Продукція > LSI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
LSI-L5A9898
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI00188-CAmphenol ProLabs LSI LSI00188 Comparable 6Gbs SAS-2 Dual Mini-SAS SFF-8088 Port Serial PCIe 2.0 x8 RAID Controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI010616-001Q
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI0664C
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI0724
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI100BPLCC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI100CICSPLCC68
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1016-60LJ
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1016-60LJI07+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1016-80LJI07+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI101660LJLATTICE97+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI101680LJIN/A04+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI101680LTLATTICE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1016E100L44LATTICE
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1016E100LT44Lattice03+ QFP
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1024-60LJ107+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1032E/70LT107+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI104880LQLATTIC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1048C507080LATTIC
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1048E-70LQ01+ QFP
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1048E125LQLATTIC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI11240LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI1200FNMOTPLCC44
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI153C80S-44QFPLSIQFP
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI16X16-N1LSI2001 QFP
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI176TISOP-8
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2032LSI
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2032-80LJLATTICE
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2032A-80LJ4407+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2032E110LJ4407+
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2032E110LTNLATTICECategory: Programmable circuits
Description: IC: CPLD; SMD; TQFP44; I/O: 32; 5VDC; 111MHz; Number of gates: 1k
Type of integrated circuit: CPLD
Mounting: SMD
Case: TQFP44
Number of inputs/outputs: 32
Supply voltage: 5V DC
Delay time: 10ns
Number of gates: 1k
Frequency: 111MHz
DC supply current: 40mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2032VE-110LT44LATTICE2000+
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2041LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2064VE/100LT10007+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2064VE/135LT10007+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2064VE100LT100LATTICE02+ TQFP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2064VE135LT100LATTICE
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2064VE60LTLATTICE
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2064VE60LT44LATTICE
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2096VE
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI212880LQLATTICE99+ QFP
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2128A80LQ160LATTICE99+ QFP
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI2128VE100LB20807+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI4012-A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI401Z-A
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI402ZXLSILOGIC0347+ BGA
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI402ZX200MHZ
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI5128VE/100LT128-8007+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI5256VA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI5256VE-100LT128-8007+
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI5384VA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI5384VELATTICA07+
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53CLSI06+ QFP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C040LSIQFP
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1000BLSI03+ BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1000B1LSILOGIC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1000B1GLSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1000RLSI03+ BGA
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1000RB1LSILOGIC2003
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1010LSI00+ BGA
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1010-33LSI00+ BGA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1010-66LSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1010-66 B1LSIBGA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1010-66B1LSI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1010-66BILSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C101066LSI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C101066B1LSI
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1010RLSIQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020LSIBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020 B2LSIBGA
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020(CO)LSI
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020-B2LSI
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020-C0LSI
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020-COBGA
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020/62047A1LSI LogicBGA 456/LSI53C1020 REV C.0 PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI CONTROLLER 53C1020
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020/62052A1LSI LogicEPBGA 456/LSI53C1020 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI 53C1020
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020ALSIBGA
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020A A1LSIQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020A-CO
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020A384BGA-62072ALSI09+
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020AA1
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020BLSI03+ BGA
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020B2LSIBGA
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020C0LSI
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1020COLSI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030LSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030 B2LSI
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030 C0LSI
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030 COLSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030(CO)LSI05+ BGA-456
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030-B2LSI
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030-COLSIBGA
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030/62050A1LSI LogicBGA 456/LSI53C1030 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 SCSI CONT 53C1030
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030BLSI03+ BGA
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030B2LSIBGA
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030CLSI03+ BGA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030C0LSI
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030COLSI
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030TLSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-A0LSI
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-A2INTELBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-C0LSI
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-E1-A2/62070A1LSI LogicEPBGA 456/LSI53C1030T REV A.2 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 TARGET 62070
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C120LSILOGIC2000
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C120B1LSILOGIC
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C140LSI03+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C141CONEXANTQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1510
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180LSILOGIC0052+
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180 C1LSIBGA
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180-C1
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180C1N/A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180C1YLSI2004
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180YLSI
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C320/62030D1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62074A1
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C320/62074A1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 (LEAD-FREE) U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62030D1
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C710LSI99+ QFP
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C720LSIQFP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C770LFPLSIQFP
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C80S
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C810AE
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C825ALSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875LSI0424+ PQFP-160
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875ALSI03+ QFP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875JLSI04+ MQFP208
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875JBELSIBGA169
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875YLSILOGIC2001
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C876LSIQFP160
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C876-208QFPLSILOGIC01+ BGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C885LSI
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895LSI
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895-208QFPLSILOGIC5
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895A BOQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895A-208QFP
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895A208QFPLSI
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C896LSIOGIC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C896-328BGALSILOGIC
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53CF92ALSI
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53CF96-2LSI99+
