Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN3051L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.87 грн
6000+8.67 грн
9000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+25.80 грн
100+16.51 грн
500+11.70 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051LDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3051LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.028 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.42 грн
32+25.69 грн
100+17.48 грн
500+12.71 грн
1000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
6000+10.25 грн
15000+9.54 грн
30000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V 4A N-CHANNEL
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 306-315 дні (днів)
11+30.44 грн
13+25.88 грн
100+16.78 грн
500+13.25 грн
1000+10.29 грн
3000+8.49 грн
9000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051LDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3051LDM-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.028 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.48 грн
500+12.71 грн
1000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
12+26.77 грн
100+19.98 грн
500+14.74 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3052LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3052L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3052L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3052LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3052LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
18+17.57 грн
100+14.58 грн
500+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3052LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3052S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
6000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.22 грн
36+22.87 грн
100+13.61 грн
500+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
15+21.28 грн
100+10.63 грн
500+9.87 грн
1000+8.63 грн
3000+6.42 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
18+17.35 грн
100+9.57 грн
500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3053L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.61 грн
500+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.19 грн
33+24.89 грн
100+16.03 грн
500+11.29 грн
1000+9.39 грн
5000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 1784725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+27.00 грн
100+17.35 грн
500+12.36 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.03 грн
500+11.29 грн
1000+9.39 грн
5000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+28.82 грн
100+16.08 грн
500+12.22 грн
1000+10.98 грн
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 1782000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
6000+8.96 грн
9000+8.54 грн
15000+7.56 грн
21000+7.29 грн
30000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.13 грн
500+15.48 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
6000+9.28 грн
9000+8.84 грн
15000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.89 грн
33+25.05 грн
100+20.13 грн
500+15.48 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3059LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X4-DSN1006-3 T&R 10K
на замовлення 9864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
16+20.32 грн
100+10.01 грн
500+6.77 грн
1000+5.18 грн
2500+4.56 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.31 грн
20000+2.91 грн
30000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 49990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.52 грн
100+7.22 грн
500+5.00 грн
1000+4.43 грн
2000+3.94 грн
5000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.52 грн
100+7.22 грн
500+5.00 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
15+22.31 грн
100+12.43 грн
500+9.32 грн
1000+7.46 грн
5000+6.56 грн
10000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 11383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.79 грн
100+13.21 грн
500+9.32 грн
1000+8.33 грн
2000+7.50 грн
5000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
17+19.53 грн
100+9.60 грн
500+6.49 грн
1000+4.90 грн
3000+4.35 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
6000+3.98 грн
9000+3.76 грн
15000+3.29 грн
21000+3.15 грн
30000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.16 грн
100+15.46 грн
500+10.97 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
13+26.04 грн
100+14.50 грн
500+11.25 грн
1000+9.87 грн
3000+7.52 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
6000+7.90 грн
9000+7.51 грн
15000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
16+20.72 грн
100+10.22 грн
500+6.90 грн
1000+5.25 грн
2500+4.63 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.05 грн
20000+3.56 грн
30000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 3K
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
20+16.12 грн
100+8.77 грн
500+6.35 грн
1000+5.32 грн
3000+4.83 грн
6000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+13.84 грн
100+8.67 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
6000+4.51 грн
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.23 грн
500+6.48 грн
1000+5.32 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.73 грн
100+9.27 грн
500+6.47 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 3K
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
20+15.88 грн
100+8.70 грн
500+6.49 грн
1000+5.73 грн
3000+5.59 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 5189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.43 грн
41+19.89 грн
100+12.81 грн
500+7.70 грн
1000+6.28 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 1.12W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X4-DSN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.41 грн
100+9.64 грн
500+6.72 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
20+16.35 грн
100+8.97 грн
500+6.63 грн
1000+5.94 грн
3000+5.87 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 880mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.92 грн
12+28.66 грн
100+16.98 грн
1000+9.60 грн
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+18.10 грн
100+8.70 грн
500+7.52 грн
1000+6.63 грн
3000+5.80 грн
6000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 880mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
17+18.62 грн
100+11.78 грн
500+8.28 грн
1000+7.39 грн
3000+6.25 грн
6000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R 3K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
22+14.85 грн
100+8.15 грн
500+6.08 грн
1000+5.25 грн
3000+5.11 грн
6000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R 10K
на замовлення 19070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
20+15.88 грн
100+6.97 грн
500+6.49 грн
1000+4.90 грн
5000+4.42 грн
10000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V
на замовлення 98950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+24.68 грн
100+13.96 грн
500+8.67 грн
1000+6.65 грн
2000+5.78 грн
5000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.12 грн
30000+4.62 грн
50000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3061SWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.041 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.13 грн
32+25.77 грн
100+9.91 грн
500+7.19 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 3K
на замовлення 8788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.49 грн
25+13.10 грн
100+5.94 грн
1000+5.32 грн
3000+4.14 грн
9000+3.52 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]