Продукція > msc

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSC060SMA070SMicrosemiMSC060SMA070S
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+994.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SAMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SAMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SCT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM PSMT
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.80 грн
25+309.61 грн
100+307.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SCT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SCT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-263-7 XL
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 700 V
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.91 грн
25+399.58 грн
100+396.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+279.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.80 грн
25+309.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-263-7L-XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC060SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMB120B4NMicrochipMOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMB120SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.75 грн
25+380.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMB120SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+343.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC075-10Maudlin ProductsDescription: SLOTTED SHIM,4X4 INX0.075IN,PK10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1201.35 грн
25+1081.88 грн
100+969.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+1812.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.44 грн
25+780.66 грн
100+637.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1206.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1201.35 грн
25+1081.88 грн
100+969.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B
Код товару: 191923
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1129.31 грн
14+1068.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1448.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.38 грн
10+1132.52 грн
30+999.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1244.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1600.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1129.31 грн
10+1068.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1207.38 грн
13+1132.52 грн
30+999.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.89 грн
25+563.64 грн
100+490.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-247
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.06 грн
25+660.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120JMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 35A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2152.36 грн
25+1910.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120JS15Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SBD 15 A Combi SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120JS15Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 80 MOHM 15A SOT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2989.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120SMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA120S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120SMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA120SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.68 грн
25+693.31 грн
100+603.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm TO-247-4
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10358.89 грн
25+9199.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 381W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 439W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4256.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMA330D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm DIE TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC080SMB120SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SDA330B2MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC090SDA330B2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAX
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 927nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 184A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SDA330B2Microchip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SDA330B2Microchip TechnologyDescription: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 184A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28417.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.71 грн
30+456.18 грн
270+451.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+506.71 грн
32+456.18 грн
270+451.65 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrosemiTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+716.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B
Код товару: 182114
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+963.05 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247-4 Notch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-247-
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
25+273.90 грн
100+238.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm DIE TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070D/TMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM DIE TAP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SMicrosemiMSC090SMA070S
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+806.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.77 грн
25+293.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SAMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SAMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 34A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+980.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SAMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
25+271.24 грн
100+269.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SCT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SCT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SCT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
25+271.24 грн
100+269.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+409.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.26 грн
25+453.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC090SMA070SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7L XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC1MICROCHITSSOP-16
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC1-100/1CROMPTON / TE CONNECTIVITYCategory: Current Transformers
Description: Transformer: current; Iin: 100A; Iout: 1A; screw; 1@max0.2VA; Len: 3m
Operating temperature: -20...70°C
Manufacturer series: MSC1
Mounting: screw
Internal diameter: 18mm
Dimensions (a x b x c): 57.3x31.53x18mm
Output current: 1A
Accuracy class: 1 @max 0.2VA
Cable length: 3m
Operating frequency: 50...60Hz
Input current: 100A
Type of Transformer: current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC1-50BB1C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC1-50BB2CMMCBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC1007BGA
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC1008F-150K
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC100SM70JCU2Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 124A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3266.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.