Продукція > XP2

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	39313.00 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-2-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-4-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	39313.00 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-E-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 66VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-I-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-1-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 12VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	39313.00 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-2-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 24VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-4-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 48VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	39313.00 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-I-5-1

3M Interconnect Solutions

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 108VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	39313.00 грн

В кошику од. на суму грн.

XP200021168

3M Electronic Specialty

Adhesive Tapes

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP200023370

8F36-AAB105-0.50

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP201-0005

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2010005

XPEED

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP202
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.83 грн
16+	52.16 грн
100+	42.25 грн
500+	33.80 грн
1000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.38 грн
10+	52.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.25 грн
500+	33.80 грн
1000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

MOSFETs Power MOSFET, -30V, 3A, P-Type, SOT-23

на замовлення 7158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	57.36 грн
100+	35.24 грн
500+	28.10 грн
1000+	25.75 грн
3000+	22.81 грн
6000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003PR-G

MOSFET Power MOSFET, -30V, 5A, P-Type, SOT-89

на замовлення 3036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.47 грн
10+	63.96 грн
100+	37.96 грн
500+	31.78 грн
1000+	27.59 грн
2000+	24.57 грн
5000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

XP206/15E10

N/A

04+ N/A

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP20M00000S408

Description: CRYSTAL 20MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Frequency: 20 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP20N15AGH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP20N15GH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP20N15GI

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP210

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2120CP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP215ACD

на замовлення 8003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2206CP

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2206M

0031+

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2207CP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2208CN

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2210 (1104669)

Sierra Wireless

Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2210 (1104669)

Sierra Wireless

Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2211ACD

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211ACP

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211CP

DIP

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211CP

на замовлення 216 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211CP

92+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211P

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2212M

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2215

на замовлення 33200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP221P05013R-G

Description: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	21.95 грн
40+	20.80 грн
100+	17.91 грн
500+	13.03 грн
1000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

XP221P05013R-G

Description: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.91 грн
500+	10.50 грн
1000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222A

HITACHI

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP222A

HITACHI

CLCC 07+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP222N03013R-G

Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	19.31 грн
46+	18.07 грн
100+	15.43 грн
500+	12.18 грн
1000+	2.69 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

XP222N03013R-G

Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.43 грн
500+	12.18 грн
1000+	2.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222N03015R-G

Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.89 грн
104+	8.01 грн
186+	4.46 грн
500+	3.53 грн
1000+	2.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222N03015R-G

Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	10.89 грн
104+	8.01 грн
186+	4.46 грн
500+	3.53 грн
1000+	2.33 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

XP222N03017R-G

Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.44 грн
1000+	2.90 грн
5000+	2.48 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP222N03017R-G

Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	14.28 грн
82+	10.15 грн
139+	5.94 грн
500+	4.44 грн
1000+	2.90 грн
5000+	2.48 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

XP222N0301TR-G

Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.79 грн
50+	39.70 грн
100+	23.19 грн
500+	17.24 грн
1500+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

XP222N0301TR-G

Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.19 грн
500+	17.24 грн
1500+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222P08013R-G

Description: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.11 грн
29+	29.13 грн
100+	24.84 грн
500+	20.77 грн
1000+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

XP222P08013R-G

Description: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.84 грн
500+	20.77 грн
1000+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222P0801TR-G

Description: TOREX - XP222P0801TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	21.46 грн
52+	15.93 грн
100+	9.57 грн
500+	7.89 грн
1000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

XP223N10013R-G

Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.29 грн
500+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP223N10013R-G

Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	24.43 грн
41+	20.14 грн
100+	13.29 грн
500+	9.04 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

XP223N1001TR-G

Description: TOREX - XP223N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP223N1001xx-G
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.81 грн
30+	27.81 грн
100+	14.36 грн
500+	10.50 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

XP223N1001TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP223P1501TR-G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -3A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP223P1501TR-G

