Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMJD027N10MCLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N10MCLTWGonsemiMOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD036N10MCLTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, DUAL, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD2D7N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD3D0N04CTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD3D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK57
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
10+173.22 грн
25+147.94 грн
100+111.96 грн
250+98.77 грн
500+90.66 грн
1000+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD3D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK57
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD4D7N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+112.39 грн
25+95.92 грн
100+72.99 грн
250+64.83 грн
500+59.89 грн
1000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD4D7N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD4D7N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+81.74 грн
25+74.27 грн
100+62.03 грн
250+58.36 грн
500+56.15 грн
1000+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS0D9N04CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS0D9N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS0D9N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+136.54 грн
100+98.80 грн
500+77.11 грн
1000+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS0D9N04CLTWGONN
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+159.64 грн
100+111.35 грн
500+85.13 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D0N04CTWGON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+120.99 грн
100+83.38 грн
500+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+121.14 грн
100+83.49 грн
500+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.34 грн
10+173.22 грн
100+121.41 грн
500+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D4N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGONN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.69 грн
10+111.36 грн
100+75.84 грн
500+51.78 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.86 грн
6000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGonsemiMOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+96.95 грн
100+61.10 грн
500+51.70 грн
1000+46.40 грн
3000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.84 грн
500+51.78 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
100+70.19 грн
500+52.79 грн
1000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWGON SemiconductorMOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
10+150.65 грн
100+105.13 грн
500+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D6N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D7N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
100+70.19 грн
500+52.79 грн
1000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D7N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D7N04CTWGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 9254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.51 грн
10+108.97 грн
100+64.73 грн
500+51.70 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
10+127.62 грн
25+114.61 грн
100+94.35 грн
500+71.07 грн
1000+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGON SemiconductorMOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.52 грн
100+74.96 грн
500+56.50 грн
1000+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.35 грн
500+71.07 грн
1000+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.26 грн
10+103.36 грн
100+65.91 грн
500+54.34 грн
1000+50.51 грн
3000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS3D0N06CTWGonsemiMOSFETs T6 60V SL LFPAK8 5X6
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.80 грн
10+75.08 грн
100+54.48 грн
500+52.39 грн
1000+50.72 грн
3000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST004N08XTXGonsemi T10 80V SG TCPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST006N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5x7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.15 грн
10+201.00 грн
25+172.63 грн
100+131.93 грн
250+117.14 грн
500+108.05 грн
1000+99.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D2N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 451A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D2N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 451A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.93 грн
10+170.43 грн
25+156.39 грн
100+132.23 грн
250+125.30 грн
500+123.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D2N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.58 грн
10+127.40 грн
100+94.06 грн
500+90.57 грн
1000+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+169.15 грн
25+144.71 грн
100+109.80 грн
250+97.03 грн
500+89.18 грн
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.13 грн
10+194.70 грн
100+118.44 грн
500+100.33 грн
1000+99.63 грн
3000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.66 грн
10+181.98 грн
100+127.93 грн
500+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 314A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+149.90 грн
25+127.83 грн
100+96.54 грн
250+85.04 грн
500+77.96 грн
1000+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D6N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 314A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D1N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+172.17 грн
25+158.02 грн
100+133.68 грн
250+126.72 грн
500+122.52 грн
1000+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.98 грн
10+172.27 грн
100+128.20 грн
500+126.80 грн
3000+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TCPAK10
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 58W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D8N08XTXGonsemi T10 80V SG TCPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXGonsemiDescription: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+89.59 грн
25+81.52 грн
100+68.19 грн
250+64.23 грн
500+61.85 грн
1000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMK48PanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Net-Verse Front/Rear Door Mounting Kit,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMK48Panduit CorpDescription: NET-VERSE FRONT/REAR DOOR MOUNTI
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cabinets
Accessory Type: Locking Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS10P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS4816NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+78.20 грн
100+60.99 грн
500+47.28 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMS5P02R2GonsemiMOSFETs PFET S08S 20V 5.4A 0.033R
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.50 грн
10+58.17 грн
100+42.50 грн
500+35.46 грн
1000+32.19 грн
2500+28.98 грн
5000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMSD6N303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
на замовлення 24568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMSTOR-ULTRA-1-1.5TMobiveil TechnologiesDescription: NVME SSD EVALUATION BOARD, 8 NAN
Part Status: Active
Platform: Zynq UltraScale+ MPSoC NVMStor-Ultra PCIe Card
Contents: Board(s)
Type: FPGA
For Use With/Related Products: XCZU19EG
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849106.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CLTXGonsemiDescription: T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.9A (Ta), 398.2A (Tc)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.03 грн
10+440.19 грн
100+330.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CLTXGONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CLTXGonsemiMOSFETs T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.20 грн
10+479.94 грн
100+337.91 грн
500+335.12 грн
1000+300.98 грн
3000+287.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CLTXGonsemiDescription: T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.9A (Ta), 398.2A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+280.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGonsemiMOSFETs T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.27 грн
10+392.94 грн
100+309.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS001N06CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 376A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 376A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 910µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 113nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]