Продукція > XP2

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	40339.78 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-2-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-4-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	40339.78 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-E-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 66VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-1-I-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-1-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 12VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	40339.78 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-2-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 24VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-4-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 48VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	40339.78 грн

В кошику од. на суму грн.

XP2-3-I-5-1

3M Interconnect Solutions

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 108VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	40339.78 грн

В кошику од. на суму грн.

XP200021168

3M Electronic Specialty

Adhesive Tapes

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP200023370

8F36-AAB105-0.50

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP201-0005

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2010005

XPEED

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP202
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.36 грн
500+	34.68 грн
1000+	25.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

MOSFETs Power MOSFET, -30V, 3A, P-Type, SOT-23

на замовлення 6317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.32 грн
10+	61.72 грн
100+	36.61 грн
500+	29.37 грн
1000+	26.04 грн
3000+	21.59 грн
6000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.63 грн
16+	53.52 грн
100+	43.36 грн
500+	34.68 грн
1000+	25.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003MR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.48 грн
10+	53.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

XP202A0003PR-G

MOSFET Power MOSFET, -30V, 5A, P-Type, SOT-89

на замовлення 3036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.39 грн
10+	65.63 грн
100+	38.95 грн
500+	32.61 грн
1000+	28.31 грн
2000+	25.21 грн
5000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

XP206/15E10

N/A

04+ N/A

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP20M00000S408

Description: CRYSTAL 20MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Frequency: 20 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP20N15AGH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP20N15GH

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP20N15GI

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP210

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2120CP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP215ACD

на замовлення 8003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2206CP

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2206M

0031+

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2207CP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2208CN

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2210 (1104669)

Sierra Wireless

Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2210 (1104669)

Sierra Wireless

Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2211ACD

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211ACP

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211CP

92+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211CP

DIP

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211CP

на замовлення 216 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2211P

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2212M

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2215

на замовлення 33200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP221P05013R-G

Description: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.38 грн
500+	10.77 грн
1000+	4.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP221P05013R-G

Description: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	22.53 грн
40+	21.34 грн
100+	18.38 грн
500+	13.37 грн
1000+	8.78 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

XP221P0501TR-G

Description: TOREX - XP221P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.71 грн
50+	46.75 грн
100+	31.25 грн
500+	23.12 грн
1500+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP222A

HITACHI

CLCC 07+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP222A

HITACHI

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP222N03013R-G

Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.16 грн
108+	7.90 грн
500+	5.32 грн
1000+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222N03013R-G

Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	12.62 грн
84+	10.16 грн
108+	7.90 грн
500+	5.32 грн
1000+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

XP222N03015R-G

Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.72 грн
1000+	3.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP222N03015R-G

Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	13.55 грн
78+	10.92 грн
100+	8.55 грн
500+	5.72 грн
1000+	3.89 грн

Мінімальне замовлення: 63

В кошику од. на суму грн.

XP222N03017R-G

Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.56 грн
1000+	2.98 грн
5000+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP222N03017R-G

Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	14.65 грн
82+	10.42 грн
139+	6.10 грн
500+	4.56 грн
1000+	2.98 грн
5000+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

XP222N0301TR-G

Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.80 грн
500+	17.69 грн
1500+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222N0301TR-G

Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.25 грн
50+	40.73 грн
100+	23.80 грн
500+	17.69 грн
1500+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

XP222P08013R-G

Description: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	20.32 грн
52+	16.34 грн
100+	12.70 грн
500+	8.57 грн
1000+	5.80 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

XP222P08013R-G

Description: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.70 грн
500+	8.57 грн
1000+	5.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP222P0801TR-G

Description: TOREX - XP222P0801TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	25.91 грн
46+	18.46 грн
100+	12.28 грн
500+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

XP222P0801TR-G

Description: TOREX - XP222P0801TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.28 грн
500+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP223N10013R-G

Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	25.07 грн
41+	20.66 грн
100+	13.63 грн
500+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

XP223N10013R-G

Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.85 грн
500+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP223N1001TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP223N1001TR-G

Description: TOREX - XP223N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.37 грн
50+	57.25 грн
100+	38.28 грн
500+	26.97 грн
1500+	21.49 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP223P1501TR-G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -3A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP223P1501TR-G

