Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFP4N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.31 грн
3+218.54 грн
10+192.78 грн
50+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PMIXYSMOSFETs TO220 1KV 4A N-CH POLAR
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.19 грн
10+446.17 грн
100+314.11 грн
500+278.90 грн
1000+260.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 2.1A; Idm: 8A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.73 грн
10+329.74 грн
100+266.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100QIXYSMOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85XLittelfuseX-Class HiPERFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85XMLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 3.5A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85XMLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N85XMIXYSMOSFET 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP50N20X3IXYSMOSFETs TO220 200V 50A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP50N20X3Littelfusediscrete MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP50N20X3IXYSDescription: DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS TO-2
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.41 грн
50+352.01 грн
100+328.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.04 грн
10+412.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3MIXYSMOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.43 грн
10+363.60 грн
100+314.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3MLittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3MLittelfusePower MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+541.70 грн
28+518.43 грн
50+498.68 грн
100+464.55 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.67 грн
50+463.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.28 грн
10+227.93 грн
100+208.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+489.51 грн
50+428.65 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+459.08 грн
5+344.02 грн
10+304.13 грн
50+232.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PIXYSMOSFETs 5 Amps 1000V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.90 грн
10+280.24 грн
100+209.86 грн
500+207.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.66 грн
50+363.09 грн
100+334.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100PMIXYSMOSFETs TO220 1KV 5A N-CH POLAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N50PMIXYSMOSFET 3.2 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.91 грн
10+431.08 грн
100+341.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+587.05 грн
3+494.42 грн
10+405.51 грн
50+380.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.57 грн
50+353.23 грн
100+325.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3MIXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.54 грн
10+421.56 грн
100+345.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3MLittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+591.52 грн
3+498.58 грн
10+408.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120PIXYSMOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.41 грн
50+352.01 грн
100+327.28 грн
500+290.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3IXYSMOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.48 грн
10+434.26 грн
100+358.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3MIXYSMOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+881.91 грн
10+490.63 грн
100+414.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP72N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 72A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 72
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.61 грн
50+385.90 грн
100+356.55 грн
500+304.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.52 грн
50+354.12 грн
100+347.41 грн
500+313.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3MIXYSMOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+889.16 грн
10+495.39 грн
100+419.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3M транзистор
Код товару: 211484
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2
Код товару: 182305
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.46 грн
10+303.27 грн
50+249.21 грн
100+213.32 грн
250+201.58 грн
500+189.15 грн
1000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100P
Код товару: 148332
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N100PIXYSMOSFETs 7 Amps 1000V
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.29 грн
10+261.98 грн
100+225.05 грн
500+224.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80PIXYSMOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.96 грн
10+264.37 грн
100+209.86 грн
500+196.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.19 грн
50+203.18 грн
100+185.71 грн
500+145.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80PMIXYSMOSFETs 4 Amps 800V 1.44 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.06 грн
50+390.69 грн
100+366.59 грн
500+322.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.81 грн
10+472.37 грн
100+395.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP80N25X3 - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.21 грн
10+145.42 грн
50+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2IXYSMOSFETs 650V/8A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85XIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85XIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP8N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.66 грн
50+176.21 грн
100+151.04 грн
500+126.00 грн
1000+107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85XMIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85XMLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 8A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N85XMLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO220
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]