Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN7R5-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN7R5-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 9802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.65 грн
3000+20.90 грн
4500+19.95 грн
7500+17.71 грн
10500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 346A
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
10+70.45 грн
25+62.90 грн
100+58.71 грн
250+55.35 грн
500+50.32 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+105.08 грн
500+94.56 грн
1000+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.55 грн
50+47.42 грн
100+39.61 грн
500+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 86A
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+232.97 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.15 грн
2400+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaMOSFETs PSMN7R6-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+141.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+193.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+181.37 грн
50+140.62 грн
100+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN7R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+112.92 грн
50+85.80 грн
100+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 149W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.50 грн
2400+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 149W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 389A; 149W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 389A
Power dissipation: 149W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 92A; Idm: 389A; 149W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 92A
Pulsed drain current: 389A
Power dissipation: 149W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN7R6-60PS/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+136.99 грн
100+94.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaMOSFET N-CH 60V 92A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.61 грн
10+108.42 грн
100+80.01 грн
500+65.55 грн
1000+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60XSQNXP SemiconductorsPSMN7R6-60XSQ
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQNexperiaMOSFETs PSMN7R8-100PSE/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 473A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 473A
Power dissipation: 294W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9473 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNexperiaMOSFET N-channel 120 V 7.9 mo FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9473 pF @ 60 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PS127Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN7R8-120PS - POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PS127NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN7R8-120PS - POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PSQNexperiaMOSFET N-channel 120V 7.9mo FET
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PSQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9473 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+407.80 грн
100+387.77 грн
500+366.55 грн
1000+334.14 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118NexperiaMOSFETs PSMN8R0-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.05 грн
50+67.98 грн
100+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNexperiaMOSFET PSMN8R0-40HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+94.73 грн
100+66.20 грн
500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+94.80 грн
100+75.46 грн
500+59.92 грн
1000+50.84 грн
2000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 309A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.83 грн
10+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN8R0-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Power dissipation: 238W
Technology: Trench
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 423A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperiaMOSFETs N-channel LFPAK 80 V 8.5 mΩ standard level MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+25.94 грн
250+24.50 грн
500+24.09 грн
1000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A
на замовлення 13281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.50 грн
50+68.32 грн
100+57.42 грн
500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
487+29.05 грн
495+28.58 грн
504+28.11 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 487 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 326A
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.41 грн
10+98.12 грн
25+82.19 грн
100+73.80 грн
250+68.77 грн
500+65.41 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN8R3-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.00 грн
6000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaMOSFET N-CH 40V 70A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.12 грн
6000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.51 грн
4500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  [ Наступна Сторінка >> ]