Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFP22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M
Код товару: 210072
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.26 грн
10+311.65 грн
50+246.69 грн
100+211.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+390.31 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIXYSMOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.145Ω
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+363.07 грн
10+192.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MWIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MWLittelfuseIXFP22N65X2MW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP230N075T2IXYSMOSFETs TO220 650V 230A N-CH TRENCH
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.07 грн
50+283.86 грн
100+262.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.69 грн
60+239.21 грн
100+231.10 грн
250+216.09 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP26N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 26A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 26A N-CH X3CLASS
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO220AB
On-state resistance: 66mΩ
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.24 грн
25+171.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
50+174.82 грн
100+149.84 грн
500+137.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+596.09 грн
50+447.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.95 грн
10+543.52 грн
50+440.28 грн
100+382.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1104.74 грн
15+982.30 грн
50+850.00 грн
100+759.00 грн
250+642.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2IXYSDescription: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.90 грн
50+464.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+610.54 грн
5+528.35 грн
10+488.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X3LittelfuseMOSFETs TO220 650V 26A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO22
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3IXYSMOSFETs 60V/270A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP28N60X3LittelfuseMOSFETs TO220 600V 28A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3IXYSMOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.21 грн
50+277.78 грн
100+255.15 грн
500+204.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3MIXYSMOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 155mΩ
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2IXYSMOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+632.21 грн
5+358.10 грн
10+345.52 грн
50+327.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+385.08 грн
100+354.44 грн
500+332.18 грн
1000+317.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2
Код товару: 180236
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.89 грн
10+456.87 грн
50+366.84 грн
100+317.12 грн
500+269.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+385.08 грн
100+354.44 грн
500+332.18 грн
1000+317.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MLittelfuseX2-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MIXYSMOSFETs 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2WIXYSMOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2WIXYSDescription: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.13 грн
50+263.90 грн
100+242.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3IXYSDescription: MOSFET 34A 650V X3 TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.25 грн
10+500.87 грн
50+404.73 грн
100+350.83 грн
500+300.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP34N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3IXYSMOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.42 грн
50+210.06 грн
100+191.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+433.38 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3IXYSMOSFETs TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MIXYSMOSFETs TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N30P3IXYSMOSFETs TO220 300V 36A N-CH POLAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N55X2IXYSMOSFETs TO220 550V 36A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N55X2Littelfuse Inc.Description: IXFP36N55X2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3IXYSMOSFETs TO220 600V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP36N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.77 грн
50+190.08 грн
100+188.76 грн
500+169.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 38A N-CH X3CLASS
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3MIXYSMOSFETs TO220 300V 38A N-CH X3CLASS
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3MIxys CorporationIXFP38N30X3M
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.62 грн
50+406.73 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.64 грн
50+291.20 грн
100+267.31 грн
500+211.62 грн
1000+199.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3MLittelfuseX3-Class HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+356.75 грн
10+284.30 грн
50+257.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.43 грн
50+344.27 грн
100+317.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N80IXYSMOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+342.50 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP44N25X3IXYSMOSFETs TO220 250V 44A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
3+220.56 грн
10+194.57 грн
50+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PMIXYSMOSFETs TO220 1KV 4A N-CH POLAR
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.