Продукція > SiS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIS412DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.53 грн
277+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS412DNS412
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3
Код товару: 151913
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 14345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.48 грн
100+33.87 грн
500+24.67 грн
1000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.61 грн
50+47.31 грн
100+37.15 грн
500+26.72 грн
1500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.58 грн
360+39.34 грн
500+34.32 грн
1000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+48.31 грн
50+31.70 грн
100+26.59 грн
250+21.47 грн
500+18.79 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.54 грн
6000+19.18 грн
9000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.86 грн
250+22.09 грн
500+19.16 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS414DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS414DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.60 грн
382+37.03 грн
384+36.91 грн
500+29.10 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.49 грн
10+82.10 грн
100+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.74 грн
14+55.40 грн
25+54.19 грн
100+43.46 грн
250+40.12 грн
500+31.32 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.40 грн
262+54.19 грн
314+45.07 грн
315+43.32 грн
500+32.62 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS422-12VDCELESTA RelaysPower Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1922.21 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS422-12VDCELESTA RelaysPower Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3481.84 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS424DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS424DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS426DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS426DN-T1-GE3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS426DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.26 грн
6000+17.12 грн
9000+16.40 грн
15000+14.62 грн
21000+14.17 грн
30000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 61669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.65 грн
100+30.54 грн
500+22.16 грн
1000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS430DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS430DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 35A 52W
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS430DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 51557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 24473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.35 грн
500+47.70 грн
1500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+52.83 грн
100+40.02 грн
500+29.85 грн
1000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 24473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
50+99.98 грн
100+65.35 грн
500+47.70 грн
1500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3
Код товару: 209118
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.85 грн
6000+23.60 грн
9000+23.03 грн
15000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.27 грн
100+38.54 грн
500+28.21 грн
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.28 грн
19+40.75 грн
25+40.35 грн
100+32.06 грн
250+29.39 грн
500+25.23 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -30A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.75 грн
351+40.35 грн
426+33.25 грн
430+31.74 грн
500+26.28 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.79 грн
6000+22.13 грн
9000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS435DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
14+58.61 грн
100+38.77 грн
500+28.08 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS436DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS436DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS436DN-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS436DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DNVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.20 грн
500+28.61 грн
1500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 28231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.59 грн
100+35.31 грн
500+25.76 грн
1000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3
Код товару: 186242
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.64 грн
50+48.53 грн
100+35.20 грн
500+28.61 грн
1500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.07 грн
6000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS438DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V 11mOhm@-10V -50A P-CH
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4406DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4406DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4406DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
12+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4410DC-T1
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 19951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.52 грн
180+78.84 грн
250+75.67 грн
500+70.34 грн
1000+63.00 грн
2500+58.69 грн
5000+57.12 грн
10000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 19990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
25+139.00 грн
50+118.68 грн
100+92.08 грн
250+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.05 грн
6000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.93 грн
262+54.08 грн
266+53.21 грн
271+50.48 грн
500+45.97 грн
1000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0117 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.38 грн
10+104.86 грн
100+70.72 грн
500+52.31 грн
1000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4370, Qg, нКл = 135, Rds = 11,7 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® 1212-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+98.80 грн
100+66.93 грн
500+50.04 грн
1000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
25+54.08 грн
100+51.31 грн
250+46.74 грн
500+44.14 грн
1000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS444DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS444DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 9733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.04 грн
13+65.76 грн
100+43.81 грн
500+31.85 грн
1000+26.82 грн
5000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.85 грн
25+50.35 грн
50+45.43 грн
100+34.77 грн
250+33.14 грн
500+30.07 грн
1000+27.58 грн
3000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]