Description: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223P1501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.40 грн
500+	37.09 грн
1000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP223P1501TR-G

Description: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223P1501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.79 грн
16+	51.99 грн
100+	44.40 грн
500+	37.09 грн
1000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

XP2242CP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP224N06013R-G

Description: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.11 грн
31+	26.66 грн
100+	13.86 грн
500+	10.96 грн
1000+	3.96 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

XP224N06013R-G

Description: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	10.96 грн
1000+	3.96 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP224N0601TR-G

Description: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	19.89 грн
56+	14.77 грн
100+	8.91 грн
500+	7.30 грн
1000+	5.92 грн
5000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

XP224N0601TR-G

Description: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	7.02 грн
1000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP225N2001TR-G

Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.35 грн
22+	39.04 грн
100+	17.99 грн
500+	12.87 грн
1000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

XP225N2001TR-G

Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.99 грн
500+	12.87 грн
1000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S408

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S410

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 10pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S412

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 12pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S416

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 16pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S418

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 18pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S420

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 20pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.63 грн
16+	19.31 грн
100+	12.22 грн
500+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.09 грн
40+	20.63 грн
100+	10.07 грн
500+	9.12 грн
1000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.74 грн
500+	8.97 грн
1000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

MOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.98 грн
18+	19.88 грн
100+	8.68 грн
1000+	8.53 грн
3000+	5.66 грн
9000+	4.93 грн
24000+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.83 грн
16+	19.62 грн
100+	9.80 грн
500+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

MOSFETs N-CH 20V 3.2A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.47 грн
17+	21.07 грн
100+	9.12 грн
1000+	9.05 грн
3000+	7.28 грн
9000+	5.22 грн
24000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2302GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2302 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.27 грн
40+	20.63 грн
100+	10.32 грн
500+	9.50 грн
1000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

Description: YAGEO XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.46 грн
29+	28.88 грн
100+	14.44 грн
500+	13.03 грн
1000+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

MOSFETs N-CH 30V 5A S OT-23

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.94 грн
11+	30.80 грн
100+	13.02 грн
1000+	11.92 грн
3000+	9.05 грн
9000+	7.80 грн
24000+	7.50 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

XSEMI

Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.87 грн
500+	15.71 грн
1000+	11.67 грн
3000+	10.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

XSemi

MOSFET N-CH 30V 5A S OT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.62 грн
11+	31.56 грн
100+	18.69 грн
500+	13.98 грн
1000+	10.45 грн
3000+	9.64 грн
6000+	8.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP2306GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.53 грн
43+	19.64 грн
100+	9.57 грн
500+	8.74 грн
1000+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

XP2306GN

MOSFETs N-CH 20V 5.3A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.10 грн
17+	21.07 грн
100+	11.62 грн
500+	10.37 грн
1000+	9.27 грн
9000+	5.00 грн
24000+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2306GN

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.33 грн
500+	8.58 грн
1000+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2314GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.65 грн
500+	9.43 грн
1000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2314GN

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.49 грн
38+	21.79 грн
100+	10.65 грн
500+	9.43 грн
1000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP2318GEN

Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.56 грн
1000+	5.50 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP2318GEN

XSemi

MOSFET N-CH 30V 0.5A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.74 грн
11+	31.39 грн
100+	20.38 грн
500+	16.04 грн
1000+	12.36 грн
3000+	11.26 грн
9000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2318GEN

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	26.00 грн
50+	16.75 грн
107+	7.72 грн
500+	6.90 грн
1000+	6.12 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

XP231N02013R-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP231N02015R-G

Description: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231N0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	23.77 грн
38+	22.12 грн
100+	18.90 грн
500+	15.79 грн
1000+	8.28 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

XP231N02015R-G

Description: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231N0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	15.94 грн
1000+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V

на замовлення 15523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.08 грн
21+	15.10 грн
100+	7.34 грн
500+	5.75 грн
1000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