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53CU98LSA0631LSI0515+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI5512VA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI62N02LSI LOGIC87+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64005MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64108MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64363C1
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64364A1
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64712A0LSI9904+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64733MAXIMQFP
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI65073B1-004(L64060C)LSIQFP176
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI65181A1LSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI68042A1LSILOGIG2002
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI69207A1QFP
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI7240
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI80225LSIPLCC44
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI8101D
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI901PCLSI
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080IXYSSiC MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1378.78 грн
10+961.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1443.04 грн
5+1265.71 грн
10+1088.38 грн
50+845.98 грн
100+765.56 грн
250+749.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080
Код товару: 138007
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1510.73 грн
30+1022.95 грн
120+949.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+927.30 грн
15+899.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120
Код товару: 183409
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+993.53 грн
10+963.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120LittelfuseMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1099.77 грн
10+979.02 грн
25+842.26 грн
50+824.13 грн
100+769.05 грн
250+759.99 грн
450+746.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1225.22 грн
30+954.95 грн
120+898.77 грн
510+764.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120IXYSMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1249.45 грн
10+1084.86 грн
25+920.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160IXYSSiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.64 грн
10+733.67 грн
100+619.84 грн
450+619.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.31 грн
30+498.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160LittelfuseMOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.24 грн
10+790.60 грн
25+677.02 грн
50+656.10 грн
100+594.04 грн
250+583.59 грн
450+578.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0025IXYSSiC MOSFETs TO247 1.2KV 70A N-CH SIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0025Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1716.36 грн
5+1637.46 грн
10+1559.37 грн
50+1374.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2344.34 грн
10+2053.46 грн
100+1735.42 грн
250+1700.56 грн
450+1660.12 грн
900+1530.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040Littelfuse1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040IXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1944.94 грн
10+1597.23 грн
100+1377.04 грн
450+1308.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0080LittelfuseMOSFET 1200 V, 80 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0080MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0080Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0120Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0120LittelfuseMOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0160Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0160LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 160MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120T0120-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120T0120-TULittelfuseSiC MOSFETs 1200V/120mohm SiC MOSFET TO-263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E0750LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1700V 750MO
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.39 грн
10+510.76 грн
25+421.83 грн
100+370.23 грн
250+357.68 грн
450+324.91 грн
900+292.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E0750IXYSSiC MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.80 грн
10+335.96 грн
100+257.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.21 грн
30+312.28 грн
120+264.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E1000LITTELFUSETrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+527.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E1000Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E1000LittelfuseMOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170T0750IXYSSiC MOSFETs 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.04 грн
10+404.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170T0750LittelfuseMOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.81 грн
10+634.24 грн
50+522.23 грн
100+460.87 грн
500+407.19 грн
1000+364.65 грн
2500+347.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170T0750Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.26 грн
50+350.54 грн
100+328.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A06ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A06ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A08ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A08A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 29 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A10ALittelfuseSiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.10 грн
10+393.69 грн
100+285.17 грн
250+276.11 грн
500+244.73 грн
1000+224.51 грн
2000+219.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A10ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A10A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 30 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 30nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.38 грн
10+331.07 грн
100+275.76 грн
500+225.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 38A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.74 грн
10+475.49 грн
100+396.24 грн
500+328.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 45 A, 63 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 63nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 45A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 45A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.14 грн
5+786.60 грн
10+645.06 грн
50+524.96 грн
100+416.25 грн
250+407.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A20ALittelfuseSiC Schottky Diodes 650V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.79 грн
10+450.62 грн
100+327.00 грн
500+291.44 грн
1000+290.75 грн
2000+290.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065A20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.72 грн
10+658.13 грн
100+548.47 грн
500+454.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C06ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065C06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C06ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C06ALittelfuseSiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C06ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C08ALittelfuseSiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C10ALittelfuseSiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C16ALittelfuseSiC Schottky Diodes 650V 16A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C16ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C16ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065C20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SBD TO263-2LAEC-Q101
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.33 грн
10+238.14 грн
100+167.34 грн
250+158.27 грн
500+148.51 грн
800+126.90 грн
2400+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D06ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D08ALittelfuseSiC Schottky Diodes 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.29 грн
10+295.07 грн
100+207.78 грн
250+195.92 грн
500+184.77 грн
800+156.88 грн
2400+148.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SIC SBD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.98 грн
10+420.15 грн
100+301.90 грн
500+262.86 грн
800+220.33 грн
4800+218.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.91 грн
10+360.52 грн
100+300.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.29 грн
10+485.38 грн
100+404.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.27 грн
10+348.14 грн
100+282.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065D20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 48 A, 63 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 63nC
rohsCompliant: YES
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 48A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.77 грн
5+477.49 грн
10+448.21 грн
50+388.24 грн
100+333.28 грн
250+308.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065D20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 48 A, 63 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 63nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+448.21 грн
50+388.24 грн
100+333.28 грн
250+308.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D20ALittelfuseSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM SCHOTTKY
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.94 грн
10+367.23 грн
100+262.16 грн
800+261.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 650V; 20A; 65W; LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 95A
Manufacturer series: LSIC2SD
Power dissipation: 65W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065D40CCLittelfuseSiC Schottky Diodes 650 V SiC Schottky Barrier Diodes in TO-263-2L D2PAK
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.39 грн
10+550.05 грн
100+398.82 грн
500+355.59 грн
800+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E12CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 650V 18.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.83 грн
10+397.16 грн
100+330.94 грн
500+274.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E12CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E16CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SCHOTTKY SIC 650V 8A DUAL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.14 грн
10+588.11 грн
100+486.91 грн
500+397.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E16CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E20CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E20CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.88 грн
10+652.16 грн
100+543.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E40CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E40CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/40A SIC SBD TO247-3L
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1572.38 грн
10+1390.36 грн
25+1187.39 грн
50+1116.97 грн
100+1057.71 грн
250+1004.72 грн
450+902.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD065E40CCALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065E40CCA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 96 A, 63 nC, SOT-227B
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227B
Kapazitive Gesamtladung: 63nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 96A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 96A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.07 грн
5+1182.74 грн
10+1113.60 грн
50+970.61 грн
100+836.68 грн
250+778.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A05LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 17.5 A, 30 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 30
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A05LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 43.3W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 40A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 43.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A08LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 47nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.24 грн
10+357.91 грн
100+295.28 грн
500+240.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A08LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; 54W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 65A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 54W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A08LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 59W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 59W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A10AIXYSSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 10A TO-220-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 80A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Application: automotive industry
Mounting: THT
Power dissipation: 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A15LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A15 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 44 A, 92 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 92
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 44
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A15LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A15LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; 93W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 120A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 93W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; 108W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 140A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 108W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; 108W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.145kA
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Application: automotive industry
Mounting: THT
Power dissipation: 108W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 55 A, 125 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120A20AIXYSSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 20A TO-220-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 18.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C05LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C05ALittelfuseSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C05ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 05A TO2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C08LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C08LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C08ALittelfuseSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 08A TO252-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C08ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 08A TO2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C101.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120C10ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-263-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.28 грн
10+545.24 грн
100+442.74 грн
500+320.73 грн
800+288.66 грн
2400+283.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 59W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Case: TO263
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Power dissipation: 59W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 28A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.81 грн
5+368.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10ALittelfuseSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 65W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Case: TO263
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 80A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 44A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D15LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-263-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.11 грн
10+772.96 грн
25+644.94 грн
50+624.03 грн
100+568.25 грн
250+540.36 грн
500+504.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D15LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; 93W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Case: TO263
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 120A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Power dissipation: 93W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D15ALittelfuseSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 15A TO263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D15ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+709.32 грн
5+680.85 грн
10+652.38 грн
50+558.95 грн
100+472.03 грн
250+467.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+652.38 грн
50+558.95 грн
100+472.03 грн
250+467.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-263-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 108W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO263
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.145kA
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 108W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20ALittelfuseSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 20A SIC SHTKY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.23 грн
10+473.22 грн
100+392.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 43/86W
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 40A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 43/86W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.01 грн
5+192.19 грн
25+182.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E10CCLittelfuseSiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E10CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E10CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 35 A, 30 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 30
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.60 грн
5+495.39 грн
10+470.17 грн
50+398.82 грн
100+333.28 грн
250+326.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E15CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+473.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E15CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; 54/108W
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 40A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 54/108W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E15CCLittelfuseSiC Schottky Diodes 1200V 15A TO-247-3L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E15CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E20CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 59/118W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E20CCLittelfuseSiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E20CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 20A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 130W
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 4V
Max. forward impulse current: 80A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Application: automotive industry
Mounting: THT
Power dissipation: 130W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E20CCAIXYSSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 2x10A TO247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E30CCLittelfuseSiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 120A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 93/186W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E30CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E30CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 88 A, 92 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 92
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1249.45 грн
5+1201.45 грн
10+1152.65 грн
50+1026.50 грн
100+906.41 грн
250+865.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E30CCALittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E30CCAIXYSSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 2x15A TO247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E30CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 178W
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 120A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Application: automotive industry
Mounting: THT
Power dissipation: 178W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E40CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 109 A, 115 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 109
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E40CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3L SiC Schottky Diode
