Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25 26 27 28 29
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 60A TO3P
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.34 грн
10+263.61 грн
100+195.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+420.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.08 грн
5+444.63 грн
10+403.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.67 грн
30+271.35 грн
120+227.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.29 грн
10+476.73 грн
25+391.56 грн
100+339.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Power - Max: 469 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Gate Charge: 448 nC
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 448nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 469W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.00 грн
5+1006.30 грн
10+817.72 грн
50+676.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.11 грн
10+488.75 грн
25+401.31 грн
100+348.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60F
Код товару: 172729
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40N60VD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: MAX247™
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 260 W
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.04 грн
30+250.29 грн
120+209.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 50A Max247
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.77 грн
10+270.82 грн
100+197.17 грн
600+196.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Case: MAX247
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 214nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+497.64 грн
3+415.97 грн
10+384.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY50NB60HD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGY50NC60WDSTMicroelectronicsIGBTs 600V 65A N-Channel
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+845.36 грн
10+832.48 грн
25+655.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY50NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A MAX247
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Supplier Device Package: MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.80 грн
30+662.50 грн
120+573.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGY80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1173.75 грн
10+1064.04 грн
30+886.93 грн
120+781.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT NPT FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.41 грн
30+716.52 грн
120+674.36 грн
510+573.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+743.75 грн
10+434.27 грн
100+320.49 грн
600+317.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.48 грн
5+521.03 грн
10+505.59 грн
50+455.14 грн
100+406.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.43 грн
10+332.18 грн
100+313.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.53 грн
10+399.01 грн
100+282.87 грн
600+267.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.53 грн
10+317.84 грн
30+289.84 грн
120+248.50 грн
270+238.45 грн
510+232.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.81 грн
10+306.87 грн
120+233.40 грн
510+227.13 грн
1020+213.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA50H120DF2 - IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.63 грн
5+441.37 грн
10+425.12 грн
50+378.90 грн
100+335.82 грн
250+321.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.34 грн
10+354.14 грн
120+264.06 грн
510+253.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A MAX247
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 194 nC
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/258ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 325 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.27 грн
30+318.90 грн
120+268.78 грн
510+223.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA75H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA75H120DF2 - IGBT, 150 A, 2.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.37 грн
10+886.00 грн
30+868.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA75H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 356 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 61ns/366ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.57 грн
30+643.10 грн
120+605.28 грн
510+514.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA75H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.47 грн
10+622.56 грн
30+360.21 грн
120+311.44 грн
270+310.74 грн
510+298.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25 26 27 28 29