Продукція > UT6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UT681C Код товару: 218704
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UT681HDMI | UNI-T | Category: LAN and Telephone Networks Testers Description: Tester: LAN wiring; LED; Features: low battery indicator Type of tester: LAN wiring Kind of display used: LED Detection: discontinuities and short circuits in conductors; reversed connection Power supply: battery 6F22 9V x1 Measuring instrument features: low battery indicator Battery/ rechargeable battery: battery 6F22 9V x1 Connection: HDMI; mini HDMI | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT681HDMI (Тестер кабелю) Код товару: 182741
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент та прилади > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери) | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UT681L | UNI-T | Category: LAN and Telephone Networks Testers Description: Tester: LAN wiring; LED; Test: wiring RJ11,wiring RJ45 Type of tester: LAN wiring Kind of display used: LED Detection: discontinuities and short circuits in conductors Power supply: battery 6F22 9V x1 Measuring instrument features: automatic power-off; low battery indicator Battery/ rechargeable battery: battery 6F22 9V x1 Test: wiring RJ11; wiring RJ45 Connection: RJ11; RJ45 | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT682 | UNI-T | Category: LAN and Telephone Networks Testers Description: Tester: LAN wiring; 0÷40°C; Test: wiring RJ11,wiring RJ45 Power supply: battery 6F22 9V x2 Measuring instrument features: adjustable volume control; low battery indicator; tests continuity of cable pairs and conductors Operating temperature: 0...40°C Kit contents: carrying case; connection lead RJ45 with alligator clips; RJ11 cable; RJ45 cable Connection: RJ11; RJ45 Detection: cable and wire continuity; cables in walls; groups of wires; place of cable failure Type of tester: LAN wiring Test: wiring RJ11; wiring RJ45 | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT682D Код товару: 214974
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент та прилади > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери) | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UT682D | UNI-T | Category: LAN and Telephone Networks Testers Description: Tester: wiring system; Test: wiring RJ11 Power supply: battery 6F22 9V x2 Detection: cable and wire continuity; cables in walls; groups of wires; place of cable failure Type of tester: wiring system Test: wiring RJ11 | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT683KIT | UNI-T | Category: LAN and Telephone Networks Testers Description: Tester: LAN wiring; Test: wiring RJ11; Connection: RJ11,RJ45 Measuring instrument features: contactless voltage detector; low battery indicator; tests continuity of cable pairs and conductors Connection: RJ11; RJ45 Detection: cable and wire continuity; groups of wires; place of cable failure Type of tester: LAN wiring Test: wiring RJ11 Power supply: rechargeable battery Li-Ion 1050mAh x1 Kit contents: connection lead RJ11 with alligator clips; RJ11 cable; RJ45 cable; USB cable | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT683KIT (Тестер кабелю) Код товару: 182740
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент та прилади > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери) | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UT685BKIT | UNI-T | Category: LAN and Telephone Networks Testers Description: Tester: LAN wiring; LCD 2,8"; Equipment: case,RJ45-RJ11 adapter Power supply: battery AAA 1,5V x4 Kind of display used: LCD 2,8" Connection: RJ11; RJ45 Detection: discontinuities and short circuits in conductors; place of cable failure; reversed connection Type of tester: LAN wiring Test: wiring RJ11; wiring RJ45 Battery/ rechargeable battery: battery LR03 AAA 1,5V x4 Measuring instrument features: cable length measurement; connection map test: discontinuity, short circuit, incorrect connection; distance to Open / Short (TDR); tests data outlet for POE presence Standard equipment: case; RJ45 - RJ11 adapter | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT687M010HFKTA | Aillen | Description: CAP ALUM 680UF 20% 10V SMD Ripple Current @ High Frequency: 352.5 mA @ 10 kHz Ripple Current @ Low Frequency: 235 mA @ 120 Hz Voltage - Rated: 10 V Capacitance: 680 µF Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.433" (11.00mm) Surface Mount Land Size: 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) Lifetime @ Temp.: 2000 Hrs @ 105°C Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 105°C Mounting Type: Surface Mount Polarization: Polar Size / Dimension: 0.315" Dia (8.00mm) Package / Case: Radial, Can - SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 800000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT687M035HPNTA | Aillen | Description: CAP ALUM 680UF 20% 35V SMD Ripple Current @ Low Frequency: 540 mA @ 120 Hz Voltage - Rated: 35 V Capacitance: 680 µF Height - Seated (Max): 0.551" (14.00mm) Surface Mount Land Size: 0.512" L x 0.512" W (13.00mm x 13.00mm) Lifetime @ Temp.: 2000 Hrs @ 105°C Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 105°C Mounting Type: Surface Mount Polarization: Polar Size / Dimension: 0.492" Dia (12.50mm) Package / Case: Radial, Can - SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6898LSOP-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UT6898LSOP-8T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UT6H42393TTCH | Eaton Electrical | Power Meters & Energy Meters 6 POS, 200A, 1P, LEVER, 4T, HUB OPENINGS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6H72393TTCH | Eaton Electrical | Power Meters & Energy Meters 6 POS, 200A, LEVER, 7T, HUB OPENINGS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6H72393UUHLCH | Eaton Electrical | Power Meters & Energy Meters MtrSkt,200A,Ringless,7-Jaw,OH/UG,6-Gang | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6J3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active | на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6J3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs -20V Pch+Pch Si MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6J3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020-8D | на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | ROHM | Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs DFN2020 2PCH 20V 3A | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN Supplier Device Package: DFN2020-8D Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | ROHM | Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6J3TCR1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA2TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JA2TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA2TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA2TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA2TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs -30V Pch+Pch Si MOSFET | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs -20V Pch+Pch Power MOSFET | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JA3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs DFN2020 2PCH 40V 3.5A | на замовлення 820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JB5TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 8-Pin HUML T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8 Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JC5TCR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Transistors - Unclassified Description: UT6JC5TCR | на замовлення 2799 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6JC5TCR транзистор Код товару: 214590
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UT6JE5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8 Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Configuration: 2 P-Channel (Dual) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JE5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 8-Pin HUML | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JE5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JE5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8 Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JE5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 8-Pin HUML | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JE5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 8-Pin HUML | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6JE5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 8-Pin HUML | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K30TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K30TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K30TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K30TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K30TCR1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs UT6K30 is low on - resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application and DC-DC Converter. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET | на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K3TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K3TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A | на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K3TCR1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K3TCR1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K3TCR1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active | на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6K3TCR1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs DFN2020 2NCH 30V 5.5A | на замовлення 5749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6K3TCR1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8 Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 5A, Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET | на замовлення 2842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6KB5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8 Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | ROHM | Description: ROHM - UT6KB5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UT6KB5TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HUML T/R | на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