Description: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 400
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP231N0201xx-G
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	27.23 грн
37+	22.53 грн
100+	10.56 грн
500+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.2A

на замовлення 13549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.32 грн
15+	23.10 грн
100+	9.42 грн
500+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.83 грн
6000+	3.42 грн
9000+	2.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 15 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

15+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.67 грн
19+	16.25 грн
100+	9.23 грн
500+	5.93 грн
1000+	4.83 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	2.38 грн
1000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 485 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.75 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	18.98 грн
66+	12.63 грн
125+	6.60 грн
500+	4.37 грн
1000+	2.41 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A

на замовлення 5605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.47 грн
17+	20.30 грн
100+	8.39 грн
500+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP231P02015R-G

Description: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP231P02015R-G

Description: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP231P02017R-G

Description: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	9.27 грн
1000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231P02017R-G

Description: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	9.33 грн
121+	6.85 грн
197+	4.21 грн
500+	3.14 грн
1000+	2.19 грн
5000+	2.12 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.91 грн
1000+	2.76 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	28.22 грн
44+	19.06 грн
112+	7.38 грн
500+	5.19 грн
1000+	3.25 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 7020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	14.32 грн
33+	9.35 грн
100+	4.77 грн
500+	4.27 грн
1000+	4.05 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.2A / SOT-23

на замовлення 7997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	25.75 грн
17+	20.98 грн
100+	8.53 грн
500+	6.40 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.36 грн
6000+	3.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.12 грн
10+	40.53 грн
100+	26.34 грн
500+	20.67 грн
1000+	15.96 грн
3000+	14.57 грн
9000+	12.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.98 грн
19+	44.73 грн
100+	30.12 грн
500+	21.99 грн
1000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.96 грн
500+	11.95 грн
1000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.77 грн
10+	36.40 грн
100+	25.31 грн
500+	18.54 грн
1000+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP232N03013R-G TXP232N03013R-G
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.75 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.34 грн
500+	13.64 грн
1000+	3.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.3A

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.75 грн
18+	19.12 грн
100+	9.42 грн
1000+	5.37 грн
3000+	3.83 грн
9000+	3.31 грн
24000+	3.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	20.55 грн
44+	19.15 грн
100+	16.34 грн
500+	13.64 грн
1000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP232N03015R-G

Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.75 грн
1000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP232N03015R-G

Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	14.69 грн
77+	10.81 грн
137+	6.02 грн
500+	4.75 грн
1000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	19.90 грн
27+	11.50 грн
100+	7.17 грн
500+	4.94 грн
1000+	4.36 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

Description: TOREX - XP232N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	28.80 грн
43+	19.48 грн
110+	7.53 грн
500+	5.30 грн
1000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

14+	25.58 грн
20+	17.26 грн
100+	6.11 грн
1000+	4.27 грн
3000+	3.38 грн
9000+	2.80 грн
24000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP232P05013R-G

Description: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232P0501xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.03 грн
32+	26.49 грн
100+	13.86 грн
500+	9.35 грн
1000+	5.40 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

XP232P05013R-G

Description: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232P0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.50 грн
500+	18.47 грн
1000+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V

на замовлення 7814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	15.12 грн
31+	10.19 грн
100+	5.24 грн
500+	4.66 грн
1000+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.25 грн
500+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.45A / SOT-23

на замовлення 15032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.75 грн
18+	19.37 грн
100+	6.92 грн
1000+	4.78 грн
3000+	3.75 грн
9000+	3.16 грн
24000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.69 грн
39+	21.37 грн
100+	8.25 грн
500+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

XP2332GEN

Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.08 грн
500+	7.20 грн
1000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2332GEN

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.09 грн
40+	20.63 грн
100+	10.07 грн
500+	9.12 грн
1000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.70 грн
37+	22.53 грн
100+	11.64 грн
500+	6.94 грн
1000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.5A

