Продукція > UJ3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UJ3D06510TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.77 грн
10+164.19 грн
100+140.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TSQorvoSiC Schottky Diodes 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/10ASICDIODEG3TO220-2
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/12ASICDIODEG3TO2
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
50+184.57 грн
100+178.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.97 грн
10+193.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
25+227.37 грн
100+196.24 грн
250+169.22 грн
500+157.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.36 грн
10+298.31 грн
100+273.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/16ASICDIODEG3TO2
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06520KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.01 грн
5+603.94 грн
10+599.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDonsemiSiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEDUALG
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDQorvoSiC Schottky Diodes 650V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-3; 20.9W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Power dissipation: 20.9W
Max. forward voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.43 грн
30+327.30 грн
120+295.89 грн
510+250.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEG3TO2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.96 грн
25+261.43 грн
100+225.21 грн
250+195.04 грн
500+181.45 грн
1000+174.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06520TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.91 грн
5+405.61 грн
10+286.12 грн
50+264.93 грн
100+243.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
25+381.62 грн
100+329.49 грн
250+284.74 грн
500+265.04 грн
1000+255.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.05 грн
5+569.80 грн
10+440.56 грн
50+400.79 грн
100+362.30 грн
250+354.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS---Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole TO-220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSON SemiconductorDiode Schottky 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TSonsemiSiC Schottky Diodes 650V/30ASICDIODEG3TO2
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDQorvoSiC Schottky Diodes 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 650V
Load current: 30A
Max. load current: 107.2A
Max. forward impulse current: 1.25kA
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDonsemiSiC Schottky Diodes 650V/60ASICDIODEDUALG3TO247-3
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.31 грн
30+702.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSDONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.70 грн
5+1035.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 5.5W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 27A
Power dissipation: 5.5W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.06 грн
50+131.44 грн
100+119.15 грн
500+91.60 грн
1000+85.11 грн
2000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.76 грн
10+166.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/2ASICDIODEG3TO2
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSQORVODescription: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.22 грн
10+189.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/5A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 13W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 63A
Power dissipation: 13W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.18 грн
50+202.07 грн
100+184.57 грн
500+144.45 грн
1000+139.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/5ASICDIODEG3TO220-2
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2onsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
на замовлення 6415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.94 грн
30+280.08 грн
120+248.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2QORVODescription: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.19 грн
5+403.98 грн
10+365.78 грн
50+304.18 грн
100+238.98 грн
250+223.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2QorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.24 грн
10+432.72 грн
100+374.89 грн
600+265.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSQORVODescription: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.29 грн
5+360.09 грн
10+334.89 грн
50+280.03 грн
100+222.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-3; 26.6W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 110A
Power dissipation: 26.6W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO247-3; 13W; tube
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Power dissipation: 13W
Max. forward voltage: 1200V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 63A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEDUAL
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.62 грн
30+373.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSDQORVODescription: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.69 грн
5+289.37 грн
10+282.87 грн
50+255.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.56 грн
50+250.35 грн
100+235.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.24 грн
5+432.43 грн
10+305.63 грн
50+274.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TSONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 26.5W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 110A
Power dissipation: 26.5W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2QorvoSiC Schottky Diodes 1200V/20A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; 55W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 180A
Power dissipation: 55W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2onsemiSiC Schottky Diodes 1200V/20ASICDIODEG3TO
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.00 грн
25+494.60 грн
100+427.25 грн
250+369.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1220K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 83 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 83nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.43 грн
5+861.62 грн
10+860.80 грн
50+464.19 грн
100+418.73 грн
250+408.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/20ASICDIODEDUAL
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; UJ3D
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Power dissipation: 53.2/468.8W
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 220A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.82 грн
30+580.96 грн
120+499.99 грн
510+460.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDQORVODescription: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+712.86 грн
5+681.98 грн
10+651.09 грн
50+575.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSDQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1752.61 грн
30+1320.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1250K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1934.57 грн
5+1781.76 грн
10+1628.94 грн
50+1482.40 грн
100+1340.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KQorvoSiC Schottky Diodes 1200V/50A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; 134W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 275A
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250KonsemiSiC Schottky Diodes 1200V/50ASICDIODEG3TO
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2onsemiSiC Schottky Diodes 1200V/50ASICDIODEG3TO
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; 134W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1200V
Max. forward impulse current: 275A
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2QorvoSiC Schottky Diodes 1200V/50A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1752.61 грн
30+1320.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1962.21 грн
5+1796.39 грн
10+1629.75 грн
50+1483.15 грн
100+1341.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250ZWUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 50A - 1200V SiC Schottky Diode Die on tape
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.00 грн
30+840.81 грн
120+761.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2QORVODescription: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1127.42 грн
5+1078.65 грн
10+1029.06 грн
50+910.27 грн
100+725.29 грн
250+666.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2QorvoSiC Schottky Diodes 1700V/25A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2onsemiSiC Schottky Diodes 1700V/25ASICDIODEG3TO
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3SonsemiJFETs 650V/25MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3SonsemiDescription: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.57 грн
30+933.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1869.54 грн
5+1683.40 грн
10+1497.26 грн
50+1348.80 грн
100+1075.74 грн
250+1054.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3SOn SemiconductorJFET N-Channel 650 V 85 A 441 W Through Hole TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3SonsemiDescription: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
Power - Max: 190 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.76 грн
30+414.63 грн
120+395.58 грн
510+352.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.46 грн
5+749.44 грн
10+571.43 грн
50+492.12 грн
100+418.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S---JFET N-Channel 650V 32A 190W Through Hole TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3SonsemiJFETs 650V/80MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3SonsemiDescription: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2472.94 грн
30+1568.97 грн
120+1449.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2116.65 грн
5+2010.98 грн
10+1693.97 грн
50+1541.27 грн
100+1394.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3SonsemiJFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 46A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 76mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3SonsemiDescription: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Power - Max: 254 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.11 грн
30+868.51 грн
120+788.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3SQORVODescription: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.35 грн
5+1050.20 грн
10+976.23 грн
50+838.57 грн
100+668.16 грн
250+614.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3SonsemiJFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S---JFET N-Channel 1200 V 33.5 A 254 W Through Hole TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3SonsemiDescription: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
Power - Max: 254 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.13 грн
30+804.07 грн
120+721.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]