Продукція > NTG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTG04-013MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG04-015MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG04-015MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.79 грн
50+36.36 грн
250+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTG04-017MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG05-010MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG05-010MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 5A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 5A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.25 грн
50+37.58 грн
250+31.32 грн
500+24.25 грн
1500+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTG06-005MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG06-005MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 6A
tariffCode: 85334010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Scheibengröße: 13mm
Zulassungen: TÜV, UL
Widerstand (25°C): 5ohm
usEccn: EAR99
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
euEccn: NLR
Produktpalette: NT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.65 грн
50+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTG06-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG07-001MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTG07-002MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG07-002MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 7A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 7A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.43 грн
50+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTG204AH683HT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1ON04+ ;
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1SOT163
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3441T1SOT163-PT2
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTG3443T1ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100Lonsemionsemi NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1onsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 3.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1onsemiMOSFET NFET TSOP6 3.3A 20V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GOn SemiconductorN/P-CH 8V 3.3A TSOP-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1G
Код товару: 187236
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: TSOP-6
Примітка: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMI2009 SC-74
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 3.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1GonsemiMOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3122C
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3122CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+34.51 грн
1014+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1G - NTGD3133PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1GON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HonsemiDescription: PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HON SemiconductorNTGD3133PT1H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+34.51 грн
1014+31.84 грн
10000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1H - NTGD3133P - PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3147FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3147FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.61 грн
50+35.14 грн
100+24.24 грн
500+17.15 грн
1500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.04 грн
10+34.59 грн
100+22.36 грн
500+16.03 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.89 грн
6000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiMOSFETs NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
на замовлення 13759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.25 грн
10+34.40 грн
100+20.43 грн
500+15.62 грн
1000+13.39 грн
3000+10.95 грн
6000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.24 грн
500+17.15 грн
1500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.07 грн
6000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1GOn SemiconductorГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3149CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GNO10+ SOT23-6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167Consemi COMP TSOP6 30V 2.9A 0.090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.64 грн
6000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.69 грн
15+51.59 грн
25+46.53 грн
100+31.71 грн
250+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiMOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.46 грн
10+35.68 грн
100+19.24 грн
500+16.04 грн
1000+14.78 грн
3000+11.64 грн
6000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.86 грн
50+40.27 грн
100+27.74 грн
500+21.07 грн
1500+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+22.05 грн
3000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1140306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
10+38.52 грн
100+25.12 грн
500+18.14 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+43.43 грн
421+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.48 грн
6000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.74 грн
500+21.07 грн
1500+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GOn SemiconductorTSOP-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.66 грн
6000+13.89 грн
9000+13.28 грн
15000+11.82 грн
21000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G-ND
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+16.51 грн
10000+14.72 грн
100000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 1955
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
NTGF3123PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGLA05A2
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGLX25A
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1N03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1P02LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1P03LT1G
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.99 грн
10+54.99 грн
100+36.29 грн
500+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GON Semiconductor
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1GonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.80 грн
10+53.80 грн
100+32.42 грн
500+27.12 грн
1000+23.08 грн
3000+20.85 грн
6000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON Semiconductor
на замовлення 20939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
на замовлення 55967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.09 грн
10+64.28 грн
100+49.29 грн
500+36.56 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.34 грн
10+70.88 грн
100+47.20 грн
500+37.37 грн
1000+29.91 грн
3000+27.05 грн
6000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.55 грн
14+60.28 грн
100+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.33 грн
6000+26.30 грн
15000+25.32 грн
30000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3341T1
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433MOTOROLA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1ON2004
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3433T1 - NTGS3433T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3570
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 50930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
на замовлення 163782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
878+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 878
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433T1GonsemiMOSFET -12V -3.3A P-Channel
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
9+38.23 грн
10+33.92 грн
100+24.12 грн
500+20.36 грн
1000+17.64 грн
3000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3433VT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441MOTOROLA
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 2664
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441BT1G - NTGS3441BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3210
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441G1
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441LT1ON09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441PT1G - NTGS3441PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3570
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1G10+ SOT-163
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 47513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441T1 - NTGS3441T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 47513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6420+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 6420
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1ONSOT163
на замовлення 12810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1/PT
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 18421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.63 грн
10+33.69 грн
100+23.69 грн
500+17.05 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.96 грн
