Продукція > XP2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XP2Saia-BurgessStandard Clock Oscillators 1.0GHz +2.5V LVPECL Oscillator 7.0X5.0 mm +/-50 ppm -40 +85C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-1-1-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39764.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-1-2-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-1-4-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39764.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-1-E-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 66VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-1-I-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-3-1-5-1ExeltechDescription: INVERTER 250WATT 230VAC 12VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39764.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-3-2-5-1ExeltechDescription: INVERTER 250WATT 230VAC 24VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-3-4-5-1ExeltechDescription: INVERTER 250WATT 230VAC 48VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39764.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2-3-I-5-1ExeltechDescription: INVERTER 250WATT 230VAC 108VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39764.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2000211683M Electronic SpecialtyAdhesive Tapes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2000233703M Interconnect Solutions8F36-AAB105-0.50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP201-0005
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2010005XPEED
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP202A0003MR-GTOREXDescription: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP202
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.74 грн
500+34.18 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP202A0003MR-GTorex SemiconductorMOSFETs Power MOSFET, -30V, 3A, P-Type, SOT-23
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.34 грн
10+64.10 грн
100+39.22 грн
500+31.55 грн
1000+27.91 грн
3000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP202A0003MR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP202A0003MR-GTOREXDescription: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP202
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.62 грн
16+52.76 грн
100+42.74 грн
500+34.18 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP202A0003MR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.30 грн
10+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP202A0003PR-GTorex SemiconductorMOSFET Power MOSFET, -30V, 5A, P-Type, SOT-89
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.31 грн
10+64.70 грн
100+38.40 грн
500+32.15 грн
1000+27.91 грн
2000+24.85 грн
5000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP206/15E10N/A04+ N/A
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP20M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 20MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Frequency: 20 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15AGHYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15GHYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP20N15GIYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP210
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2120CP
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP215ACD
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2206CP
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2206MXP0031+
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2207CP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2208CNXP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2210 (1104669)Sierra WirelessDescription: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2210 (1104669)Sierra WirelessDescription: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2211ACD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2211ACPXR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2211CP
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2211CP92+
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2211CPDIP
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2211P
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2212MXP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2215
на замовлення 33200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP221P05013R-GTOREXDescription: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.11 грн
500+10.62 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP221P05013R-GTOREXDescription: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.20 грн
40+21.04 грн
100+18.11 грн
500+13.18 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
XP222AHITACHICLCC 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP222AHITACHI
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N03013R-GTOREXDescription: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.53 грн
46+18.28 грн
100+15.61 грн
500+12.32 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N03013R-GTOREXDescription: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.61 грн
500+12.32 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N03015R-GTOREXDescription: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+11.02 грн
104+8.10 грн
186+4.51 грн
500+3.57 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N03015R-GTOREXDescription: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.02 грн
104+8.10 грн
186+4.51 грн
500+3.57 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N03017R-GTOREXDescription: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.44 грн
82+10.27 грн
139+6.01 грн
500+4.50 грн
1000+2.93 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N03017R-GTOREXDescription: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.50 грн
1000+2.93 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N0301TR-GTOREXDescription: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.46 грн
500+17.44 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP222N0301TR-GTOREXDescription: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.43 грн
50+40.15 грн
100+23.46 грн
500+17.44 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP222P08013R-GTOREXDescription: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.77 грн
500+10.62 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP222P08013R-GTOREXDescription: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.98 грн
36+23.79 грн
100+12.77 грн
500+10.62 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP222P0801TR-GTOREXDescription: TOREX - XP222P0801TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.10 грн
500+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP222P0801TR-GTOREXDescription: TOREX - XP222P0801TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.04 грн
46+18.20 грн
100+12.10 грн
500+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
