Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N60P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-263
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 2.5Ω
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.82 грн
50+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
10+291.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.38 грн
50+361.86 грн
100+336.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3-TRLLittelfuse DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA5N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 5A; 250W; D2PAK,TO263; 200ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 2.8Ω
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+516.61 грн
10+359.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.78 грн
50+295.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.49 грн
50+483.76 грн
100+448.18 грн
500+367.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120PIXYSMOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLIXYSMOSFETs IXFA6N120P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.81 грн
50+386.83 грн
100+356.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3IXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.28 грн
50+483.09 грн
100+447.38 грн
500+365.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3-TRLIXYSMOSFET IXFA72N30X3 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.24 грн
10+399.88 грн
50+320.12 грн
100+276.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+588.86 грн
5+436.94 грн
10+370.68 грн
25+299.40 грн
30+290.17 грн
50+272.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYSMOSFETs 7 Amps 1000V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N60P3IXYSMOSFET 600V 7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.26 грн
10+271.27 грн
50+213.00 грн
100+182.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSMOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N80P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 7A; 200W; D2PAK,TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+777.09 грн
50+529.95 грн
100+521.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+597.89 грн
3+504.87 грн
5+488.93 грн
10+468.81 грн
25+443.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.33 грн
50+540.34 грн
100+531.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+802.60 грн
20+722.07 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.97 грн
50+423.24 грн
100+389.76 грн
500+333.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+641.46 грн
25+613.91 грн
50+590.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+403.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLIXYSMOSFET MOSFET DISC X4
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.76 грн
10+597.03 грн
50+484.77 грн
100+420.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X3 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSMOSFETs 650V/8A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 150W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: SMD
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+54.51 грн
10+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 200W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.85Ω
Reverse recovery time: 125ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+419.97 грн
3+349.72 грн
10+344.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVMOSFET N-CH 850V 8A TO-263HV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+476.87 грн
3+397.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 90A; 390W; D2PAK,TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 95ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3TRLIXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PIXYSMOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1890W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50P                                       497         
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.56kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50 IXYS08+
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSMOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3MOSFET N-CH 600V 110A TO-264-3 (PLUS264) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Reverse recovery time: 250ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.