Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMJD010N10MCLTWGonsemiMOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+99.93 грн
25+84.29 грн
100+62.45 грн
250+54.28 грн
500+49.25 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK56
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 153A; 21W; LFPAK8
Case: LFPAK8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.5nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 21W
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 153A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.54 грн
6000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+113.44 грн
50+86.12 грн
100+72.56 грн
500+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD016N06CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V LFPAK56
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD016N06CTWGonsemiMOSFET T6 60V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD020N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD020N08HLTWGonsemiMOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD020N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD020N08HTWGonsemiMOSFETs T8 80V N-CH LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD025N04CTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.7A 8LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.7A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N10MCLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N10MCLTWGonsemiMOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N10MCLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD036N10MCLTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, DUAL, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD2D7N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD3D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK57
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD3D0N04CTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD3D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK57
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
10+173.22 грн
25+147.94 грн
100+111.96 грн
250+98.77 грн
500+90.66 грн
1000+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD4D7N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD4D7N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD4D7N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+112.39 грн
25+95.92 грн
100+72.99 грн
250+64.83 грн
500+59.89 грн
1000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS0D9N04CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS0D9N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+136.54 грн
100+98.80 грн
500+77.11 грн
1000+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS0D9N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+164.47 грн
50+127.02 грн
100+107.87 грн
500+88.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+120.99 грн
100+83.38 грн
500+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+121.14 грн
100+83.49 грн
500+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
10+177.22 грн
100+124.22 грн
500+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
100+70.19 грн
500+52.79 грн
1000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGonsemiMOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.86 грн
6000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGON SemiconductorMOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
10+179.64 грн
50+138.77 грн
100+117.88 грн
500+91.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D6N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D7N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D7N04CTWGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 9254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D7N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
100+70.19 грн
500+52.79 грн
1000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGON SemiconductorMOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.52 грн
100+74.96 грн
500+56.50 грн
1000+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS3D0N06CTWGonsemiMOSFETs T6 60V SL LFPAK8 5X6
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST004N08XTXGonsemiDescription: T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+105.75 грн
100+71.99 грн
500+54.02 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST004N08XTXGonsemiDescription: T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST004N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST006N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5x7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
10+177.30 грн
25+162.70 грн
100+137.60 грн
250+130.41 грн
500+128.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D2N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 451A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.07 грн
10+226.81 грн
50+177.39 грн
100+151.56 грн
500+133.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D2N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D2N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 451A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.36 грн
10+185.22 грн
50+143.58 грн
100+122.16 грн
500+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.12 грн
10+192.92 грн
50+149.78 грн
100+127.53 грн
500+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 314A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 314A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.28 грн
10+167.86 грн
50+129.39 грн
100+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.69 грн
10+232.47 грн
50+181.83 грн
100+155.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.