XP223N10013R-GTOREXDescription: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.71 грн
41+20.37 грн
100+13.44 грн
500+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
XP223N10013R-GTOREXDescription: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.54 грн
500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP223N1001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP223N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.15 грн
50+61.86 грн
100+41.32 грн
500+29.84 грн
1500+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP223N1001TR-GTOREXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP223P1501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223P1501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.91 грн
500+37.52 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP223P1501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223P1501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.43 грн
16+52.59 грн
100+44.91 грн
500+37.52 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP223P1501TR-GTOREXCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -3A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2242CP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP224N06013R-GTOREXDescription: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.57 грн
31+26.96 грн
100+14.02 грн
500+11.08 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
XP224N06013R-GTOREXDescription: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+11.08 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP224N0601TR-GTOREXDescription: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.29 грн
50+16.86 грн
100+11.27 грн
500+8.14 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
XP224N0601TR-GTOREXDescription: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.10 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP225N2001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.02 грн
22+39.48 грн
100+18.20 грн
500+13.02 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP225N2001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.20 грн
500+13.02 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP22M11840S408TGSDescription: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP22M11840S410TGSDescription: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 10pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP22M11840S412TGSDescription: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 12pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP22M11840S416TGSDescription: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 16pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP22M11840S418TGSDescription: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 18pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP22M11840S420TGSDescription: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 20pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.47 грн
40+20.87 грн
100+10.18 грн
500+9.22 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GNYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.34 грн
18+20.11 грн
100+8.78 грн
1000+8.63 грн
3000+5.73 грн
9000+4.99 грн
24000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
16+19.53 грн
100+12.36 грн
500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.85 грн
500+9.07 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2301GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+18.22 грн
100+9.11 грн
500+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2302GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2302 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.64 грн
40+20.87 грн
100+10.43 грн
500+9.61 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
XP2302GNYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 20V 3.2A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.86 грн
17+21.31 грн
100+9.23 грн
1000+9.15 грн
3000+7.37 грн
9000+5.28 грн
24000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.00 грн
29+29.22 грн
100+14.61 грн
500+13.18 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGNXSemiMOSFET N-CH 30V 5A S OT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.07 грн
11+31.92 грн
100+18.90 грн
500+14.14 грн
1000+10.57 грн
3000+9.75 грн
6000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGNXSEMIDescription: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.12 грн
500+15.89 грн
1000+11.81 грн
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306AGNYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 5A S OT-23
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
11+31.15 грн
100+13.17 грн
1000+12.06 грн
3000+9.15 грн
9000+7.89 грн
24000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.89 грн
43+19.87 грн
100+9.68 грн
500+8.84 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.43 грн
500+8.68 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2306GNYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 20V 5.3A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
17+21.31 грн
100+11.76 грн
500+10.49 грн
1000+9.38 грн
9000+5.06 грн
24000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2314GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.77 грн
500+9.53 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2314GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.90 грн
38+22.04 грн
100+10.77 грн
500+9.53 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP2318GENXSemiMOSFET N-CH 30V 0.5A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.16 грн
11+31.75 грн
100+20.61 грн
500+16.22 грн
1000+12.50 грн
3000+11.39 грн
9000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2318GENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.64 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP2318GENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.30 грн
50+16.95 грн
107+7.81 грн
500+6.98 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
XP231N02013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP231N02015R-GTOREXDescription: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231N0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.04 грн
38+22.37 грн
100+19.12 грн
500+15.97 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
XP231N02015R-GTOREXDescription: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231N0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+16.12 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP231N0201TR-GTOREXDescription: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 400
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP231N0201xx-G
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.55 грн
37+22.79 грн
100+10.69 грн
500+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
XP231N0201TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V
на замовлення 15523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
