Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1201A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1201A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YSHXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 240A
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YSHXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.50 грн
100+75.46 грн
500+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YSHXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R4-40YSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
на замовлення 41497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+108.01 грн
50+81.92 грн
100+68.95 грн
500+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25MLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1460 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00146ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1460µohm
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25MLHXNexperiaMOSFETs PSMN1R5-25MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.45 грн
4500+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25MLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1460 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1460µohm
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25YL,115NexperiaMOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.90 грн
10+103.41 грн
100+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-25YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLE118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.82 грн
2400+123.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1521A; 401W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1521A
Power dissipation: 401W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 228nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
на замовлення 11266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.28 грн
10+226.13 грн
50+176.89 грн
100+151.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30BLEJNexperiaMOSFETs PSMN1R5-30BLE/SOT404/D2PAK
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 790A; 109W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 109W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R5-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+105.75 грн
100+71.79 грн
500+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLCNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.76 грн
10+109.41 грн
100+78.05 грн
500+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+83.93 грн
50+63.18 грн
100+53.00 грн
500+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.51V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.67 грн
112+126.99 грн
166+85.43 грн
500+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R5-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 1016A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1016A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 65139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
10000+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+313.51 грн
500+297.01 грн
1000+280.51 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+313.51 грн
500+297.01 грн
1000+280.51 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40ES,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Tube
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+239.87 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+313.51 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-40ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 1301A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 1301A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.66 грн
10+258.21 грн
50+202.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN1R5-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDXNexperiaMOSFETs PSMN1R5-40YSD/SOT669/LFPAK
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7752 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+119.71 грн
50+91.09 грн
100+76.81 грн
500+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 202A; Idm: 1145A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 202A
Pulsed drain current: 1145A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7752 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-50YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.61V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-50YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.61V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 50V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.09 грн
10+200.17 грн
50+155.68 грн
100+132.65 грн
500+113.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHXNexperiaMOSFETs PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-25YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 185A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+150.86 грн
1000+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-25YLEXNexperiaMOSFETs PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+374.80 грн
100+355.94 грн
500+337.09 грн
1000+306.86 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.41 грн
50+75.27 грн
100+63.33 грн
500+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 116A; Idm: 656A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 64155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.38 грн
4500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHXNexperiaMOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 12621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+255.76 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+255.76 грн
1000+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+255.76 грн
1000+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 8735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+255.76 грн
1000+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 12 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127NexperiaMOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-40YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
на замовлення 25209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-40YLC:115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-40YLC:115NexperiaMOSFET N-channel 40 V 1.55 mo FET
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-40YLC:115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-60CLJNexperiaMOSFET PSMN1R6-60CL/D2PAK/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-60CLJNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 60V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3735 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN1R7-25YLD - N-CHANNEL 25V, 1
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]