Продукція > TK2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK26E-2P8Fuji Electric CorporationTK26E-2P8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4682.25 грн
5+4177.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2700Sargent ToolsCrimpers LAN KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2720
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK272GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK272G R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK272G
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2770Sargent ToolsCrimpers MODULAR PLUG KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.91 грн
50+214.33 грн
100+195.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.93 грн
10+408.05 грн
100+210.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28C94AINTekmosTK28C94AIN^TEKMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28C94AIN TK7954LTekmosTK28C94AIN TK7954L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
50+239.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1XToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.03 грн
10+294.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28F010NI-12TekmosFlash Parallel 1M-bit 128K x 8 90ns 32-Pin PLCC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
30+242.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.64 грн
10+273.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1FToshibaMOSFETs TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.53 грн
30+268.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65WS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.32 грн
10+336.41 грн
100+245.07 грн
500+198.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+168.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.17 грн
10+364.15 грн
100+268.24 грн
500+200.02 грн
1000+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+268.24 грн
500+200.02 грн
1000+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.26 грн
10+351.73 грн
100+256.89 грн
500+210.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+232.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+497.46 грн
100+319.45 грн
500+245.30 грн
1000+222.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+740.50 грн
10+497.46 грн
100+319.45 грн
500+245.30 грн
1000+222.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5LQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65WLQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.09 грн
11+79.17 грн
100+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
50+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.84 грн
10+149.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+94.50 грн
100+75.22 грн
500+59.73 грн
1000+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.29 грн
133+106.55 грн
143+99.00 грн
200+80.92 грн
1000+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.84 грн
10+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.84 грн
10+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+107.03 грн
100+85.22 грн
500+67.67 грн
1000+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.91 грн
500+70.65 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
10+115.42 грн
100+82.91 грн
500+70.65 грн
1000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2A65DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
50+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2D-24TE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2D-24TE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Polyvinyl Chloride Gray
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+831.64 грн
25+814.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.81 грн
13+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60FS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P-3.5TraktronixDescription: 2PIN 3.5MM SCREW PLUGGABLE CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60DToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NQ)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.48 грн
406+34.89 грн
407+34.76 грн
500+28.30 грн
1000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1NV)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQToshibaMOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.88 грн
10+99.98 грн
100+67.71 грн
500+49.97 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.07 грн
242+58.46 грн
285+49.69 грн
500+41.10 грн
1000+36.03 грн
2000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.71 грн
500+49.97 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQSToshibaMOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QMToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]