21+15.27 грн
100+7.43 грн
500+5.81 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP231N0201TR-GTorex SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 30V 0.2A
на замовлення 13549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.65 грн
15+23.36 грн
100+9.52 грн
500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP231N0201TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
6000+3.46 грн
9000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02013R-GTOREXGENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02013R-GTorex SemiconductorMOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.78 грн
17+20.54 грн
100+8.48 грн
500+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02013R-GTOREXDescription: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.40 грн
1000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02013R-GTOREXGENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
19+16.43 грн
100+9.34 грн
500+6.00 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02013R-GTOREXDescription: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.20 грн
66+12.77 грн
125+6.68 грн
500+4.42 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02015R-GTOREXDescription: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02015R-GTOREXDescription: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02017R-GTOREXDescription: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.38 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P02017R-GTOREXDescription: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+9.43 грн
121+6.93 грн
197+4.26 грн
500+3.18 грн
1000+2.22 грн
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
6000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-GTOREXDescription: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.55 грн
44+19.28 грн
112+7.46 грн
500+5.25 грн
1000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
33+9.46 грн
100+4.83 грн
500+4.32 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-GTorex SemiconductorMOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.2A / SOT-23
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.04 грн
17+21.22 грн
100+8.63 грн
500+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP231P0201TR-GTOREXDescription: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.95 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.82 грн
100+25.60 грн
500+18.76 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.59 грн
19+45.24 грн
100+30.47 грн
500+22.25 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GNYAGEO XSemiMOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.66 грн
10+40.99 грн
100+26.64 грн
500+20.91 грн
1000+16.15 грн
3000+14.73 грн
9000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2322GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.11 грн
500+12.09 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03013R-GTorex SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 30V 0.3A
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.34 грн
100+9.52 грн
1000+5.43 грн
3000+3.87 грн
9000+3.35 грн
24000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03013R-GTOREXDescription: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.53 грн
500+13.80 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03013R-GTOREXGENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP232N03013R-G TXP232N03013R-G
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03013R-GTOREXDescription: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.79 грн
44+19.37 грн
100+16.53 грн
500+13.80 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03015R-GTOREXDescription: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.81 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N03015R-GTOREXDescription: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+14.86 грн
77+10.94 грн
137+6.09 грн
500+4.81 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N0301TR-GTOREXDescription: TOREX - XP232N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.13 грн
43+19.70 грн
110+7.61 грн
500+5.36 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N0301TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
27+11.63 грн
100+7.25 грн
500+5.00 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N0301TR-GTorex SemiconductorMOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.3A / SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
14+25.87 грн
20+17.46 грн
100+6.18 грн
1000+4.32 грн
3000+3.42 грн
9000+2.83 грн
24000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP232N0301TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP232P05013R-GTOREXDescription: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232P0501xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.49 грн
32+26.80 грн
100+14.02 грн
500+9.46 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
XP232P05013R-GTOREXDescription: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232P0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.79 грн
500+18.68 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP232P0501TR-GTorex SemiconductorMOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.45A / SOT-23
на замовлення 15032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.60 грн
100+6.99 грн
1000+4.84 грн
3000+3.80 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP232P0501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.35 грн
500+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP232P0501TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
на замовлення 7814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.29 грн
31+10.31 грн
100+5.30 грн
500+4.72 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP232P0501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.06 грн
39+21.62 грн
100+8.35 грн
500+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
XP232P0501TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP2332GENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.18 грн
500+7.29 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2332GENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.47 грн
40+20.87 грн
100+10.18 грн
500+9.22 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N05013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N05013R-GTOREXDescription: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.05 грн
37+22.79 грн
100+11.77 грн
500+7.02 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N05013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N05013R-GTorex SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 30V 0.5A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.43 грн
18+19.94 грн
100+9.82 грн
1000+5.06 грн
3000+3.94 грн
9000+3.50 грн
24000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N05013R-GTOREXDescription: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.77 грн