Description: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223P1501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.91 грн
26+	33.62 грн
100+	22.78 грн
500+	15.65 грн
1000+	12.05 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

XP223P1501TR-G

Description: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223P1501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.78 грн
500+	15.65 грн
1000+	12.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2242CP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP224N06013R-G

Description: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.16 грн
31+	27.35 грн
100+	14.23 грн
500+	11.24 грн
1000+	4.06 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

XP224N06013R-G

Description: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	11.24 грн
1000+	4.06 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP224N0601TR-G

Description: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	7.20 грн
1000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP224N0601TR-G

Description: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	24.73 грн
49+	17.53 грн
100+	11.69 грн
500+	8.73 грн
1000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

XP225N2001TR-G

Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.46 грн
500+	13.21 грн
1000+	8.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP225N2001TR-G

Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.87 грн
22+	40.06 грн
100+	18.46 грн
500+	13.21 грн
1000+	8.35 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S408

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S410

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 10pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S412

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 12pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S416

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 16pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S418

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 18pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP22M11840S420

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 20pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.99 грн
500+	9.20 грн
1000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

MOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.79 грн
18+	20.40 грн
100+	8.91 грн
1000+	8.76 грн
3000+	5.81 грн
9000+	5.06 грн
24000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.48 грн
16+	19.82 грн
100+	12.53 грн
500+	8.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.96 грн
40+	21.17 грн
100+	10.33 грн
500+	9.36 грн
1000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

XP2301GN

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2302GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2302 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.11 грн
40+	21.17 грн
100+	10.59 грн
500+	9.75 грн
1000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.21 грн
18+	18.48 грн
100+	9.24 грн
500+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP2302GN

MOSFETs N-CH 20V 3.2A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.35 грн
17+	21.62 грн
100+	9.36 грн
1000+	9.29 грн
3000+	7.47 грн
9000+	5.36 грн
24000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

XSemi

MOSFET N-CH 30V 5A S OT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.63 грн
11+	32.38 грн
100+	19.17 грн
500+	14.34 грн
1000+	10.72 грн
3000+	9.89 грн
6000+	9.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

XSEMI

Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.44 грн
500+	16.12 грн
1000+	11.98 грн
3000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

Description: YAGEO XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.68 грн
29+	29.64 грн
100+	14.82 грн
500+	13.37 грн
1000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

XP2306AGN

MOSFETs N-CH 30V 5A S OT-23

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.09 грн
11+	31.60 грн
100+	13.36 грн
1000+	12.23 грн
3000+	9.29 грн
9000+	8.00 грн
24000+	7.70 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2306GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.57 грн
500+	8.81 грн
1000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2306GN

MOSFETs N-CH 20V 5.3A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.02 грн
17+	21.62 грн
100+	11.93 грн
500+	10.64 грн
1000+	9.51 грн
9000+	5.13 грн
24000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2306GN

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	32.35 грн
43+	20.15 грн
100+	9.82 грн
500+	8.96 грн
1000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

XP2314GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2314 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	36.41 грн
38+	22.36 грн
100+	10.92 грн
500+	9.67 грн
1000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP2314GN

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.92 грн
500+	9.67 грн
1000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2318GEN

XSemi

MOSFET N-CH 30V 0.5A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.69 грн
11+	32.21 грн
100+	20.91 грн
500+	16.46 грн
1000+	12.68 грн
3000+	11.55 грн
9000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2318GEN

Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2318G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	27.86 грн
50+	17.11 грн
118+	7.18 грн
500+	6.13 грн
1000+	5.55 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

XP2318GEN

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.13 грн
1000+	5.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231N02013R-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP231N02015R-G

Description: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231N0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.50 грн
1000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231N02015R-G

Description: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231N0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	15.41 грн
69+	12.36 грн
100+	9.65 грн
500+	6.51 грн
1000+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V

на замовлення 10973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.97 грн
30+	10.62 грн
100+	6.62 грн
500+	4.56 грн
1000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.2A

на замовлення 13549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.06 грн
15+	23.70 грн
100+	9.66 грн
500+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

Description: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 400
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP231N0201xx-G
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	27.95 грн
37+	23.12 грн
100+	10.84 грн
500+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

XP231N0201TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.00 грн
6000+	2.68 грн
9000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A

на замовлення 5605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.18 грн
17+	20.84 грн
100+	8.61 грн
500+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 485 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.91 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	19.48 грн
66+	12.96 грн
125+	6.77 грн
500+	4.48 грн
1000+	2.47 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.31 грн
19+	16.67 грн
100+	9.48 грн
500+	6.09 грн
1000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 15 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

15+	37.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	2.44 грн
1000+	1.67 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231P02013R-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP231P02015R-G

Description: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP231P02015R-G

Description: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP231P02017R-G

Description: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	9.57 грн
121+	7.03 грн
197+	4.32 грн
500+	3.22 грн
1000+	2.25 грн
5000+	2.18 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

XP231P02017R-G

Description: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	9.51 грн
1000+	3.41 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.01 грн
1000+	2.83 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 3829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.97 грн
30+	10.69 грн
100+	6.62 грн
500+	4.57 грн
1000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.2A / SOT-23

на замовлення 7997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.42 грн
17+	21.53 грн
100+	8.76 грн
500+	6.57 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

XP231P0201TR-G

Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	28.96 грн
44+	19.56 грн
112+	7.57 грн
500+	5.32 грн
1000+	3.34 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.86 грн
500+	10.69 грн
1000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.35 грн
10+	41.58 грн
100+	27.03 грн
500+	21.21 грн
1000+	16.38 грн
3000+	14.95 грн
9000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.12 грн
35+	24.22 грн
100+	11.86 грн
500+	10.69 грн
1000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

XP2322GN

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.91 грн
10+	37.35 грн
100+	25.97 грн
500+	19.03 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	21.09 грн
43+	19.73 грн
100+	16.77 грн
500+	9.59 грн
1000+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP232N03013R-G TXP232N03013R-G
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.91 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.77 грн
500+	9.59 грн
1000+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232N03013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.3A

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.50 грн
18+	19.62 грн
100+	9.66 грн
1000+	5.51 грн
3000+	3.93 грн
9000+	3.40 грн
24000+	3.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP232N03015R-G

Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.48 грн
500+	7.67 грн
1000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232N03015R-G

Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	21.51 грн
55+	15.41 грн
100+	9.48 грн
500+	7.67 грн
1000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

XP232N03017R-G

Description: TOREX - XP232N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.09 грн
500+	12.11 грн
1000+	8.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232N03017R-G

Description: TOREX - XP232N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	26.59 грн
35+	24.81 грн
100+	21.09 грн
500+	12.11 грн
1000+	8.86 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.41 грн
27+	11.80 грн
100+	7.35 грн
500+	5.07 грн
1000+	4.47 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

Description: TOREX - XP232N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

14+	26.25 грн
20+	17.71 грн
100+	6.27 грн
1000+	4.38 грн
3000+	3.47 грн
9000+	2.87 грн
24000+	2.72 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP232N0301TR-G

Description: TOREX - XP232N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP232P05013R-G

Description: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232P0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.17 грн
500+	18.95 грн
1000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232P05013R-G

Description: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232P0501xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.07 грн
32+	27.18 грн
100+	14.23 грн
500+	9.59 грн
1000+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.45A / SOT-23

на замовлення 15032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.50 грн
18+	19.88 грн
100+	7.10 грн
1000+	4.91 грн
3000+	3.85 грн
9000+	3.25 грн
24000+	3.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	32.52 грн
39+	21.93 грн
100+	8.47 грн
500+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V

на замовлення 7814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	15.52 грн
31+	10.46 грн
100+	5.38 грн
500+	4.78 грн
1000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.47 грн
500+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP232P0501TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP2332GEN

Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.96 грн
40+	21.17 грн
100+	10.33 грн
500+	9.36 грн
1000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

XP2332GEN

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.32 грн
500+	7.39 грн
1000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.94 грн
500+	7.12 грн
1000+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.50 грн
37+	23.12 грн
100+	11.94 грн
500+	7.12 грн
1000+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP233N05013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.5A

