Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM7N65CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7N65CI C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V 3Amp N Channel Pwr MOSFET Isolated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7N90CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7N90CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 900V 7A Single N-Cha nnel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 7A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 900V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7NC60CF | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7NC60CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7NC60CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM7NC60CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 7A ITO220S Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220S Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7NC65CF | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 650V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7NC65CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7NC65CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 7A ITO220S Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220S Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7ND60CI | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM7ND60CI | Taiwan Semiconductor | LDO Voltage Regulators 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7ND60CI | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7ND60CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 7A ITO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ITO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM7ND60CI | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM7ND60CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7ND60CI RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 7A Single N-Chan Pwr MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7ND65CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 7A ITO220 | на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7ND65CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V 7A Single N-Cha nnel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7ND65CI RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V 7A Single N-Chan Pwr MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7P06CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -7A, SINGLE P-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252 Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -7A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 5604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM7P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM806 | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TSM80N08CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 75V 80A N Channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N08CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N08CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 75V 80A Single N-Cha nnel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220 | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CL C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CL C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V N channel Power Mosfet 5.5A, 1,2ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N1R2CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N400CF | Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 12A ITO-220S Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N400CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N400CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 12A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N400CF C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM80N400CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S | на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N400CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 800V N channel Power Mosfet 11A, 0,4ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V Power MOSFET Superjunction N-chan | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V Power MOSFET Superjunction N-chan | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251 | на замовлення 3236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 6A, Single N- Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM80N950CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V Power MOSFET Superjunction N-chan | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 6A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | на замовлення 10422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM820CSFL | ABB | Circuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 200A22K 8/16 S UG/OH FMG-OLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM820CSFLP | ABB | Circuit Breaker Accessories MSLC MB RG 200A22K 816 S UGOH FMGOLD RTL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM850N06CX | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM850N06CX | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V | на замовлення 6914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM850N06CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM850N06CX RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM8568CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8568CS (N) RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 15A, Comp. N- Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8568CS (P) RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30V, 13A, Comp. P- Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, 13A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 15A, Complementary N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8568CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 21149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM8568CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel | на замовлення 10000 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET | на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 2.5A/2A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CV | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CV | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM85N10CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM85N10CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM881AW-U | SANYO 1500/REEL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TSM881AW-V | SANYO | 09+ | на замовлення 392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM897EW-C | SAYNO | на замовлення 36486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TSM8N50CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8N50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8N50CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |