Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+91.30 грн
25+72.49 грн
100+58.89 грн
250+55.71 грн
500+46.94 грн
1000+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+87.73 грн
100+59.43 грн
500+44.42 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.80 грн
10+113.53 грн
100+67.65 грн
500+53.92 грн
1000+49.43 грн
2500+48.67 грн
5000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.64 грн
10+106.35 грн
100+72.57 грн
500+54.55 грн
1000+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshiba100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3. Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+198.13 грн
50+123.23 грн
250+111.14 грн
1000+88.25 грн
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.13 грн
50+123.23 грн
250+111.14 грн
1000+88.25 грн
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQMLQ(M1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+73.04 грн
100+44.32 грн
500+35.97 грн
1000+32.86 грн
2500+32.45 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.67 грн
100+49.51 грн
500+36.72 грн
1000+33.59 грн
2000+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.40 грн
500+36.05 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 44W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
11+80.06 грн
100+53.40 грн
500+36.05 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+32.98 грн
450+31.56 грн
500+29.77 грн
1000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
11+76.51 грн
100+63.38 грн
500+52.80 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.20 грн
169+84.26 грн
250+80.87 грн
500+75.17 грн
1000+67.33 грн
2500+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.38 грн
500+52.80 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.45 грн
261+54.34 грн
277+51.31 грн
1000+44.65 грн
2000+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.48 грн
100+51.95 грн
500+38.50 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaMOSFETs SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.46 грн
500+35.07 грн
1000+32.10 грн
3000+29.48 грн
6000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PCLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+56.21 грн
100+32.45 грн
500+25.68 грн
1000+21.75 грн
2500+21.40 грн
5000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 68578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.99 грн
100+37.67 грн
500+27.58 грн
1000+25.08 грн
2000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+25.18 грн
613+23.15 грн
1000+21.84 грн
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.06 грн
11+73.46 грн
100+49.52 грн
250+45.02 грн
500+33.85 грн
1000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 3000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.66 грн
500+46.89 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+34.02 грн
433+32.79 грн
500+31.28 грн
1000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.62 грн
281+50.51 грн
500+48.69 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 3000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.14 грн
10+111.14 грн
100+74.66 грн
500+46.89 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshibaMOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 26465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+100.03 грн
100+60.54 грн
500+49.08 грн
1000+47.29 грн
2500+46.18 грн
5000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshibaX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+97.90 грн
100+66.77 грн
500+50.14 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.01 грн
15000+70.36 грн
30000+65.47 грн
45000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.47 грн
13+62.44 грн
25+61.81 грн
100+59.13 грн
250+54.32 грн
500+51.73 грн
1000+51.31 грн
3000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.54 грн
100+67.64 грн
500+50.67 грн
1000+46.55 грн
2000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.44 грн
230+61.81 грн
232+61.32 грн
250+58.67 грн
500+53.88 грн
1000+51.31 грн
3000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
на замовлення 8484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+68.99 грн
100+49.29 грн
500+44.80 грн
1000+43.08 грн
2500+42.11 грн
5000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.62 грн
100+147.25 грн
250+125.95 грн
500+110.74 грн
1000+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.18 грн
10+137.72 грн
100+107.12 грн
500+85.26 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.12 грн
500+85.26 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APLL1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+64.78 грн
100+39.28 грн
500+31.69 грн
1000+28.23 грн
2500+27.75 грн
5000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.66 грн
100+43.83 грн
500+32.35 грн
1000+29.53 грн
2000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
12+71.04 грн
100+47.28 грн
500+31.78 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.28 грн
500+31.78 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
на замовлення 10959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
10+159.60 грн
100+111.81 грн
500+92.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.95 грн
10+169.10 грн
100+103.55 грн
500+91.12 грн
1000+89.05 грн
2500+87.67 грн
5000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 995000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.18 грн
500000+53.17 грн
750000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 146A
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+56.95 грн
500+48.25 грн
1000+40.32 грн
2500+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.62 грн
500+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.31 грн
10+163.50 грн
100+92.62 грн
500+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QMToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.54 грн
25+50.75 грн
100+48.17 грн
250+43.89 грн
500+41.46 грн
1000+40.78 грн
3000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 86A
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+52.79 грн
100+39.21 грн
500+37.14 грн
1000+34.66 грн
2500+34.10 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+51.54 грн
280+50.75 грн
284+49.95 грн
289+47.40 грн
500+43.18 грн
1000+40.78 грн
3000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]