Продукція > QH8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
QH8-0093QFP208
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-0221-030
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-0925/M66417-0011FP
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-1253-04
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-80409/1111F024
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8331DIP32
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8350PQ100
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8409TOSHQFP100
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8516
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8516QFP144
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8548
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8648-01FUJ
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8796
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8911
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-891196
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-9002-03
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-900203CANON
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-9016-01CANON
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH800
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH81257
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.15 грн
100+41.88 грн
500+30.73 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRROHM SEMICONDUCTORQH8JA1TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.66 грн
10+55.33 грн
100+37.52 грн
500+31.78 грн
1000+25.90 грн
3000+24.28 грн
6000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.76 грн
16+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRROHM SEMICONDUCTORQH8JB5TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.10 грн
10+81.00 грн
100+54.43 грн
500+40.37 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.14 грн
10+84.18 грн
100+52.82 грн
500+41.93 грн
1000+37.81 грн
3000+34.28 грн
6000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.00 грн
13+65.20 грн
100+47.37 грн
500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.37 грн
500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JC5TCRROHM SEMICONDUCTORQH8JC5TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
на замовлення 9892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.99 грн
10+73.44 грн
100+52.16 грн
500+41.86 грн
1000+36.49 грн
3000+33.62 грн
6000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.99 грн
10+58.63 грн
100+33.99 грн
500+30.60 грн
1000+27.74 грн
3000+23.98 грн
6000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCRROHM SemiconductorMOSFET QH8K22 is low on - resistance MOSFET for Switching. 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.24 грн
10+46.53 грн
100+27.96 грн
500+23.39 грн
1000+19.94 грн
3000+17.73 грн
6000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+45.83 грн
100+30.65 грн
500+22.82 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.85 грн
6000+16.05 грн
9000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K26TRROHM SEMICONDUCTORQH8K26TR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K26TRROHM SemiconductorMOSFET QH8K26 is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching and motor drive.
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.87 грн
10+61.34 грн
100+41.57 грн
500+35.24 грн
1000+28.69 грн
3000+26.93 грн
6000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+56.71 грн
100+44.09 грн
500+35.07 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRROHMDescription: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.47 грн
13+65.61 грн
100+46.79 грн
500+31.42 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRROHM SemiconductorMOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.45 грн
10+65.48 грн
100+40.54 грн
500+32.66 грн
1000+30.09 грн
3000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 16760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.19 грн
10+60.46 грн
100+47.02 грн
500+37.40 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.74 грн
6000+29.11 грн
9000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.28 грн
10+42.91 грн
100+28.41 грн
500+20.77 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.67 грн
10+41.29 грн
100+24.94 грн
500+20.82 грн
1000+17.73 грн
3000+16.04 грн
6000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.28 грн
10+49.92 грн
100+30.02 грн
500+25.09 грн
1000+21.33 грн
3000+19.27 грн
6000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+45.44 грн
100+29.68 грн
500+21.49 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRROHM SEMICONDUCTORQH8KA2TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.56 грн
10+50.58 грн
100+33.18 грн
500+24.13 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+62.46 грн
100+44.61 грн
500+32.22 грн
1000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 11488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.83 грн
10+64.55 грн
100+46.79 грн
500+42.30 грн
1000+39.29 грн
3000+33.40 грн
24000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.67 грн
500+19.08 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.68 грн
17+51.00 грн
100+36.56 грн
500+27.20 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRROHM SEMICONDUCTORQH8KA4TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.42 грн
500+45.60 грн
1000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.78 грн
10+71.50 грн
100+47.73 грн
500+35.22 грн