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.12 грн
18+	19.71 грн
100+	9.71 грн
1000+	5.00 грн
3000+	3.90 грн
9000+	3.46 грн
24000+	3.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.64 грн
500+	6.94 грн
1000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.30 грн
19+	17.94 грн
100+	9.86 грн
1000+	5.30 грн
3000+	3.75 грн
9000+	2.87 грн
24000+	2.72 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.30 грн
500+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.42 грн
42+	19.81 грн
100+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

на замовлення 3030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	13.53 грн
34+	9.04 грн
100+	6.08 грн
500+	4.35 грн
1000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP233P1501TR-G

Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.26 грн
500+	11.04 грн
1000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP233P1501TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -1.5A / SOT-23

на замовлення 2826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.91 грн
13+	26.73 грн
100+	14.49 грн
1000+	8.68 грн
3000+	6.62 грн
9000+	5.89 грн
24000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP233P1501TR-G

Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.99 грн
29+	29.30 грн
100+	16.26 грн
500+	11.04 грн
1000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

XP23429C

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.40 грн
13+	26.90 грн
100+	11.92 грн
1000+	11.70 грн
3000+	8.02 грн
9000+	7.28 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.63 грн
500+	10.58 грн
1000+	9.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.63 грн
15+	21.23 грн
100+	14.35 грн
500+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.93 грн
32+	26.41 грн
100+	13.37 грн
500+	12.34 грн
1000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	13.78 грн
88+	9.41 грн
167+	4.95 грн
500+	3.83 грн
1000+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.83 грн
1000+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.8A

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.74 грн
14+	24.20 грн
100+	11.92 грн
1000+	6.92 грн
3000+	4.86 грн
9000+	4.19 грн
24000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.8A / SOT-23

на замовлення 1878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.30 грн
18+	19.12 грн
100+	9.42 грн
1000+	6.11 грн
3000+	4.12 грн
9000+	3.31 грн
24000+	3.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.35 грн
20+	17.60 грн
100+	9.64 грн
1000+	8.53 грн
3000+	5.59 грн
9000+	4.86 грн
24000+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.56 грн
500+	7.66 грн
1000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.58 грн
36+	23.11 грн
100+	10.56 грн
500+	7.66 грн
1000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.63 грн
14+	22.22 грн
100+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.73 грн
500+	7.74 грн
1000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.81 грн
15+	21.00 грн
100+	13.30 грн
500+	9.33 грн
1000+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	26.74 грн
47+	17.91 грн
100+	9.41 грн
500+	8.28 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.68 грн
13+	26.73 грн
100+	11.77 грн
1000+	9.20 грн
3000+	6.62 грн
9000+	5.89 грн
24000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP2401

PANASONIC

SOT23-5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401-(TX)

PANASONIC

97+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401-(TX)(7R)

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401-TX

PANASONIC

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401/7R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401TX

PAN

00+ SOP-5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP241YVIT2

на замовлення 2342 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP24M00000S408

Description: CRYSTAL 24MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP24M57600S408

Description: CRYSTAL 24.576MHZ 30ppm, 8pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24.576 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2501

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2501-(TX)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2501-(TX).SO

PANA

SOT25/SOT353

на замовлення 2769 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.88 грн
15+	23.44 грн
100+	10.74 грн
1000+	10.08 грн
3000+	8.90 грн
9000+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.61 грн
15+	58.51 грн
100+	41.68 грн
500+	32.80 грн
1000+	23.20 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.42 грн
15+	21.30 грн
100+	14.43 грн
500+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.29 грн
500+	12.11 грн
1000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2531GY

Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.52 грн
500+	23.99 грн
1000+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2531GY

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.79 грн
18+	47.12 грн
100+	32.52 грн
500+	23.99 грн
1000+	20.30 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP2581

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP25M00000S408

Description: CRYSTAL 25MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 25 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2615GEY

Description: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.15 грн
500+	13.87 грн
1000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

