Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHP068N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP074N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+648.11 грн
10+427.09 грн
100+317.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP074N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP074N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+269.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 6635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.79 грн
50+191.92 грн
100+174.94 грн
500+136.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.24 грн
10+240.01 грн
100+174.09 грн
500+158.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP085N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.49 грн
50+141.50 грн
100+128.88 грн
500+110.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 12826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.80 грн
10+427.46 грн
100+317.80 грн
500+267.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.80 грн
50+204.52 грн
100+186.96 грн
500+146.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP110N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.90 грн
10+201.76 грн
100+142.69 грн
500+115.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.20 грн
50+87.23 грн
100+78.54 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.73 грн
10+105.42 грн
50+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 776 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 483mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.81 грн
50+144.32 грн
100+134.55 грн
500+104.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-BE3VishayN Channel Trans MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.43 грн
10+190.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+266.56 грн
56+253.16 грн
57+248.11 грн
58+236.81 грн
100+209.06 грн
250+200.06 грн
500+199.42 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.51 грн
50+218.47 грн
100+199.60 грн
500+156.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.56 грн
10+253.16 грн
25+248.11 грн
50+236.81 грн
100+209.06 грн
250+200.06 грн
500+199.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.65 грн
10+260.54 грн
100+186.97 грн
500+146.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N65E-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.92 грн
10+387.96 грн
100+285.11 грн
500+226.45 грн
1000+215.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 500V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.33 грн
10+252.61 грн
100+181.12 грн
500+141.38 грн
1000+134.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 12A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.46Ω
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
250+153.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.73 грн
50+82.72 грн
100+74.38 грн
500+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 10.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 121A
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.84 грн
5+126.01 грн
10+109.54 грн
50+79.89 грн
100+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.04 грн
50+88.50 грн
100+79.58 грн
500+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.54 грн
50+118.79 грн
100+107.37 грн
500+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-BE3VishayMOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP12N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 14A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 208
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]