Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT75GN60SDQ2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-268 | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GN60SDQ2G | Microchip Technology | Description: IGBT TRENCH FS 600V 155A D3PAK Power - Max: 536 W Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Packaging: Tube Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 155 A Gate Charge: 485 nC Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V Switching Energy: 2.5mJ (on), 2.14mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: D3Pak Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GN60SDQ2G | Microsemi | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120B2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT75GP120B2G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 1200V 100A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 320 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 1042 W | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120B2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 1042W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120B2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120B2G | APT | TO-247_max Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120B2G Код товару: 219401
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT75GP120J | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120J | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A SOT-227 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120J | MICROSEMI | ISTOP 4/128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT75GP120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120J Код товару: 101781
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT УКТЗЕД: 8541 29 00 10 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT75GP120J | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 543 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 128 A IGBT Type: PT Package / Case: ISOTOP Packaging: Tube Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120JDF3 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT75GP120JDQ3 Код товару: 38098
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT Напруга колектор-емітер Vces, V: 1200 V Напруга насичення Vce, V: 3,3 V Струм колектора Ic при 25°C, A: 128 A Струм колектора Ic при 100°C, A: 57 A Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 543 W Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 20/165 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT75GP120JDQ3 | MICROSEMI | APT75GP120JDQ3 APT75GP120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Power - Max: 543 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 128 A IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: ISOTOP Packaging: Tube | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори | на замовлення 33 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227 | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GP120JSC30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT MOS 7 COMBI 1200 V 75 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120JSC30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GT120JRDQ3 | Microchip Technology | IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GT120JRDQ3 | MICROSEMI | ISOTOP/Thunderbolt IGBT APT75GT120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GT120JRDQ3 | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GT120JRDQ3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Power - Max: 480 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 97 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GT120JRDQ3 Код товару: 47971
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT75GT120JU2 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GT120JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 416 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: ISOTOP Packaging: Bulk | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GT120JU3 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75GT120JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75M50B2 | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75M50B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75M50L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 75A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 (L) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75M50L | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT75M50L | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT77H60J | APT | 77A/600V/MOS/1U | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT77N60BC6 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 77 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT77N60BC6 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 [B] Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT77N60JC3 | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 77 A SOT-227 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT77N60JC3 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT77N60JC3 | MICROSEMI | SOT227/Super Junction MOSFET APT77N60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT77N60SC6 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT77N60SC6 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT77N60SC6 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT77N60SC6/TR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT77N60SC6/TR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7F100B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 7 A TO-247 | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7F100B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 [B] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7F100B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7F120B | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7F120B | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7F120B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-247 | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7F120S | Microsemi | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7F120S | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-268 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7F120S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7F80K | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7F80K | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 7 A TO-247 | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7M120B | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT7M120S | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7M120S | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 7 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT7M120S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D3Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8011JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 25.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8011JFLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8011JFLL | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS7 800 V 11 Ohm SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8011JLL | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.11_OHM, SOT-227 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8011JLL | MICROSEMI | SOT227/POWER MOSFET - MOS7 APT8011 кількість в упаковці: 10 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8011JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 25.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Supplier Device Package: ISOTOP® | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT8011JLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014JFLL | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS7 800 V 14 Ohm SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.14_OHM, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 42A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014JLL | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.14_OHM, SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2FLLG | Microchip Technology | MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-264 MAX, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2FLLG | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-264 MAX, RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2FLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2FLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2LL | APT | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2LLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2LLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8014L2LLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS7 800 V 14 Ohm TO-264 MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8015JVFR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8015JVFR | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS5 800 V 15 Ohm SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8015JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS5 800 V 15 Ohm SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8015JVR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8018JN | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8018JN | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT8018L2VFR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT8018L2VR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT8020B2FLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT8020B2FLLG | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-247 MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8020B2FLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |

