Продукція > NTG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTG04-013MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG04-015MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG04-015MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.90 грн
50+35.61 грн
250+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTG04-017MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG05-010MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG05-010MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 5A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 5A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.33 грн
50+36.80 грн
250+30.67 грн
500+23.74 грн
1500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTG06-005MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG06-005MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 6A
tariffCode: 85334010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Scheibengröße: 13mm
Zulassungen: TÜV, UL
Widerstand (25°C): 5ohm
usEccn: EAR99
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
euEccn: NLR
Produktpalette: NT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.78 грн
50+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTG06-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG07-001MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG07-002MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG07-002MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 7A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 7A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.39 грн
50+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTG204AH683HT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1ON07+;
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1ON04+ ;
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1ONSOT163-PT2
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1SOT163
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1SOT163-PT2
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3443T1ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100Lonsemionsemi NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1onsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 3.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1onsemiMOSFET NFET TSOP6 3.3A 20V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GON08+ DIP
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1G
Код товару: 187236
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: TSOP-6
Примітка: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 3.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GonsemiMOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMI2009 SC-74
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3122C
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3122CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+34.59 грн
1014+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1G - NTGD3133PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HonsemiDescription: PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HON SemiconductorNTGD3133PT1H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+34.59 грн
1014+31.91 грн
10000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1H - NTGD3133P - PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3147FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3147FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.64 грн
50+34.41 грн
100+23.74 грн
500+16.79 грн
1500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 16043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.77 грн
10+32.18 грн
100+20.79 грн
500+14.91 грн
1000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.92 грн
6000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiMOSFETs NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
на замовлення 13759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+33.68 грн
100+20.00 грн
500+15.29 грн
1000+13.11 грн
3000+10.72 грн
6000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+11.28 грн
9000+10.77 грн
15000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.74 грн
500+16.79 грн
1500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.11 грн
6000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GON09+
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GNO10+ SOT23-6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GON Semiconductor
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167Consemi COMP TSOP6 30V 2.9A 0.090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
6000+13.41 грн
9000+12.82 грн
15000+11.41 грн
21000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.62 грн
500+17.97 грн
1500+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.59 грн
41+18.36 грн
46+16.32 грн
100+14.92 грн
250+13.68 грн
500+13.00 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiMOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 23269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.73 грн
10+33.06 грн
100+17.82 грн
500+14.95 грн
1000+12.90 грн
3000+11.47 грн
6000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.16 грн
6000+19.63 грн
9000+18.90 грн
12000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.69 грн
50+36.08 грн
100+22.62 грн
500+17.97 грн
1500+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+15.23 грн
896+14.45 грн
905+14.30 грн
914+13.65 грн
1000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 676
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G-ND
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+16.55 грн
10000+14.76 грн
100000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 1955
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
NTGF3123PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGLA05A2
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGLX25A
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1N03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1P02LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1P03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+53.85 грн
100+35.53 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GON Semiconductor
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.49 грн
10+52.69 грн
100+31.75 грн
500+26.56 грн
1000+22.60 грн
3000+20.41 грн
6000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
на замовлення 55967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.51 грн
10+62.94 грн
100+48.26 грн
500+35.80 грн
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.66 грн
10+69.41 грн
100+46.22 грн
500+36.60 грн
1000+29.29 грн
3000+26.49 грн
6000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.72 грн
6000+25.75 грн
15000+24.80 грн
30000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON Semiconductor
на замовлення 20939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.90 грн
14+59.02 грн
100+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3341T1
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433MOTOROLA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 50930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3433T1 - NTGS3433T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3570
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1ON2004
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GonsemiMOSFET -12V -3.3A P-Channel
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
9+37.44 грн
10+33.21 грн
100+23.62 грн
500+19.94 грн
1000+17.27 грн
3000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433VT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441MOTOROLA
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 2664
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441BT1G - NTGS3441BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3210
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441G1
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441LT1ON09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441PT1G - NTGS3441PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3570
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1G10+ SOT-163
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1ONSOT163
на замовлення 12810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1ON
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1ON05+
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 47513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441T1 - NTGS3441T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 47513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6420+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 6420
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1ON01+ SOT23-5
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1/PT
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.02 грн
