Продукція > DI0

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI070P04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 P -40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI070P04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+73.37 грн
500+57.96 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+96.92 грн
100+66.07 грн
500+49.63 грн
1000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI072N06PTDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI074N06D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 74A; Idm: 300A; 56.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI074N06D1KDiotec SemiconductorDescription: IC
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2936 @ 25, Qg, нКл = 46, Rds = 2,8 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 35,7, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 60 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 75A 8-POWERVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 75A 8-POWERVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+59.16 грн
100+39.32 грн
500+28.92 грн
1000+26.35 грн
2000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N06PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 300A; 39W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 39W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N08PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 75A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N08PQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 80V, 75A, 4m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N08PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 350A; 45W; QFN5x6
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 47A
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 350A
Case: QFN5x6
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 80A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 160A; 78W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 78W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+111.28 грн
100+76.49 грн
500+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin QFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.01 грн
10+161.08 грн
100+109.53 грн
500+90.49 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.62 грн
10+115.55 грн
100+79.55 грн
500+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDI080N06PQ-AQ
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.98 грн
250+126.74 грн
500+98.17 грн
1250+87.16 грн
2500+77.73 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.53 грн
500+90.49 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10D1Diotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 100V, 80A, 4.2m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 480A; 60W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 100V, 80A, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3742 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI087N03D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 87A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI090N15D2Diotec Semiconductor D2PAK, N, 150V, 90A, 12m, 175C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI090N15D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 90A; Idm: 360A; 266W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Case: D2PAK; TO263AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 266W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI090N15D2-AQDiotec Semiconductor D2PAK, N, 150V, 90A, 12m, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI090N15D2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 90A; Idm: 360A; 266W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Application: automotive industry
Case: D2PAK; TO263AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 266W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI096N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 96A; Idm: 400A; 48W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 48W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI096N03PQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 30V, 96A, 3.5m, 175C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI097N15D2Diotec Semiconductor D2PAK, N, 150V, 97A, 11 m, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI097N15D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 97A; Idm: 390A; 166W
Drain current: 97A
Pulsed drain current: 390A
Case: D2PAK; TO263AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 11mΩ
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 166W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGKDiotec SemiconductorMOSFETs DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGKDiotec SemiconductorDescription: DI0A35N06PGK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 223mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA SC-101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA SC-101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
35+8.75 грн
100+5.42 грн
500+3.72 грн
1000+3.28 грн
2000+2.91 грн
5000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SO-8, 450V, 0.4A, 150C, N
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.16 грн
10+50.57 грн
100+26.37 грн
500+26.16 грн
1000+25.27 грн
2000+22.37 грн
4000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.55 грн
100+29.82 грн
500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4