Продукція > QH8
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QH8-0093 | QFP208 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QH8-0221-030 | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-0925/M66417-0011FP | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-1253-04 | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-80409/1111F024 | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-8331 | DIP32 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QH8-8350 | PQ100 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QH8-8409 | TOSH | QFP100 | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8-8516 | QFP144 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QH8-8548 | на замовлення 137 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-8648-01 | FUJ | на замовлення 81 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QH8-8796 | на замовлення 491 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-8911 | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-9002-03 | на замовлення 486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8-900203 | CANON | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QH8-9016-01 | CANON | на замовлення 247 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QH800 | на замовлення 2765 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH81257 | на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| QH8JA1TCR | Rohm | MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JA1TCR | ROHM Semiconductor | MOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET | на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JA1TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JA1TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 1959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8JA1TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JA1TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JB5TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JB5TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8JB5TCR | Rohm | MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JB5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JC5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8JC5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET | на замовлення 21785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JC5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 57658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8JE5TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JE5TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8JE5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8K22TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8K22TCR | ROHM Semiconductor | MOSFET QH8K22 is low on - resistance MOSFET for Switching. 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET. | на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8K22TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 13071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8K26TR | ROHM Semiconductor | MOSFET QH8K26 is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching and motor drive. | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8K26TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8K26TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8K51TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8 Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8K51TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET. | на замовлення 5864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8K51TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8K51TR | ROHM | Description: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA1TCR | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA1TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.4W Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KA1TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA2TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KA2TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KA2TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA2TCR | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET | на замовлення 3349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA3TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KA3TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs TSMT8 2NCH 30V 9A | на замовлення 3514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA3TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA4TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 3344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KA4TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET | на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA4TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KA4TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KA4TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KB5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs TSMT8 N CHAN 40V | на замовлення 3741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KB5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 3028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KB6TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8 Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KB6TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs TSMT8 2NCH 40V 8A | на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KB6TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KB6TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KB6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0177 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0177ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KC5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KC5TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 3 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KC5TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KC5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs TSMT8 2NCH 60V 3A | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KC6TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KC6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KC6TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 2497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8KC6TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs TSMT8 2NCH 60V 5.5A | на замовлення 4130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KC6TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KE5TCR | ROHM Semiconductor | MOSFET 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive. | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KE5TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8KE5TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8M22TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8 Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8M22TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 9928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8M22TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V Nch+Pch Middle Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA2TCR | Rohm | Транзистор польовий N+P, Id, A = 4.5, 3, Udss, В = 30, Ciss, пФ @ Uds, В = 365 @ 10, Qg, нКл = 8,4 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 4.5 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 1 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55...+150, ton = 7,2, toff = 12,... Транзистори Корпус: TSMT-8 Од. ви кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8MA2TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.25W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8MA2TCR | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA2TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.25W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R | на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA3TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8MA3TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V N+P Ch MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA3TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA4TCR | ROHM | Description: ROHM - QH8MA4TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA4TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| QH8MA4TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Zener Diode, 100mW, 2 Pin. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QH8MA4TCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]