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.83 грн
18+	20.23 грн
100+	9.96 грн
1000+	5.13 грн
3000+	4.00 грн
9000+	3.55 грн
24000+	3.25 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

XP233N0501TR-G SMD N channel transistors

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

17+	18.12 грн
340+	3.27 грн
935+	3.10 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.09 грн
19+	18.40 грн
100+	10.12 грн
1000+	5.44 грн
3000+	3.85 грн
9000+	2.94 грн
24000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.62 грн
500+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	21.85 грн
65+	13.13 грн
103+	8.27 грн
500+	5.64 грн
1000+	4.58 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

XP233N0501TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

на замовлення 3030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	13.88 грн
34+	9.28 грн
100+	6.24 грн
500+	4.47 грн
1000+	4.00 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP233P1501TR-G

Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.73 грн
500+	12.74 грн
1000+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP233P1501TR-G

MOSFETs General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -1.5A / SOT-23

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.50 грн
13+	27.09 грн
100+	21.51 грн
500+	14.87 грн
1000+	9.36 грн
3000+	6.19 грн
6000+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP233P1501TR-G

Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	25.57 грн
40+	21.59 грн
100+	19.73 грн
500+	12.74 грн
1000+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

XP23429C

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.46 грн
13+	25.16 грн
100+	14.76 грн
500+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	36.41 грн
35+	24.47 грн
100+	12.96 грн
500+	10.85 грн
1000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23

на замовлення 2935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.24 грн
13+	28.04 грн
100+	12.91 грн
500+	11.85 грн
1000+	10.87 грн
3000+	7.70 грн
6000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2344GN

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.96 грн
500+	10.85 грн
1000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.8A

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.69 грн
14+	24.83 грн
100+	12.23 грн
1000+	7.10 грн
3000+	4.98 грн
9000+	4.30 грн
24000+	4.00 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	17.87 грн
72+	11.77 грн
139+	6.10 грн
500+	5.38 грн
1000+	4.70 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP234N08013R-G

Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.38 грн
1000+	4.70 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.8A / SOT-23

на замовлення 1878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.09 грн
18+	19.62 грн
100+	9.66 грн
1000+	6.27 грн
3000+	4.23 грн
9000+	3.40 грн
24000+	3.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.48 грн
36+	23.71 грн
100+	10.84 грн
500+	7.86 грн
1000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.48 грн
14+	22.80 грн
100+	11.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23

на замовлення 2746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.30 грн
20+	17.80 грн
100+	13.51 грн
500+	9.29 грн
1000+	8.00 грн
3000+	5.51 грн
6000+	5.21 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.84 грн
500+	7.86 грн
1000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP235N2001TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 4A; 0.4W; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
15+	21.55 грн
100+	13.64 грн
500+	9.58 грн
1000+	8.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	37.18 грн
37+	23.12 грн
100+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP236N2001TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.58 грн
17+	21.36 грн
100+	11.85 грн
500+	8.83 грн
1000+	7.78 грн
3000+	5.59 грн
6000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2401

PANASONIC

SOT23-5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401-(TX)

PANASONIC

97+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401-(TX)(7R)

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401-TX

PANASONIC

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401/7R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2401TX

PAN

00+ SOP-5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP241YVIT2

на замовлення 2342 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP24M00000S408

Description: CRYSTAL 24MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP24M57600S408

Description: CRYSTAL 24.576MHZ 30ppm, 8pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24.576 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2501

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2501-(TX)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2501-(TX).SO

PANA

SOT25/SOT353

на замовлення 2769 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.30 грн
40+	21.34 грн
100+	10.50 грн
500+	9.51 грн
1000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.81 грн
15+	24.05 грн
100+	11.02 грн
1000+	10.34 грн
3000+	9.13 грн
9000+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.30 грн
15+	21.86 грн
100+	14.81 грн
500+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP2530AGY

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.50 грн
500+	9.51 грн
1000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2531GY

Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.47 грн
21+	40.56 грн
100+	27.35 грн
500+	19.97 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

XP2531GY

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.35 грн
500+	19.97 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2581

