Продукція > UJ3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UJ3C120150K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
25+89.06 грн
100+76.76 грн
250+65.92 грн
500+61.84 грн
1000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/4ASICDIODEG3TO22
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/6A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/6ASICDIODEG3TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
25+114.43 грн
100+98.48 грн
250+84.95 грн
500+79.51 грн
1000+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
25+133.96 грн
100+115.86 грн
250+99.90 грн
500+93.10 грн
1000+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/8ASICDIODEG3TO22
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
25+152.07 грн
100+131.07 грн
250+113.49 грн
500+106.01 грн
1000+101.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/10ASICDIODEG3TO220-2
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/12ASICDIODEG3TO2
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
50+184.57 грн
100+178.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
25+227.37 грн
100+196.24 грн
250+169.22 грн
500+157.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/16ASICDIODEG3TO2
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDQorvoSiC Schottky Diodes 650V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06520KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDonsemiSiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEDUALG
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-3; 20.9W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Power dissipation: 20.9W
Max. forward voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.43 грн
30+327.30 грн
120+295.89 грн
510+250.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.96 грн
25+261.43 грн
100+225.21 грн
250+195.04 грн
500+181.45 грн
1000+174.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEG3TO2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06520TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
25+381.62 грн
100+329.49 грн
250+284.74 грн
500+265.04 грн
1000+255.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/30ASICDIODEG3TO2
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSON SemiconductorDiode Schottky 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS---Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole TO-220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 650V
Load current: 30A
Max. load current: 107.2A
Max. forward impulse current: 1.25kA
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDQorvoSiC Schottky Diodes 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1521.38 грн
30+918.25 грн
60+853.20 грн
120+749.40 грн
510+672.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDonsemiSiC Schottky Diodes 650V/60ASICDIODEDUALG3TO247-3
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/2ASICDIODEG3TO2
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
10+185.45 грн
50+143.71 грн
100+122.26 грн
500+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 5.5W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 27A
Power dissipation: 5.5W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/5ASICDIODEG3TO2
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSQORVODescription: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 13W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 63A
Power dissipation: 13W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.02 грн
50+220.94 грн
100+201.80 грн
500+157.94 грн
1000+147.85 грн
2000+140.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/5A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2QorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.62 грн
30+386.98 грн
60+354.23 грн
120+306.59 грн
510+265.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2onsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2QORVODescription: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSQORVODescription: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-3; 26.6W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 110A
Power dissipation: 26.6W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 6588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.30 грн
10+443.96 грн
50+356.47 грн
100+308.14 грн
500+261.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDQORVODescription: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO247-3; 13W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 63A
Power dissipation: 13W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.62 грн
30+373.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEDUAL
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.56 грн
50+250.35 грн
100+235.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 26.5W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 110A
Power dissipation: 26.5W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2onsemiSiC Schottky Diodes 1200V/20ASICDIODEG3TO
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1220K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 83 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 83nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; 55W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 180A
Power dissipation: 55W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.00 грн
25+494.60 грн
100+427.25 грн
250+369.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2QorvoSiC Schottky Diodes 1200V/20A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1079.31 грн
30+635.20 грн
60+587.12 грн
120+513.04 грн
510+466.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/20ASICDIODEDUAL
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDQORVODescription: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ3D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 220A
Power dissipation: 53.2/468.8W
Manufacturer series: UJ3D
Features of semiconductor devices: MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/50ASICDIODEG3TO
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1250K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; 134W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 275A
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/50A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 9373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2299.71 грн
30+1439.50 грн
60+1347.45 грн
120+1204.73 грн
510+1136.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; 134W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 275A
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2onsemiSiC Schottky Diodes 1200V/50ASICDIODEG3TO
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 13813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2299.71 грн
30+1439.50 грн
60+1347.45 грн
120+1136.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2QorvoSiC Schottky Diodes 1200V/50A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250ZWUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 50A - 1200V SiC Schottky Diode Die on tape
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2onsemiSiC Schottky Diodes 1700V/25ASICDIODEG3TO
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.00 грн
30+840.81 грн
120+761.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2QORVODescription: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2QorvoSiC Schottky Diodes 1700V/25A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3SonsemiJFETs 650V/25MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3SOn SemiconductorJFET N-Channel 650 V 85 A 441 W Through Hole TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.