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2258.11 грн
10+2052.66 грн
100+1524.16 грн
450+1383.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 140A
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Power dissipation: 108/216W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E40CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 40A
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E40CCAIXYSSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 2x20A TO247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 216W
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.145kA
Technology: SiC
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Application: automotive industry
Mounting: THT
Power dissipation: 216W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N120PAIXYSDescription: DIODE MODULE SIC 1200V 120A
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4179.23 грн
10+3080.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N120PALittelfuseSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 120A SM SCHOTTKY
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6127.65 грн
100+3180.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N120PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
Max. load current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N40PALittelfuseSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1526.83 грн
10+1126.56 грн
100+978.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N40PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.145kA
Electrical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N40PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.75 грн
10+1041.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120N80PA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, 1.2 kV, 150 A, 240 nC, SOT-227B
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227B
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: YES
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Diodenmontage: Panelmontage
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 150A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5483.41 грн
5+5179.99 грн
10+4875.77 грн
50+4436.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC 1200V 75A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3498.38 грн
10+2371.23 грн
100+1324.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PALittelfuseSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 80A SM SCHOTTKY
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2323.19 грн
10+1953.23 грн
100+1485.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N80PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Electrical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD170B10LittelfuseSiC Schottky Diodes RECT 1.7V 10A SM SCHOTTKY
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.04 грн
10+437.79 грн
100+377.20 грн
450+349.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD170B10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1700V 31A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 757pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1303.66 грн
30+753.27 грн
120+674.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD170B25LittelfuseSiC Schottky Diodes RECT 1.7V 25A SM SCHOTTKY
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1297.44 грн
10+953.36 грн
100+732.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD170B25Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1700V 70A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2594.76 грн
10+1847.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD170B50Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1700V 135A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3900pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 135A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD170B50LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1700V 50A TO-247-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIFC949E A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIL2A0984HPBGA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIL2B1635LSI
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIL2D0782LSI01+ BGA
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIL9B0054LSILOGIG96+
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR13733LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR2041LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3331LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3331-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3331/H0-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3331/TBSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3331/TBS-X-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3331/TRSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3333LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3333-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3333/TBSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3333/TRSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3341/S175-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3341/S201-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3831LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR3831-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR9033/A Світлодіод d=1.9 мм, інфрачервоний, J= 2.0 mcd, кут огляду 20, SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR9033/TR3LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR9353LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR9553/TR1LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIR9S53/TR1LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISA81064E
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064LSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064 A1LSI LOGIC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064 A2LSI04+
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064 A3LSI LOGICBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064 A4 /62042E1LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.4 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064 R:A3LSI LOGIC0630
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064/62042D1LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064/62042D2LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 (LEAD-FREE) PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CO SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064A1LSILOGIC2004
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064A2LSIBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064A3LSILOGIC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064A4LSILOGIC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064ELSI08+ bga
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064E-E1-B2/62097C2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1064E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 GB/S SAS/ 62097
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1064E/62097B2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1064E REV B.1 (LEAD-FREE - ROHS 6) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068 AOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068 B1 /62089B1LSI LogicEPBGA 636 /LSISAS1068 REV B.1 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1068
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068-AOLSILOGIC2005
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068/62089A1LSI LogicEPBGA 636LSISAS1068 REV B.0 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1068
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068/62089B2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068 REV B.1 (LEAD-FREE) PCI X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CON SAS1068
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068AD
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068B0
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068BCLSILOGIC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068BOLSI
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068ELSI
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068E B1LSIBGA 09+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068E B2 /62095C2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095C2
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068E B3 /62095D2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.3 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095D2
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068E/62095C1LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLL
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068EB3LSI09+ TSSOP16
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1068EЎЎB3
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1078 C1LSIBGA
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1078 C2LSIBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1078BOLSILOGIC2005
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1078C1LSI LOGIC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1078C2LSILOG04+ BGA
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISAS1078COLSILOGIC05+
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX12LSILOGIC0451+N
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX12 A1LSIBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX12ALSI
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX12A AOBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX12A/62084A2LSI LogicEPBGA 472/LSISASX12A REV A.0 (LEAD-FREE) 12-PORT 3 GB/S SAS/SATA EXPANDER
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX28-E1/62081B2LSI LogicEPBGA 672/LSISASX28 REV A.1 (LEAD-FREE) 28-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER 62081B2
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX36LSILOGIG2007
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX36/62067A1LSI LogicEPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISASX36/62067A2LSI LogicEPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 (LEAD-FREE) 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSISS1320-CALSI LogicBGA 117/RESTRICTED SALE - SELL LSISS9132 INTERPOSER CARD FIRST (CONTACT LSI LSISS1320 LSILSISS1320CL
кількість в упаковці: 20 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.