Продукція > IXK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXK611P1 | IXYS | Description: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8DIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXK611S1 | IXYS | Description: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXK611S1T/R | IXYS | Description: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC13N80C | IXYS | MOSFET 13 Amps 800V 0.29 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC13N80C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC15N60C5 | IXYS | MOSFET 15 Amps 600V 0.165 Rds | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC15N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC15N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC19N60C5 | IXYS | MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC19N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC19N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Reverse recovery time: 430ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC20N60C | IXYS | MOSFETs 14 Amps 600V 0.19 Rds | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKC20N60C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC23N60C5 | IXYS | MOSFETs 23 Amps 600V 0.1 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC23N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC25N80C | IXYS | MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC25N80C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC40N60C | IXYS | MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC40N60C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 28A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKC40N60C | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 800ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKF 40N60 SCH1 | IXYS | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKF40N60SCD1 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 41A I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKF40N60SCD1 | IXYS | MOSFET 40 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKG25N80C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISO264™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH20N60C5 | IXYS | MOSFET 20 Amps 600V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH20N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH20N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Gate charge: 32nC | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKH20N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Gate charge: 32nC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKH24N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH24N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH24N60C5 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH30N60C5 | IXYS | MOSFETs 30 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH30N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH30N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 310W Features of semiconductor devices: super junction coolmos Gate charge: 53nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH35N60C5 | IXYS | MOSFETs 35 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH35N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH35N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Gate charge: 60nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH47N60C | IXYS | MOSFETs 47 Amps 600V 70 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH47N60C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH47N60C | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH47N60CC3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH70N60C5 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKH70N60C5 | IXYS | MOSFETs 70 Amps 600V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKH70N60C5 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKH70N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH70N60C5 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKH70N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKK85N60C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 85A TO264A Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKK85N60C | IXYS | MOSFETs 85 Amps 600V 36 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKK85N60CC3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 85A TO264A Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN40N60C | IXYS | Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 290W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 650ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN40N60C | IXYS | MOSFET Modules 40 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN40N60C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.5mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKN45N80C | IXYS | MOSFET Modules 45 Amps 800V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKN45N80C | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4-Pin SOT-227B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN45N80C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN75N60C Код товару: 116581
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXKN75N60C | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN75N60C | IXYS | MOSFET Modules 75 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN75N60C | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKN75N60C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKP10N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP10N60C5M | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: TO-220ABFP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP10N60C5M | IXYS | MOSFET 10 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP13N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP13N60C5 | IXYS | MOSFETs 13 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP13N60C5M | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220ABFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: TO-220ABFP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP20N60C5 | IXYS | 06+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP20N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP20N60C5M | IXYS | MOSFETs 20 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP20N60C5M | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220ABFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220ABFP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP20N60C5M | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 340ns Gate charge: 30nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP24N60C5 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP24N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP24N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP24N60C5M | IXYS | MOSFETs 24 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP24N60C5M | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220ABFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: TO-220ABFP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP24N60C5M | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Technology: CoolMOS™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP35N60C5 | IXYS | MOSFET 35 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKP35N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKR25N80C | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 25 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: ISOPLUS-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKR25N80C | IXYS | MOSFETs 25 Amps 800V | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKR25N80C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKR40N60C | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKR40N60C | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR40N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.07 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 38 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 280 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 280 Bauform - Transistor: ISOPLUS-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKR40N60C | IXYS | MOSFETs 40 Amps 600V | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKR40N60C | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKR40N60C | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 280W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos Reverse recovery time: 650ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKR40N60C Код товару: 178634
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXKR47N60C5 | IXYS | MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKR47N60C5 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKR47N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKR47N60C5 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXKR47N60C5 | Ixys Semiconductor GmbH | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXKT70N60C5 | IXYS | MOSFETs 70 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKT70N60C5 | IXYS | Description: MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKT70N60C5 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Power dissipation: 540W Case: TO268 On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKT70N60C5-TRL | IXYS | MOSFETs 70 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKT70N60C5-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKT70N60C5-TUB | IXYS | MOSFETs TO268 600V 70A N-CH COOLMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKT70N60C5-TUB | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 68A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXKU5-505MINIPACK2 | IXYS | Description: MOSFET MINIPACK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |