Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+171.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 130A 340W TO247
Power - Max: 340 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.81 грн
10+479.82 грн
100+399.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
30+170.66 грн
120+140.69 грн
510+111.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.27 грн
10+492.80 грн
100+367.24 грн
600+311.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.48 грн
10+222.90 грн
25+220.73 грн
60+192.12 грн
120+176.12 грн
270+153.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.67 грн
10+147.32 грн
25+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.06 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns
Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+343.93 грн
46+313.04 грн
52+277.04 грн
60+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.52 грн
10+267.53 грн
30+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.92 грн
96+148.46 грн
97+147.03 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2
Код товару: 199290
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.36 грн
10+506.88 грн
25+359.73 грн
100+304.83 грн
250+255.27 грн
600+242.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 535W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 3.26mJ (on), 2.33mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 453 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 535 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.91 грн
30+263.77 грн
120+220.28 грн
510+176.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA8M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA8M120DF3 - IGBT, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+184.62 грн
100+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWF20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A 79W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 21.5ns/180ns
Switching Energy: 300µJ (on), 1.28mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 79 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsIGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWF40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 40A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWS38IH130DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1300V 55A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/284ns
Switching Energy: 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 127 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWS38IH130DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 33 A 1300V fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT15H60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT15H60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 115 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
30+131.43 грн
120+107.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 168W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/139ns
Switching Energy: 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+149.52 грн
100+104.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+147.85 грн
600+132.88 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+167.36 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-3P
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/128ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+152.07 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+156.35 грн
510+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+296.89 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsRF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30HP65FBSTMIGBT TRENCH 650V 60A TO3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 163 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60FSTMicroelectronics
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT30V60F - IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT38IH130STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT38IH130DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 33A 1300V VF IGBT PowerMESH IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT38IH130DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1300V 63A TO-3P
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Gate Charge: 127 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/284ns
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.49 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.49 грн
3+270.05 грн
10+225.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]