Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT75GP120B2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120B2G Код товару: 219401
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| APT75GP120J Код товару: 101781
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT УКТЗЕД: 8541 29 00 10 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| APT75GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120J | MICROSEMI | ISTOP 4/128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT75GP120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120J | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 128 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 543 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT75GP120J | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120J | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A SOT-227 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120JDF3 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори | на замовлення 33 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120JDQ3 | MICROSEMI | APT75GP120JDQ3 APT75GP120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 128 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 543 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227 | на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120JDQ3 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT75GP120JDQ3 Код товару: 38098
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В Напруга насичення Vce, В: 3,3 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 128 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 57 А Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 543 Вт Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 20/165 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| APT75GP120JSC30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT MOS 7 COMBI 1200 V 75 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GP120JSC30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GT120JRDQ3 | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GT120JRDQ3 Код товару: 47971
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| APT75GT120JRDQ3 | MICROSEMI | ISOTOP/Thunderbolt IGBT APT75GT120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GT120JRDQ3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 97 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 480 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GT120JRDQ3 | Microchip Technology | IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GT120JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 416 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34 nF @ 25 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT75GT120JU2 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GT120JU3 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75GT120JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75M50B2 | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75M50B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT75M50L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 75A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 (L) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT75M50L | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT75M50L | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77H60J | APT | 77A/600V/MOS/1U | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60BC6 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 77 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60BC6 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60JC3 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT77N60JC3 | MICROSEMI | SOT227/Super Junction MOSFET APT77N60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60JC3 | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 77 A SOT-227 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60SC6 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60SC6 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60SC6 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT77N60SC6/TR | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction Combi 600 V 77 A TO-268, TAPE & REEL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F100B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F100B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F100B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 7 A TO-247 | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F120B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 1200 V 7 A TO-247 | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F120B | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F120B | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT7F120S | Microsemi | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F120S | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-268 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F120S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT7F80K | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7F80K | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 7 A TO-247 | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT7M120B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7M120S | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 7 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7M120S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT7M120S | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8011JFLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8011JFLL | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS7 800 V 11 Ohm SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8011JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 25.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8011JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 25.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9480 pF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT8011JLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8011JLL | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.11_OHM, SOT-227 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8011JLL | MICROSEMI | SOT227/POWER MOSFET - MOS7 APT8011 кількість в упаковці: 10 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014JFLL | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 7 800 V 140 mOhm SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 42A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 7 800 V 140 mOhm SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014JLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014L2FLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014L2FLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014L2FLLG | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 7 800 V 140 mOhm TO-264 MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014L2LL | APT | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014L2LLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 26A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014L2LLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 7 800 V 140 mOhm TO-264 MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8014L2LLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8015JVFR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8015JVFR | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS 5 800 V 150 mOhm SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8015JVR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8015JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 5 800 V 150 mOhm SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8018JN | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8018JN | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8018L2VFR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8018L2VR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8020B2FLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8020B2FLLG | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-247 MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8020B2FLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8020B2FLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8020B2LL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT8020B2LLG | MICROSEMI | T-MAX/38 A, 800 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT8020 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8020B2LLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8020B2LLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-247 MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT8020JFLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 33A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |

