Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.38 грн
5000+14.49 грн
7500+13.83 грн
12500+12.28 грн
17500+11.87 грн
25000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.63 грн
100+25.77 грн
500+18.57 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.56 грн
6000+18.32 грн
9000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Case: DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: V-DFN3030-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.49 грн
500+34.27 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+63.02 грн
100+41.85 грн
500+30.75 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.67 грн
13+67.71 грн
100+46.49 грн
500+34.27 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEVDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.65 грн
100+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.40 грн
100+31.04 грн
500+22.54 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.10 грн
5000+10.67 грн
7500+10.16 грн
12500+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS)
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.20 грн
3000+18.74 грн
4500+17.89 грн
7500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 8600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.75 грн
500+24.08 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.43 грн
22+38.45 грн
100+29.75 грн
500+24.08 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 14.6nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 8052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.51 грн
100+37.99 грн
500+27.80 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8VDFN
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 670mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.81 грн
3000+13.87 грн
4500+13.18 грн
7500+11.65 грн
10500+11.22 грн
15000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
6000+12.78 грн
9000+12.20 грн
15000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.77 грн
23+36.50 грн
100+25.28 грн
500+18.49 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.76 грн
4000+12.11 грн
6000+11.53 грн
10000+10.21 грн
14000+9.85 грн
20000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.28 грн
500+18.49 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 138116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.74 грн
100+21.84 грн
500+15.68 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.16 грн
6000+10.72 грн
9000+10.22 грн
15000+9.05 грн
21000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.44 грн
100+29.72 грн
500+21.54 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.92 грн
20+41.70 грн
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.28 грн
500+31.63 грн
1000+24.94 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.66 грн
23+36.17 грн
100+35.28 грн
500+31.63 грн
1000+24.94 грн
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.83 грн
100+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]