29+25.58 грн
100+22.01 грн
250+20.17 грн
500+17.83 грн
1000+15.68 грн
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 18421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.62 грн
10+32.99 грн
100+23.20 грн
500+16.70 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GonsemiMOSFET 20V 1A P-Channel
на замовлення 8458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.78 грн
10+33.84 грн
100+22.26 грн
500+17.62 грн
1000+14.27 грн
3000+12.08 грн
9000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+23.87 грн
608+21.30 грн
614+21.09 грн
667+18.72 грн
1000+15.25 грн
3000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 542
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
6000+12.56 грн
9000+12.14 грн
15000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1SOT163-PT2
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441TI
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3442T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443ONSOT-163
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
на замовлення 60688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443BT1G - NTGS3443BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 64592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3570
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1ON07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1OnsemiSOT163
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.77 грн
50+28.28 грн
100+20.71 грн
500+13.39 грн
1500+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GonsemiMOSFET 20V 2A P-Channel
на замовлення 43119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.46 грн
10+34.00 грн
100+22.12 грн
500+17.41 грн
1000+13.45 грн
3000+12.22 грн
6000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 16251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.23 грн
10+31.14 грн
100+20.14 грн
500+14.43 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
6000+10.90 грн
9000+10.40 грн
15000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3445T1G
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446onsemiMOSFETs NFET TSOP6 20V 5.1A 45MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446GonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1onsemiMOSFET 20V 5.1A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1ON09+ ORIGIN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1ON05+
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1ON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.84 грн
50+26.84 грн
100+21.43 грн
500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1840+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 1840
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.28 грн
6000+20.97 грн
9000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.18 грн
23+33.38 грн
100+26.46 грн
500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GonsemiMOSFETs 20V 5.1A N-Channel
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.03 грн
12+28.19 грн
100+17.68 грн
500+14.00 грн
1000+13.11 грн
3000+11.68 грн
6000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.43 грн
500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.46 грн
10+30.77 грн
100+19.90 грн
500+14.25 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G/446
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 1803
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1G10+ SOT-163
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3447PT1G - NTGS3447PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2010+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 2010
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3448T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1ONSOT23-6 05+
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.59 грн
50+23.34 грн
100+21.43 грн
500+17.68 грн
1500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.95 грн
6000+12.75 грн
9000+11.84 грн
30000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GonsemiMOSFETs 30V 3.5A P-Channel
на замовлення 137298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.05 грн
17+19.55 грн
100+15.64 грн
500+14.47 грн
1000+13.38 грн
3000+11.13 грн
9000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.43 грн
500+17.68 грн
1500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 38984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
10+34.10 грн
100+23.68 грн
500+17.35 грн
1000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455TI
на замовлення 10807 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1ON04+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.66 грн
20+37.49 грн
25+37.11 грн
100+27.11 грн
250+24.21 грн
500+18.65 грн
1000+14.31 грн
3000+12.92 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.76 грн
6000+11.28 грн
9000+10.76 грн
15000+9.56 грн
21000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.81 грн
50+28.84 грн
100+22.78 грн
500+14.79 грн
1500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+34.63 грн
493+26.24 грн
512+25.30 грн
637+19.58 грн
1000+13.91 грн
3000+12.06 грн
6000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 374
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 25723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.77 грн
10+32.03 грн
100+20.74 грн
500+14.88 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GonsemiMOSFETs -30V -4.7A P-Channel
на замовлення 20870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.66 грн
11+28.66 грн
100+18.23 грн
500+15.84 грн
1000+13.72 грн
3000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.59 грн
500+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141Nonsemionsemi NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.81 грн
15+20.49 грн
100+15.74 грн
500+12.61 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GonsemiMOSFETs 30V 7A N-Channel
на замовлення 35253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.22 грн
22+14.76 грн
100+10.92 грн
500+9.70 грн
1000+8.81 грн
3000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+28.74 грн
567+22.84 грн
571+22.67 грн
698+17.87 грн
1000+13.21 грн
3000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 451
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.39 грн
24+31.02 грн
25+30.79 грн
100+23.60 грн
250+21.69 грн
500+17.02 грн
1000+13.59 грн
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
6000+9.25 грн
9000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4141NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0215 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 58814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.84 грн
47+16.97 грн
100+14.26 грн
500+11.02 грн
1000+9.29 грн
5000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GONSEMINTGS4141NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+31.54 грн
71+16.67 грн
194+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4191NT1GON05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4191NT1GON05+NOP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.03 грн
21+38.39 грн
100+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
на замовлення 17819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.10 грн
12+24.85 грн
100+18.39 грн
500+13.63 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GONSOT-163
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
6000+9.49 грн
9000+9.17 грн
15000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GonsemiMOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm
на замовлення 60341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.68 грн
16+20.02 грн
100+13.86 грн
500+12.02 грн
1000+10.79 грн
3000+9.35 грн
9000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+50.33 грн
344+37.70 грн
347+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.02 грн
14+54.45 грн
25+53.92 грн
100+38.95 грн
250+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWApex Tool GroupSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWWELLERDescription: WELLER - NTGW - Lötspitze, konisch, 2mm
tariffCode: 85159080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Breite der Spitze/Düse: 2mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
Spitze/Düse: Konisch
Zur Verwendung mit: Mikro-Lötkolben der Baureihe WMP von Weller
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2086.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWWellerSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1849.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWWELLERWEL.NT-GW Soldering tips
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2664.73 грн
2+2518.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWNApex Tool GroupDescription: TIP CYLINDRICAL NTGW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.