500+7.02 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.44 грн
500+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-GTorex SemiconductorMOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
19+18.14 грн
100+9.97 грн
1000+5.36 грн
3000+3.80 грн
9000+2.90 грн
24000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.81 грн
42+20.03 грн
100+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.68 грн
34+9.15 грн
100+6.15 грн
500+4.40 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP233P1501TR-GTorex SemiconductorMOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -1.5A / SOT-23
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.37 грн
13+27.04 грн
100+14.66 грн
1000+8.78 грн
3000+6.70 грн
9000+5.95 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP233P1501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.44 грн
500+11.16 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP233P1501TR-GTOREXDescription: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.49 грн
29+29.63 грн
100+16.44 грн
500+11.16 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP23429C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.66 грн
13+25.42 грн
100+13.46 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.77 грн
500+10.70 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GNYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GNYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.89 грн
13+27.21 грн
100+12.06 грн
1000+11.83 грн
3000+8.11 грн
9000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP2344GNYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.90 грн
35+24.12 грн
100+12.77 грн
500+10.70 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N08013R-GTOREXDescription: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+13.94 грн
88+9.52 грн
167+5.01 грн
500+3.88 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N08013R-GTorex SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 30V 0.8A
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.16 грн
14+24.47 грн
100+12.06 грн
1000+6.99 грн
3000+4.91 грн
9000+4.24 грн
24000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N08013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N08013R-GTOREXDescription: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.88 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N08013R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N0801TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N0801TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N0801TR-GTorex SemiconductorMOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.8A / SOT-23
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
18+19.34 грн
100+9.52 грн
1000+6.18 грн
3000+4.17 грн
9000+3.35 грн
24000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N0801TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP235N2001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.69 грн
500+7.75 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP235N2001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
14+22.48 грн
100+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP235N2001TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.65 грн
20+17.80 грн
100+9.75 грн
1000+8.63 грн
3000+5.66 грн
9000+4.91 грн
24000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP235N2001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP235N2001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.98 грн
36+23.37 грн
100+10.69 грн
500+7.75 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP236N2001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.85 грн
500+7.83 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP236N2001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.05 грн
47+18.11 грн
100+9.52 грн
500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
XP236N2001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.22 грн
15+21.24 грн
100+13.45 грн
500+9.44 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP236N2001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP236N2001TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.15 грн
13+27.04 грн
100+11.91 грн
1000+9.30 грн
3000+6.70 грн
9000+5.95 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP2401PANASONICSOT23-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2401-(TX)PANASONIC97+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2401-(TX)(7R)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2401-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2401/7R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2401TXPAN00+ SOP-5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP241YVIT2
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP24M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 24MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP24M57600S408TGSDescription: CRYSTAL 24.576MHZ 30ppm, 8pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24.576 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP2501
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2501-(TX)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2501-(TX).SOPANASOT25/SOT353
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.46 грн
15+59.19 грн
100+42.16 грн
500+33.18 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.29 грн
15+23.70 грн
100+10.86 грн
1000+10.19 грн
3000+9.00 грн
9000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.44 грн
500+12.25 грн
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2530AGYYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
15+21.55 грн
100+14.60 грн
500+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.89 грн
500+24.26 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2531GYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.53 грн
18+47.67 грн
100+32.89 грн
500+24.26 грн
1000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP2581
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP25M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 25MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 25 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP2615GEYYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.37 грн
500+14.03 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTorex SemiconductorMOSFETs N-CHANNEL 60V 0.15A
на замовлення 7207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.36 грн
22+16.26 грн
100+12.28 грн
1000+6.10 грн
3000+3.50 грн
9000+2.31 грн
24000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTOREXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.3A; 0.35W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70023R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70025R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70025R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70027R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.17 грн
1000+1.93 грн
