Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220S Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB380CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S | на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252 | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, 0.6OHMS N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH C5G | Taiwan Semiconductor | TSM60NB900CH C5G Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Arrow.com | на замовлення 14995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NB900CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NBI190CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC165CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC165CI C0G | Taiwan Semiconductor | LDO Voltage Regulators 600V, 24A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC165CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V | на замовлення 3989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC196CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC196CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 300 V | на замовлення 3766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC196CIT C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC196CM2 RNG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC196CM2 RNG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWE Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 152W (Tc) | на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC1R5CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC1R5CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 55W (Tc) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC1R5CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC1R5CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC390CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 100 V | на замовлення 12981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC390CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC390CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC390CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ITO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC390CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC390CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC390CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC620CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501 pF @ 300 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC620CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC620CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC620CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC620CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC620CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC980CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | на замовлення 13114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC980CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NC980CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC980CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NC980CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5023 pF @ 300 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE069CIT C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE069CIT C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) ITO-220TL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE069CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3551 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE069CIT C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) ITO-220TL | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE069CIT C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 89W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 89W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE069CIT C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) ITO-220TL | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE069PW C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE084CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 7A, 12V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE084CIT C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 83W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 83W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 84mΩ Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 42A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 14A, 12V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 300 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE110CE RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE110CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE110CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE110CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 17A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.6A, 12V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE110CIT C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE110TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 12V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE110TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 12V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.8A, 12V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE180CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE180CE RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 20A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE180CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 4.3A, 12V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4A, 12V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE285CE RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 16A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE285CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE285CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE285CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 15A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE285CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 300 V | на замовлення 3726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|