps 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N120PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 695W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3350.45 грн
3+2747.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90
Код товару: 53753
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN26N90IXYSDiscrete Semiconductor Modules 900V 26A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N120SKIXYSSiC MOSFETs SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3730.60 грн
10+3406.59 грн
100+2332.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N120SKIXYSDescription: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80
Код товару: 91884
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80IXYSMOSFET Modules 800V 27A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80QIXYSMOSFET Modules 27 Amps 800V 0.32 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN27N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N07IXYSMOSFET Modules 280 Amps 70V 0.006 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085IXYSMODULE
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2780.19 грн
10+2752.78 грн
25+2725.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2780.19 грн
10+2752.78 грн
25+2725.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085IXYSMOSFET Modules 280 Amps 85V 0.0044 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN280N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PIXYSMOSFET Modules Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3767.65 грн
10+3071.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3590.38 грн
10+2619.19 грн
100+2367.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 295A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 295 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 23000 @ 25, Qg, нКл = 279, Rds = 5,5 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 1070, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-227-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3378.64 грн
5+2872.05 грн
10+2558.75 грн
50+2085.81 грн
100+1828.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3629.21 грн
10+2646.63 грн
100+2343.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N20X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 200V 300A N-CH X3CLASS
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3580.80 грн
10+3041.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N110PIXYS25A/1100V/MOS/1U
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 30 Amps 1200V 0.35 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN320N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN320N17T2IXYSDiscrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3940.01 грн
10+3622.53 грн
30+3018.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 27A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2577.65 грн
10+1845.74 грн
100+1655.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1000V 0.32 Rds
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3072.59 грн
10+2388.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N100Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120IXYSSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120IXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V 0.550 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PPolarHV™ HiPerFETs, N-Channel, 1200V,32A, 310 Ohm, 300ns, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5054.33 грн
10+3759.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5880.21 грн
10+5280.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P
Код товару: 219019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N60IXYSMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520AW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 32 Amps 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80P
Код товару: 114602
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80PIXYSMOSFET Modules 29 Amps 800V 0.27 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N06IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N06IXYSMOSFET Modules 340 Amps 60V 0.003 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 340A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN340N07IXYSMOSFET Modules HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4823.53 грн
10+4040.91 грн
100+3005.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N100IXYSMOSFET Modules 34 Amps 1000V 0.28 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N100IXYS34A/1000V/MOS/1U
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Gate charge: 525nC
Reverse recovery time: 130ns
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2453.46 грн
10+1860.21 грн
100+1683.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2229.71 грн
10+1580.77 грн
100+1308.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2522.59 грн
10+2346.94 грн
50+2240.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2292.97 грн
5+1990.94 грн
10+1688.11 грн
50+1553.32 грн
100+1420.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T
Код товару: 92649
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TIXYSMOSFET Modules 360 Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2480.29 грн
10+1880.56 грн
100+1702.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3205.17 грн
10+2329.91 грн
100+2187.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3394.75 грн
5+3187.76 грн
10+2981.58 грн
50+2576.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]