1000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.45 грн
10+63.45 грн
100+44.07 грн
500+37.81 грн
1000+30.83 грн
3000+28.54 грн
6000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: TSMT
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
Dauer-Drainstrom Id: 9A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.38 грн
11+81.70 грн
100+59.42 грн
500+45.60 грн
1000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB5TCRROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+48.82 грн
100+29.43 грн
500+24.57 грн
1000+20.97 грн
3000+19.27 грн
6000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.97 грн
10+49.74 грн
100+31.29 грн
500+22.80 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRROHMDescription: ROHM - QH8KB6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.91 грн
11+75.35 грн
100+51.09 грн
500+33.95 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+63.22 грн
100+49.18 грн
500+39.12 грн
1000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
на замовлення 11350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.63 грн
10+68.44 грн
100+46.35 грн
500+39.29 грн
1000+32.00 грн
3000+30.09 грн
6000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRROHM SemiconductorMOSFET 60V N&N-CHANNEL
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.23 грн
10+52.96 грн
100+31.86 грн
500+26.71 грн
1000+22.73 грн
3000+20.16 грн
6000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.32 грн
14+61.48 грн
100+47.12 грн
500+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.54 грн
10+52.88 грн
100+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.10 грн
10+80.70 грн
100+54.08 грн
500+40.06 грн
1000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 N CHAN 60V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.41 грн
10+75.47 грн
100+45.91 грн
500+37.08 грн
1000+34.94 грн
3000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.023 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.56 грн
10+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KE5TCRROHM SemiconductorMOSFET 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.30 грн
10+44.25 грн
100+26.26 грн
500+21.92 грн
1000+19.27 грн
3000+16.33 грн
6000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCRROHM SEMICONDUCTORQH8M22TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 9928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+70.89 грн
100+49.75 грн
500+39.41 грн
1000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCRROHM SemiconductorMOSFET QH8M22 is the high reliability transistor, suitable for switching applications. 40V Nch+Pch Power MOSFET.
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.85 грн
10+79.44 грн
100+53.41 грн
500+45.32 грн
1000+36.86 грн
3000+34.72 грн
6000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.37 грн
6000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCRROHM SEMICONDUCTORQH8MA2TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+42.00 грн
100+27.34 грн
500+19.73 грн
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.49 грн
10+36.89 грн
100+23.32 грн
500+19.50 грн
1000+16.63 грн
3000+15.01 грн
6000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+51.50 грн
100+32.35 грн
500+24.63 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRROHM SEMICONDUCTORQH8MA3TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+38.92 грн
327+37.36 грн
500+36.01 грн
1000+33.59 грн
2500+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V N+P Ch MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 73-82 дні (днів)
5+76.65 грн
10+49.66 грн
100+30.31 грн
500+24.72 грн
1000+22.07 грн
3000+20.01 грн
6000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.73 грн
500+27.59 грн
1000+20.37 грн
5000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+38.92 грн
327+37.36 грн
500+36.01 грн
1000+33.59 грн
2500+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.21 грн
18+47.95 грн
100+36.73 грн
500+27.59 грн
1000+20.37 грн
5000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRROHM SemiconductorMOSFET Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.66 грн
10+55.67 грн
100+37.67 грн
500+31.93 грн
1000+25.97 грн
3000+24.50 грн
6000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+63.07 грн
100+41.81 грн
500+30.69 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRROHM SEMICONDUCTORQH8MA4TCR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.00 грн
12+71.39 грн
100+50.51 грн
500+37.09 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+47.66 грн
500+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRROHM SemiconductorMOSFET 40V N&P-CHANNEL
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+63.28 грн
100+38.11 грн
500+31.86 грн
1000+27.07 грн
3000+24.13 грн
6000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 5456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+60.31 грн
100+39.92 грн
500+29.25 грн
1000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.05 грн
10+61.23 грн
100+40.68 грн
500+29.93 грн
1000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.0A-3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Small Signal MOSFET
на замовлення 33258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.21 грн
10+56.68 грн
100+36.12 грн
500+28.91 грн
1000+26.93 грн
3000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRROHMDescription: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.99 грн
14+62.14 грн
100+48.44 грн
500+37.93 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.