Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.62 грн
10+165.91 грн
100+129.67 грн
500+105.45 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 149W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.97 грн
10+190.07 грн
100+117.59 грн
500+91.24 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.30 грн
100+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN7R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+112.73 грн
100+67.10 грн
500+57.57 грн
800+50.95 грн
2400+48.19 грн
4800+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 149W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.59 грн
500+91.24 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.46 грн
10+135.74 грн
100+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN7R6-60PS/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.90 грн
10+108.67 грн
100+80.19 грн
500+65.69 грн
1000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.66 грн
10+167.52 грн
100+136.92 грн
500+115.92 грн
1000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaMOSFET N-CH 60V 92A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60XSQNXP SemiconductorsPSMN7R6-60XSQ
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.36 грн
10+329.41 грн
100+260.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQNexperiaMOSFETs PSMN7R8-100PSE/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9473 pF @ 60 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNexperiaMOSFET N-channel 120 V 7.9 mo FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9473 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120ESQNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.72 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PS127NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN7R8-120PS - POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PS127Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN7R8-120PS - POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+408.71 грн
100+388.63 грн
500+367.37 грн
1000+334.88 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PSQNexperiaMOSFET N-channel 120V 7.9mo FET
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.77 грн
10+287.39 грн
100+203.65 грн
500+173.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-120PSQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9473 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-30YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+89.67 грн
100+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118NexperiaMOSFETs PSMN8R0-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+55.92 грн
500+46.05 грн
800+41.21 грн
2400+38.52 грн
4800+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+93.86 грн
100+65.60 грн
500+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.51 грн
500+91.99 грн
1000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.70 грн
10+163.50 грн
100+105.51 грн
500+91.99 грн
1000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLXNexperiaMOSFET PSMN8R0-40HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+78.99 грн
100+53.36 грн
500+45.29 грн
1000+36.86 грн
1500+34.66 грн
3000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN8R0-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+100.03 грн
100+66.69 грн
500+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.22 грн
10+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+93.93 грн
100+74.77 грн
500+59.37 грн
1000+50.38 грн
2000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
10+82.96 грн
100+62.98 грн
500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperiaMOSFETs N-channel LFPAK 80 V 8.5 mΩ standard level MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Power dissipation: 238W
Technology: Trench
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 21.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 423A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.75 грн
200+87.50 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
487+29.12 грн
495+28.64 грн
504+28.17 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 487 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A
на замовлення 13281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+85.74 грн
100+66.48 грн
1500+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.34 грн
10+149.00 грн
50+127.25 грн
200+86.00 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+26.00 грн
250+24.55 грн
500+24.15 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.34 грн
10+97.22 грн
25+81.43 грн
100+73.12 грн
250+68.14 грн
500+64.82 грн
1000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+89.00 грн
100+60.20 грн
500+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.62 грн
500+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.63 грн
100+33.41 грн
500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaMOSFET N-CH 40V 70A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.26 грн
6000+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+41.58 грн
1500+35.81 грн
3000+32.90 грн
4500+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.15 грн
6000+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
11+77.64 грн
100+54.69 грн
500+40.68 грн
1000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.25 грн
3000+20.57 грн
4500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 70A
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+57.48 грн
100+33.00 грн
500+25.68 грн
1000+20.85 грн
1500+19.33 грн
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ES,127NexperiaPSMN8R5-100ES,127
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 183W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+131.47 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100ESF SOT226/I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESFQNXP SemiconductorsPSMN8R5-100ESFQ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
500+166.56 грн
1000+153.56 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-100ESQ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+85.65 грн
500+77.07 грн
1000+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQNexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN8R5-100ESQ - 100A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
на замовлення 36282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSFQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100PSF SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.99 грн
10+171.48 грн
50+140.83 грн
100+120.81 грн
250+113.91 грн
500+107.00 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+168.87 грн
100+136.60 грн
500+113.95 грн
1000+97.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.37 грн
10+164.30 грн
100+132.89 грн
500+102.46 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-108ESNexperiaMOSFET N-Channel 100V 8.5mohm Fet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 108V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+183.09 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]