Продукція > QH8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
QH8-0093QFP208
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-0221-030
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-0925/M66417-0011FP
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-1253-04
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-80409/1111F024
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8331DIP32
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8350PQ100
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8409TOSHQFP100
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8516QFP144
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8516
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8548
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8648-01FUJ
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8796
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-891196
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-8911
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-9002-03
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-900203CANON
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8-9016-01CANON
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH800
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH81257
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.71 грн
10+60.20 грн
100+40.82 грн
500+34.58 грн
1000+28.18 грн
3000+26.41 грн
6000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.43 грн
16+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+113.43 грн
10+68.70 грн
100+45.57 грн
500+33.43 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.49 грн
13+70.94 грн
100+51.54 грн
500+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.54 грн
500+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.73 грн
10+88.13 грн
100+59.22 грн
500+43.92 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.20 грн
10+75.94 грн
100+51.15 грн
500+43.78 грн
1000+38.10 грн
3000+34.58 грн
6000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.04 грн
6000+32.36 грн
9000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
на замовлення 9892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.52 грн
10+79.90 грн
100+56.75 грн
500+45.54 грн
1000+39.70 грн
3000+36.58 грн
6000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.47 грн
10+81.04 грн
100+54.45 грн
500+40.39 грн
1000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.52 грн
10+63.79 грн
100+36.98 грн
500+33.30 грн
1000+30.18 грн
3000+26.09 грн
6000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.06 грн
10+49.86 грн
100+33.34 грн
500+24.83 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.33 грн
6000+17.46 грн
9000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCRROHM SemiconductorMOSFET QH8K22 is low on - resistance MOSFET for Switching. 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.02 грн
10+50.63 грн
100+30.42 грн
500+25.45 грн
1000+21.69 грн
3000+19.29 грн
6000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K26TRROHM SemiconductorMOSFET QH8K26 is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching and motor drive.
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.55 грн
10+66.74 грн
100+45.22 грн
500+38.34 грн
1000+31.22 грн
3000+29.30 грн
6000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.93 грн
10+61.70 грн
100+47.98 грн
500+38.16 грн
1000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.53 грн
6000+31.67 грн
9000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRROHMDescription: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.55 грн
13+71.38 грн
100+50.91 грн
500+34.18 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRROHM SemiconductorMOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.62 грн
10+71.25 грн
100+44.10 грн
500+35.54 грн
1000+32.74 грн
3000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 16760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.99 грн
10+65.79 грн
100+51.16 грн
500+40.69 грн
1000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.95 грн
10+44.92 грн
100+27.13 грн
500+22.65 грн
1000+19.29 грн
3000+17.45 грн
6000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.67 грн
10+46.69 грн
100+30.91 грн
500+22.60 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+54.31 грн
100+32.66 грн
500+27.29 грн
1000+23.21 грн
3000+20.97 грн
6000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+49.44 грн
100+32.29 грн
500+23.38 грн
1000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.91 грн
10+55.03 грн
100+36.10 грн
500+26.26 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.26 грн
15+61.15 грн
100+43.55 грн
500+28.68 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 30V 9A
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.46 грн
10+59.83 грн
100+37.86 грн
500+29.62 грн
1000+26.89 грн
3000+23.61 грн
6000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.23 грн
10+67.95 грн
100+48.53 грн
500+35.06 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.55 грн
500+28.68 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.87 грн
10+69.96 грн
100+43.70 грн
500+36.58 грн
1000+33.22 грн
3000+29.30 грн
6000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.15 грн
10+77.79 грн
100+51.93 грн
500+38.32 грн
1000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.28 грн
12+76.14 грн
100+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 N CHAN 40V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.48 грн
10+54.68 грн
25+47.47 грн
100+31.38 грн
500+24.57 грн
1000+22.01 грн
3000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.18 грн
10+54.11 грн
100+34.04 грн
500+24.81 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.45 грн
10+68.79 грн
100+53.51 грн
500+42.56 грн
1000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 40V 8A
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.67 грн
10+82.29 грн
100+47.79 грн
500+37.62 грн
1000+34.34 грн
3000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCRROHMDescription: ROHM - QH8KB6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0177 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0177ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+127.50 грн
12+80.81 грн
100+53.96 грн
500+36.27 грн
1000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.42 грн
14+66.89 грн
100+51.27 грн
500+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.24 грн
10+57.53 грн
100+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 60V 3A
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.05 грн
10+60.38 грн
100+34.58 грн
500+26.81 грн
1000+23.85 грн
3000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.73 грн
10+87.80 грн
100+58.84 грн
500+43.58 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 60V 5.5A
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.00 грн
10+83.12 грн
100+50.99 грн
500+40.26 грн
1000+36.02 грн
3000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.023 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.06 грн
10+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KE5TCRROHM SemiconductorMOSFET 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.72 грн
10+48.14 грн
100+28.58 грн
500+23.85 грн
1000+20.97 грн
3000+17.77 грн
6000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.57 грн
6000+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 9928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.76 грн
10+77.12 грн
100+54.13 грн
500+42.87 грн
1000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCRROHM SemiconductorMOSFETs 40V Nch+Pch Middle Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.19 грн
10+45.69 грн
100+29.74 грн
500+21.47 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.49 грн
10+40.13 грн
100+25.37 грн
500+21.21 грн
1000+18.09 грн
3000+16.33 грн
6000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.96 грн
500+30.02 грн
1000+22.17 грн
5000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+40.42 грн
327+38.80 грн
500+37.40 грн
1000+34.88 грн
2500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.07 грн
18+52.17 грн
100+39.96 грн
500+30.02 грн
1000+22.17 грн
5000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.65 грн
10+56.03 грн
100+35.20 грн
500+26.80 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+40.42 грн
327+38.80 грн
500+37.40 грн
1000+34.88 грн
2500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V N+P Ch MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 73-82 дні (днів)
5+83.39 грн
10+54.03 грн
100+32.98 грн
500+26.89 грн
1000+24.01 грн
3000+21.77 грн
6000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA4TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.03 грн
500+37.02 грн
1000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+112.56 грн
10+68.62 грн
100+45.49 грн
500+33.39 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRROHM SemiconductorMOSFETs Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.99 грн
10+70.60 грн
100+40.74 грн
500+31.86 грн
1000+28.98 грн
3000+26.57 грн
6000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA4TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.22 грн
13+70.76 грн
100+49.03 грн
500+37.02 грн
1000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+49.49 грн
500+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 NPCH 40V 4.5A
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.85 грн
10+67.20 грн
100+38.90 грн
500+30.34 грн
1000+27.13 грн
3000+24.09 грн
6000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 5456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.23 грн
10+65.62 грн
100+43.43 грн
500+31.82 грн
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.49 грн
12+77.67 грн
100+54.95 грн
500+40.35 грн
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRROHMDescription: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.07 грн
14+67.61 грн
100+52.71 грн
500+41.27 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+114.29 грн
10+66.62 грн
100+44.27 грн
500+32.56 грн
1000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
на замовлення 32924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.52 грн
10+66.00 грн
100+40.98 грн
500+32.26 грн
1000+28.50 грн
3000+25.69 грн
6000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.