29+25.52 грн
100+21.96 грн
250+20.13 грн
500+17.79 грн
1000+15.65 грн
3000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GonsemiMOSFET 20V 1A P-Channel
на замовлення 8458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.65 грн
10+34.56 грн
100+22.73 грн
500+17.99 грн
1000+14.57 грн
3000+12.34 грн
9000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.69 грн
6000+12.83 грн
9000+12.40 грн
15000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+23.82 грн
608+21.25 грн
614+21.04 грн
667+18.68 грн
1000+15.21 грн
3000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 542
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441T1SOT163-PT2
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3441TI
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3442T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443ONSOT-163
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
на замовлення 60688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443BT1G - NTGS3443BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 64592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3570
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1ON07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GonsemiMOSFET 20V 2A P-Channel
на замовлення 43119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.32 грн
10+34.72 грн
100+22.59 грн
500+17.78 грн
1000+13.74 грн
3000+12.48 грн
6000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 19014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.48 грн
10+33.84 грн
100+21.84 грн
500+15.65 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
6000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.52 грн
50+28.88 грн
100+21.15 грн
500+13.67 грн
1500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3445T1G
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446onsemiMOSFETs NFET TSOP6 20V 5.1A 45MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446GonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1ON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1onsemiMOSFET 20V 5.1A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.60 грн
50+27.41 грн
100+21.88 грн
500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.63 грн
6000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1840+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 1840
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GonsemiMOSFETs 20V 5.1A N-Channel
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.86 грн
12+28.79 грн
100+18.06 грн
500+14.29 грн
1000+13.39 грн
3000+11.92 грн
6000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.88 грн
500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.23 грн
6000+20.92 грн
9000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.08 грн
23+33.31 грн
100+26.40 грн
500+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.34 грн
10+31.95 грн
100+20.62 грн
500+14.77 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G/446
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3447PT1G - NTGS3447PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2010+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 2010
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 1803
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3447T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3448T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1ONSOT23-6 05+
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.24 грн
50+23.83 грн
100+21.88 грн
500+18.05 грн
1500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.25 грн
6000+13.02 грн
9000+12.09 грн
30000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GonsemiMOSFETs 30V 3.5A P-Channel
на замовлення 137298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.60 грн
17+19.97 грн
100+15.97 грн
500+14.78 грн
1000+13.67 грн
3000+11.36 грн
9000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.88 грн
500+18.05 грн
1500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 38984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.36 грн
10+34.82 грн
100+24.19 грн
500+17.72 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3455TI
на замовлення 10807 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1ON04+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1On SemiconductorКод виробника: NTGS4111PT1 P-ChannelPowerMosfet-30V/-4.7A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.56 грн
20+37.40 грн
25+37.02 грн
100+27.05 грн
250+24.15 грн
500+18.61 грн
1000+14.28 грн
3000+12.89 грн
6000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.55 грн
50+29.45 грн
100+23.26 грн
500+15.11 грн
1500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GOn SemiconductorP-ChannelPowerMosfet-30V/-4.7A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 16661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.69 грн
10+33.23 грн
100+21.49 грн
500+15.42 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+34.56 грн
493+26.18 грн
512+25.25 грн
637+19.54 грн
1000+13.88 грн
3000+12.03 грн
6000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 374
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GonsemiMOSFETs -30V -4.7A P-Channel
на замовлення 20870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.54 грн
11+29.27 грн
100+18.62 грн
500+16.18 грн
1000+14.01 грн
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.24 грн
500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.22 грн
6000+11.68 грн
9000+11.15 грн
15000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141Nonsemionsemi NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+28.67 грн
567+22.79 грн
571+22.62 грн
698+17.83 грн
1000+13.18 грн
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 451
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.31 грн
24+30.95 грн
25+30.72 грн
100+23.55 грн
250+21.64 грн
500+16.98 грн
1000+13.56 грн
3000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.13 грн
6000+9.45 грн
9000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4141NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0215 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 58814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.45 грн
47+17.33 грн
100+14.56 грн
500+11.25 грн
1000+9.48 грн
5000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GOn SemiconductorГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.32 грн
15+20.92 грн
100+16.07 грн
500+12.88 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GonsemiMOSFETs 30V 7A N-Channel
на замовлення 32765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.73 грн
11+31.19 грн
100+17.71 грн
500+13.53 грн
1000+11.99 грн
3000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4141NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.50 грн
25+17.12 грн
28+15.27 грн
100+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4191NT1GON05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+18.22 грн
1000+16.36 грн
3000+15.63 грн
6000+14.59 грн
9000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 709
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
на замовлення 30852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.69 грн
10+33.16 грн
100+21.39 грн
500+15.31 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.65 грн
6000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.87 грн
34+22.30 грн
54+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.22 грн
6000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GonsemiMOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm
на замовлення 30992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.20 грн
12+27.42 грн
100+17.50 грн
500+14.08 грн
1000+11.92 грн
3000+9.69 грн
6000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.4W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.4W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 111mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.70 грн
500+16.92 грн
1500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.64 грн
6000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GONSOT-163
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS5120PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.25 грн
50+30.91 грн
100+22.70 грн
500+16.92 грн
1500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWApex Tool GroupSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWWELLERDescription: WELLER - NTGW - Lötspitze, konisch, 2mm
tariffCode: 85159080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Breite der Spitze/Düse: 2mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
Spitze/Düse: Konisch
Zur Verwendung mit: Mikro-Lötkolben der Baureihe WMP von Weller
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2131.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWWellerSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1888.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTGWNApex Tool GroupDescription: TIP CYLINDRICAL NTGW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.