MOSFETs N-CHANNEL 60V 0.15A

на замовлення 7207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	17.17 грн
22+	16.07 грн
100+	12.14 грн
1000+	6.03 грн
3000+	3.46 грн
9000+	2.28 грн
24000+	2.21 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

XP261N70025R-G

Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70025R-G

Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70027R-G

Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	2.15 грн
1000+	1.91 грн
2500+	1.41 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP261N70027R-G

Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	9.33 грн
121+	6.85 грн
218+	3.80 грн
500+	2.99 грн
1000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	24.59 грн
50+	16.67 грн
100+	9.82 грн
500+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.15A / SOT-23

на замовлення 3153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

22+	16.31 грн
23+	15.31 грн
100+	11.48 грн
1000+	6.11 грн
3000+	3.24 грн
9000+	2.21 грн
24000+	2.13 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	10.48 грн
118+	7.05 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.69 грн
25+	12.26 грн
100+	7.64 грн
500+	5.27 грн
1000+	4.66 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

MOSFET N-CHANNEL 60V 0.3A

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.16 грн
19+	18.61 грн
100+	10.30 грн
1000+	5.52 грн
3000+	3.97 грн
9000+	3.02 грн
24000+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.06 грн
1000+	3.40 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	13.86 грн
89+	9.33 грн
173+	4.79 грн
500+	4.06 грн
1000+	3.40 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 7022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	20.77 грн
28+	12.52 грн
100+	5.00 грн
1000+	4.27 грн
3000+	3.46 грн
9000+	2.72 грн
24000+	2.57 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	19.10 грн
28+	11.19 грн
100+	6.94 грн
500+	4.78 грн
1000+	4.22 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V

на замовлення 4121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.81 грн
15+	21.00 грн
100+	13.30 грн
500+	9.33 грн
1000+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 1A / SOT-23

на замовлення 4621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.72 грн
19+	18.27 грн
100+	8.31 грн
1000+	7.50 грн
3000+	5.89 грн
9000+	5.08 грн
24000+	5.00 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.90 грн
500+	8.20 грн
1000+	6.65 грн
3000+	5.73 грн
6000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	30.04 грн
42+	19.81 грн
100+	9.66 грн
500+	7.51 грн
1000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.21 грн
1000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 2852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.75 грн
19+	17.94 грн
100+	9.86 грн
1000+	5.30 грн
3000+	3.46 грн
9000+	2.87 грн
24000+	2.72 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	12.13 грн
70+	11.88 грн
100+	10.15 грн
500+	5.82 грн
1000+	2.05 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

XP27M00000S408

Description: CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 27 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP28M63636S408

Description: CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 28.63636 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	46.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2943CP

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2E2Z11

Saia-Burgess

Basic / Snap Action Switches Door switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2N075EN

Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.65 грн
500+	9.66 грн
1000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2N075EN

MOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.47 грн
17+	21.07 грн
100+	9.12 грн
1000+	9.05 грн
3000+	7.21 грн
9000+	5.22 грн
24000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP2N1K2EN1

XSEMI

Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2N1K2EN1

Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	24.43 грн
54+	15.35 грн
125+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

XP2P038N

Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.66 грн
500+	7.66 грн
1000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2P038N

XSemi

MOSFET P-CH -20V -5A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

6+	58.11 грн
10+	50.42 грн
100+	33.69 грн
500+	26.63 грн
1000+	21.33 грн
3000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

XP2P038N

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	27.81 грн
45+	18.40 грн
100+	9.66 грн
500+	7.66 грн
1000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

XP2P052N

Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.30 грн
500+	10.88 грн
1000+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2P052N

MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.26 грн
13+	26.40 грн
100+	11.26 грн
1000+	10.15 грн
3000+	7.72 грн
9000+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2P053N

Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.37 грн
35+	24.26 грн
100+	11.80 грн
500+	10.35 грн
1000+	8.98 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

XP2P053N

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.48 грн
500+	9.20 грн
1000+	7.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2P053N