2500+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N70027R-GTOREXDescription: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+9.43 грн
121+6.93 грн
218+3.84 грн
500+3.02 грн
1000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.88 грн
50+16.86 грн
100+9.93 грн
500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.15A / SOT-23
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.50 грн
23+15.49 грн
100+11.61 грн
1000+6.18 грн
3000+3.27 грн
9000+2.23 грн
24000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP261N7002TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.93 грн
25+12.40 грн
100+7.73 грн
500+5.33 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+10.60 грн
118+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTorex SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 60V 0.3A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.51 грн
19+18.83 грн
100+10.42 грн
1000+5.58 грн
3000+4.02 грн
9000+3.05 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N70023R-GTOREXDescription: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.11 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.51 грн
29+10.77 грн
100+6.69 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTOREXDescription: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+14.02 грн
89+9.43 грн
173+4.84 грн
500+4.11 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP262N7002TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23
на замовлення 7022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.01 грн
28+12.67 грн
100+5.06 грн
1000+4.32 грн
3000+3.50 грн
9000+2.75 грн
24000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.02 грн
500+8.29 грн
1000+6.73 грн
3000+5.80 грн
6000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.22 грн
15+21.24 грн
100+13.45 грн
500+9.44 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 1A / SOT-23
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.04 грн
19+18.48 грн
100+8.41 грн
1000+7.59 грн
3000+5.95 грн
9000+5.13 грн
24000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTOREXDescription: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.39 грн
42+20.03 грн
100+9.77 грн
500+7.60 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
XP263N1001TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTorex SemiconductorMOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
19+18.14 грн
100+9.97 грн
1000+5.36 грн
3000+3.50 грн
9000+2.90 грн
24000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTOREXDescription: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.26 грн
1000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTOREXDescription: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+12.27 грн
70+12.02 грн
100+10.27 грн
500+5.89 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
XP264N0301TR-GTorex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP27M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 27 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP28M63636S408TGSDescription: CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 28.63636 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP2943CP
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP2E2Z11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.77 грн
500+9.77 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N075ENYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.86 грн
17+21.31 грн
100+9.23 грн
1000+9.15 грн
3000+7.29 грн
9000+5.28 грн
24000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N1K2EN1XSEMIDescription: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2N1K2EN1YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.71 грн
54+15.53 грн
125+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.77 грн
500+7.75 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.13 грн
45+18.62 грн
100+9.77 грн
500+7.75 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P038NXSemiMOSFET P-CH -20V -5A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
6+58.77 грн
10+51.00 грн
100+34.08 грн
500+26.94 грн
1000+21.58 грн
3000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.44 грн
500+11.01 грн
1000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P052NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.76 грн
13+26.70 грн
100+11.39 грн
1000+10.27 грн
3000+7.81 грн
9000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.08 грн
13+27.13 грн
100+16.07 грн
1000+9.00 грн
3000+8.26 грн
9000+7.29 грн
24000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.82 грн
35+24.54 грн
100+11.94 грн
500+10.46 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
XP2P053NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.60 грн
500+9.30 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001Omron Electronics Inc-EMC DivDescription: XP2U-001 IS A LONG-LIFE TEST SOC
Packaging: Box
For Use With/Related Products: USB - C
Accessory Type: Test Socket
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12743.27 грн
20+9934.59 грн
40+9461.09 грн
60+8819.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001Omron ElectronicsTest Sockets Test Socket USB Type C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12004.93 грн
20+11259.22 грн
60+9663.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001OMRON ELECTRONIC COMPONENTSDescription: OMRON ELECTRONIC COMPONENTS - XP2U-001 - USB-Prüfbuchse, USB 3.1, Typ C, 24 Kontakte, 0.25A / 1.25A, 20V DC/V AC, 5°C bis 40°C
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kontakte: 24Kontakt(e)
USB-Version: USB 3.1
euEccn: NLR
hazardous: false
Betriebstemperatur: +5°C bis +40°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strom USB-Prüfsteckverbinder: 0.25A/1.25A
Spannung USB-Prüfsteckverbinder: 20VDC/20VAC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13417.26 грн
5+12140.06 грн
10+10862.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001OmronTesting Socket for Devices with USB Type C Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U-001.OMRON ELECTRONIC COMPONENTSDescription: OMRON ELECTRONIC COMPONENTS - XP2U-001. - USB TYPE C MOUNTED DEVICE TEST SOCKET
tariffCode: 85366990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kontakte: 24Kontakt(e)
USB-Version: USB 3.1
euEccn: NLR
hazardous: false
Betriebstemperatur: +5°C to +40°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strom USB-Prüfsteckverbinder: 0.25A/1.25A
directShipCharge: 25
Spannung USB-Prüfsteckverbinder: 20VDC/ 20VAC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12855.46 грн
5+12854.63 грн
10+12852.96 грн
25+11608.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP2U001OmronTesting Socket for Devices with USB Type C Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP2Z11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.12 грн
10+451.84 грн
25+381.74 грн
500+322.21 грн
800+317.00 грн
2400+310.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.