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP25M00000S408

Description: CRYSTAL 25MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 25 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2615GEY

Description: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.65 грн
500+	14.23 грн
1000+	10.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

MOSFETs N-CHANNEL 60V 0.15A

на замовлення 7137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

23+	15.94 грн
24+	14.93 грн
100+	11.32 грн
500+	7.62 грн
1000+	5.96 грн
3000+	3.47 грн
6000+	3.02 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.3A; 0.35W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP261N70025R-G

Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70025R-G

Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP261N70027R-G

Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	17.44 грн
53+	16.26 грн
100+	13.80 грн
500+	7.94 грн
1000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

XP261N70027R-G

Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.40 грн
1000+	4.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.30 грн
500+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	16.17 грн
55+	15.50 грн
100+	13.30 грн
500+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.15A / SOT-23

на замовлення 3143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	15.15 грн
25+	14.24 грн
100+	10.64 грн
500+	7.32 грн
1000+	5.74 грн
3000+	3.32 грн
6000+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

XP261N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

MOSFET N-CHANNEL 60V 0.3A

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.97 грн
19+	19.10 грн
100+	10.57 грн
1000+	5.66 грн
3000+	4.08 грн
9000+	3.10 грн
24000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	10.75 грн
118+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

XP262N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	21.23 грн
25+	12.58 грн
100+	7.84 грн
500+	5.41 грн
1000+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.97 грн
30+	10.69 грн
100+	6.62 грн
500+	4.57 грн
1000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.17 грн
1000+	3.48 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	21.09 грн
67+	12.79 грн
106+	8.02 грн
500+	5.49 грн
1000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP262N7002TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.6A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	37.18 грн
37+	23.12 грн
100+	14.74 грн
500+	10.22 грн
1000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V

на замовлення 8919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.66 грн
17+	19.27 грн
100+	12.22 грн
500+	8.58 грн
1000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 1A / SOT-23

на замовлення 4621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.45 грн
19+	18.75 грн
100+	8.53 грн
1000+	7.70 грн
3000+	6.04 грн
9000+	5.21 грн
24000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.16 грн
500+	8.41 грн
1000+	6.82 грн
3000+	5.88 грн
6000+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP263N1001TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.14 грн
6000+	5.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 2852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.50 грн
19+	18.40 грн
100+	10.12 грн
1000+	5.44 грн
3000+	3.55 грн
9000+	2.94 грн
24000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	13.72 грн
63+	13.46 грн
100+	11.43 грн
500+	7.75 грн
1000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.43 грн
500+	7.75 грн
1000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP264N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP27M00000S408

Description: CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 27 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP28M63636S408

Description: CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 28.63636 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	47.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

XP2943CP

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP2E2Z11

Saia-Burgess

Basic / Snap Action Switches Door switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

XP2N075EN

MOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.35 грн
17+	21.62 грн
100+	9.36 грн
1000+	9.29 грн
3000+	7.40 грн
9000+	5.36 грн
24000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP2N075EN

Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.92 грн
500+	9.91 грн
1000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2N1K2EN1

XSEMI

Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2N1K2EN1

Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	25.07 грн
54+	15.75 грн
125+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

XP2P038N

Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	28.54 грн
45+	18.88 грн
100+	9.91 грн
500+	7.86 грн
1000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

XP2P038N

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.91 грн
500+	7.86 грн
1000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2P038N

XSemi

MOSFET P-CH -20V -5A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

6+	59.62 грн
10+	51.74 грн
100+	34.57 грн
500+	27.33 грн
1000+	21.89 грн
3000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

XP2P052N

Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.62 грн
500+	11.17 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

XP2P052N

MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.39 грн
13+	27.09 грн
100+	11.55 грн
1000+	10.42 грн
3000+	7.93 грн
9000+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

XP2P053N

MOSFET P-CH -20V -4. 2A SOT-23S

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.56 грн
13+	27.52 грн
100+	16.31 грн
1000+	9.13 грн
3000+	8.38 грн
9000+	7.40 грн
24000+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

XP2P053N

Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.39 грн
35+	24.90 грн
100+	12.11 грн
500+	10.62 грн
1000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

XP2P053N