Продукція > NTG

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTG04-013MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG04-015MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG04-015MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.36 грн
50+36.00 грн
250+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG04-017MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG05-010MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG05-010MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 5A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 5A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.81 грн
50+37.21 грн
250+31.01 грн
500+24.01 грн
1500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG06-005MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG06-005MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 6A
tariffCode: 85334010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Scheibengröße: 13mm
Zulassungen: TÜV, UL
Widerstand (25°C): 5ohm
usEccn: EAR99
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
euEccn: NLR
Produktpalette: NT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.24 грн
50+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG06-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG07-001MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG07-002MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG07-002MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 7A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 7A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.93 грн
50+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTG204AH683HT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1ON04+ ;
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1SOT163
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1SOT163-PT2
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3443T1ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100Lonsemionsemi NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1onsemiMOSFET NFET TSOP6 3.3A 20V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1onsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 40mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMI2009 SC-74
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 40mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GOn SemiconductorN/P-CH 8V 3.3A TSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GonsemiMOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1G
Код товару: 187236
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Примітка: Драйвер P-канального MOSFET 8V ±3,3A зі зсувом рівня
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3122C
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3122CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 560mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.90 грн
1014+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1G - NTGD3133PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HON SemiconductorNTGD3133PT1H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.90 грн
1014+34.96 грн
10000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1H - NTGD3133P - PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HonsemiDescription: PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3147FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3147FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
6000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.15 грн
50+34.79 грн
100+24.00 грн
500+16.98 грн
1500+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.25 грн
6000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiMOSFETs NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+36.84 грн
100+20.71 грн
500+15.88 грн
1000+14.22 грн
3000+11.39 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+34.55 грн
100+22.32 грн
500+16.00 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.00 грн
500+16.98 грн
1500+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; 0.9W; TSOP6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.45 грн
6000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GNO10+ SOT23-6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 600mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167Consemi COMP TSOP6 30V 2.9A 0.090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.11 грн
6000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.67 грн
15+52.88 грн
25+47.69 грн
100+32.50 грн
250+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiMOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+35.33 грн
100+19.05 грн
500+15.88 грн
1000+14.64 грн
3000+11.53 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.13 грн
50+39.87 грн
100+27.46 грн
500+20.87 грн
1500+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GOn SemiconductorTSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+13.75 грн
9000+13.15 грн
15000+11.70 грн
21000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+24.22 грн
3000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+47.69 грн
421+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.19 грн
6000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.46 грн
500+20.87 грн
1500+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1140306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+38.14 грн
100+24.87 грн
500+17.96 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G-ND
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+18.13 грн
10000+16.17 грн
100000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 1955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGF3123PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGLA05A2
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGLX25A
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1N03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1P02LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1P03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.44 грн
100+35.93 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.18 грн
10+53.27 грн
100+32.10 грн
500+26.85 грн
1000+22.85 грн
3000+20.64 грн
6000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GON Semiconductor
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.04 грн
6000+26.04 грн
15000+25.07 грн
30000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.54 грн
10+70.18 грн
100+46.74 грн
500+37.00 грн
1000+29.62 грн
3000+26.79 грн
6000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON Semiconductor
на замовлення 20939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.77 грн
14+59.68 грн
100+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 55967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+63.64 грн
100+48.80 грн
500+36.20 грн
1000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]