Продукція > UT6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UT6898LSOP-8T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6H42393TTCHEaton ElectricalPower Meters & Energy Meters 6 POS, 200A, 1P, LEVER, 4T, HUB OPENINGS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6H72393TTCHEaton ElectricalPower Meters & Energy Meters 6 POS, 200A, LEVER, 7T, HUB OPENINGS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6H72393UUHLCHEaton ElectricalPower Meters & Energy Meters MtrSkt,200A,Ringless,7-Jaw,OH/UG,6-Gang
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.84 грн
100+32.05 грн
500+23.32 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCRROHM SemiconductorMOSFETs -20V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+52.40 грн
100+29.96 грн
500+23.20 грн
1000+21.06 грн
3000+17.67 грн
6000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.75 грн
100+28.58 грн
500+20.70 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 2PCH 20V 3A
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+61.84 грн
100+36.24 грн
500+28.30 грн
1000+25.75 грн
3000+23.13 грн
6000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1ROHMDescription: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.73 грн
500+33.21 грн
1000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+59.01 грн
100+39.08 грн
500+28.65 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1ROHMDescription: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.96 грн
16+52.35 грн
100+37.69 грн
500+26.62 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Supplier Device Package: DFN2020-8D
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA2TCRROHM SemiconductorMOSFETs -30V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.14 грн
10+44.30 грн
100+26.65 грн
500+22.30 грн
1000+20.23 грн
3000+16.78 грн
9000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.13 грн
100+34.36 грн
500+25.05 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.75 грн
100+34.08 грн
500+24.85 грн
1000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs UT6JA3 is a power MOSFET with low on-switching, suitable for switching.
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.96 грн
10+35.80 грн
100+21.54 грн
500+18.02 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+57.91 грн
100+37.85 грн
500+27.37 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 2PCH 40V 3.5A
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+55.81 грн
100+32.03 грн
500+24.85 грн
1000+22.57 грн
3000+19.61 грн
6000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.85 грн
500+27.37 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.90 грн
100+34.20 грн
500+24.94 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.90 грн
100+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+45.57 грн
100+28.86 грн
500+23.06 грн
1000+21.47 грн
3000+19.33 грн
6000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JC5TCRROHMDescription: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.22 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.22ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.90 грн
16+51.46 грн
100+37.53 грн
500+27.82 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JC5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 8-Pin HUML T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JC5TCRROHMDescription: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.22 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.22ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.53 грн
500+27.82 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JC5TCR транзистор
Код товару: 214590
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JE5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JE5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JE5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
14+24.05 грн
100+16.78 грн
500+15.95 грн
1000+15.33 грн
3000+12.08 грн
6000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 2W; DFN2020D-8
Mounting: SMD
Case: DFN2020D-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 223mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCRROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+70.97 грн
100+44.11 грн
500+34.79 грн
1000+31.82 грн
3000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+75.39 грн
100+50.54 грн
500+37.44 грн
1000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCR1ROHM SemiconductorMOSFETs UT6K30 is low on - resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application and DC-DC Converter.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
на замовлення 8385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.99 грн
100+32.18 грн
500+23.41 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCRROHMDescription: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.58 грн
500+20.64 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 9225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+56.21 грн
100+37.49 грн
500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCRROHMDescription: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.30 грн
22+38.34 грн
100+26.58 грн
500+20.64 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCR1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCR1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN2020 2NCH 30V 5.5A
на замовлення 5749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+59.46 грн
100+34.17 грн
500+26.65 грн
1000+24.23 грн
3000+21.47 грн
6000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K3TCR1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+55.34 грн
100+36.56 грн
500+26.74 грн
1000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
10+30.74 грн
25+27.55 грн
100+22.59 грн
250+21.04 грн
500+20.10 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6KB5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 40V 5A, Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
12+28.42 грн
100+20.37 грн
500+19.40 грн
1000+18.71 грн
3000+17.95 грн
6000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6KB5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
13+63.14 грн
100+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Supplier Device Package: DFN2020-8D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.32 грн
100+73.14 грн
500+54.91 грн
1000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+93.68 грн
100+54.68 грн
500+43.42 грн
1000+40.11 грн
3000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DFN2020-8D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 14017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.55 грн
100+24.09 грн
500+18.50 грн
1000+16.78 грн
3000+14.36 грн
6000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.56 грн
100+25.76 грн
500+18.58 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.03 грн
6000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR
Код товару: 184866
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.79 грн
6000+13.99 грн
9000+13.37 грн
15000+11.89 грн
21000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+41.68 грн
100+23.54 грн
500+18.09 грн
1000+16.36 грн
3000+14.08 грн
6000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 25548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.11 грн
100+25.42 грн
500+18.32 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+57.81 грн
100+38.29 грн
500+28.05 грн
1000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.67 грн
339+41.92 грн
500+40.41 грн
1000+37.69 грн
2500+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.67 грн
339+41.92 грн
500+40.41 грн
1000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+23.34 грн
610+23.25 грн
774+18.33 грн
1000+16.04 грн
3000+12.66 грн
6000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs 20V Nch+Pch Si MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+62.16 грн
100+35.83 грн
500+27.96 грн
1000+25.40 грн
3000+22.16 грн
6000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.93 грн
500+24.01 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 40V 5A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.57 грн
18+45.42 грн
100+30.93 грн
500+24.01 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 40V 5A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.48 грн
100+33.20 грн
500+24.18 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 60V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 280mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.48 грн
100+33.20 грн
500+24.18 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.073 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.073ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.11 грн
17+48.08 грн
100+32.86 грн
500+22.59 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 60V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 280mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MC5TCRROHMDescription: ROHM - UT6MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.073 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.073ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.86 грн
500+22.59 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6ME5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
на замовлення 11979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
14+21.54 грн
25+19.24 грн
100+15.66 грн
250+14.52 грн
500+13.83 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6ME5TCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH
на замовлення 13458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
16+20.72 грн
100+14.50 грн
500+13.81 грн
1000+13.25 грн
3000+12.50 грн
6000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6ME5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2W (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.91 грн
6000+13.03 грн
9000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6R2392TTGEABBElectrical Enclosures HORIZ MTRG 6-200A 4-TRM 2-LRG HBOPN CTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4