Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147496) > Сторінка 1766 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQB7P20TM ONSEMI FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB7P20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM ONSEMI fqi8n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N90CTM FQB8N90CTM ONSEMI fqb8n90ctm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0006944028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB8P10TM SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.94 грн
10+71.02 грн
22+49.55 грн
61+46.86 грн
1000+45.93 грн
2500+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.93 грн
10+63.02 грн
33+33.78 грн
89+31.92 грн
12500+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 ONSEMI fqd12n20l-d.pdf FQD12N20LTM-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20TM ONSEMI fqu12n20-d.pdf FQD12N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12P10TM-F085 ONSEMI FQD12P10TM_F085.pdf FQD12P10TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.94 грн
10+50.30 грн
39+28.67 грн
105+27.10 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.95 грн
10+54.73 грн
42+26.17 грн
115+24.78 грн
2500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM ONSEMI FQD13N10-D.pdf FQD13N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI FQD16N25C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM ONSEMI fqd17n08l-d.pdf FQD17N08LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.94 грн
10+65.62 грн
24+47.32 грн
64+44.54 грн
500+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.92 грн
10+89.62 грн
19+59.39 грн
51+55.68 грн
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.92 грн
10+72.08 грн
25+44.91 грн
67+42.50 грн
500+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM ONSEMI fqd19n10-d.pdf FQD19N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WS FQD2N60CTM-WS ONSEMI fqu2n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ONSEMI fqd2p40-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -0.98A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -6.24A
Gate charge: 13nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM ONSEMI fqd30n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3N60CTM-WS FQD3N60CTM-WS ONSEMI fqd3n60ctm_ws-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.91 грн
10+98.29 грн
18+63.10 грн
48+59.39 грн
500+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-AM002BLT ONSEMI fqd3p50tm-d.pdf FQD3P50TM-AM002BLT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-F085 ONSEMI fqd3p50tm_f085-d.pdf FQD3P50TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N20TM ONSEMI fqd4n20-d.pdf FQD4N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N25TM-WS FQD4N25TM-WS ONSEMI fqd4n25-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P25TM-WS ONSEMI fqd4p25tm_ws-d.pdf FQD4P25TM-WS SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P40TM ONSEMI fqd4p40-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.71A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.71A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N15TM ONSEMI fqd5n15-d.pdf FQD5N15TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N20LTM ONSEMI fqd5n20l-d.pdf FQD5N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM ONSEMI fqu5n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM ONSEMI fqd5p10-d.pdf FQD5P10TM SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.94 грн
6+55.89 грн
25+42.68 грн
30+37.25 грн
81+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TM ONSEMI fqd6n25-d.pdf FQD6N25TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.92 грн
10+89.71 грн
19+57.81 грн
52+54.66 грн
500+53.82 грн
1000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf FQD6N50CTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM ONSEMI FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD7N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30TM ONSEMI fqd7n30-d.pdf FQD7N30TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM ONSEMI fqd7p06-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.42A; 28W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.42A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 451mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.91 грн
10+78.73 грн
21+53.91 грн
56+50.94 грн
500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.95 грн
10+52.23 грн
34+32.11 грн
94+30.34 грн
500+30.25 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 ONSEMI fqd8p10tm_f085-d.pdf FQD8P10TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 ONSEMI ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQH8N100C ONSEMI fqh8n100c-d.pdf FQH8N100C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI13N50CTU ONSEMI FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI27N25TU ONSEMI FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQI27N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU ONSEMI FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N90TU ONSEMI fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI5N60CTU ONSEMI FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TU ONSEMI fqi7n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50F ONSEMI fql40n50f-d.pdf FQL40N50F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA ONSEMI fqn1n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA ONSEMI ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 ONSEMI fqp12p10-d.pdf FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7P20TM FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQB7P20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
FQB8N60CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N90CTM fqb8n90ctm-d.pdf
FQB8N90CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8P10TM ONSM-S-A0006944028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQB8P10TM SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68
FQD10N20CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.94 грн
10+71.02 грн
22+49.55 грн
61+46.86 грн
1000+45.93 грн
2500+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.93 грн
10+63.02 грн
33+33.78 грн
89+31.92 грн
12500+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 fqd12n20l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD12N20LTM-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20TM fqu12n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD12N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12P10TM-F085 FQD12P10TM_F085.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD12P10TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.94 грн
10+50.30 грн
39+28.67 грн
105+27.10 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.95 грн
10+54.73 грн
42+26.17 грн
115+24.78 грн
2500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD13N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25C.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD17N08LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.94 грн
10+65.62 грн
24+47.32 грн
64+44.54 грн
500+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.92 грн
10+89.62 грн
19+59.39 грн
51+55.68 грн
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.92 грн
10+72.08 грн
25+44.91 грн
67+42.50 грн
500+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM fqd19n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD19N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM fqu1n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WS fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -0.98A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -6.24A
Gate charge: 13nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM fqd30n06-d.pdf
FQD30N06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3N60CTM-WS fqd3n60ctm_ws-d.pdf
FQD3N60CTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.91 грн
10+98.29 грн
18+63.10 грн
48+59.39 грн
500+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-AM002BLT fqd3p50tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD3P50TM-AM002BLT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-F085 fqd3p50tm_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD3P50TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N20TM fqd4n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD4N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N25TM-WS fqd4n25-d.pdf
FQD4N25TM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P25TM-WS fqd4p25tm_ws-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD4P25TM-WS SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P40TM fqd4p40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.71A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.71A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N15TM fqd5n15-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD5N15TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N20LTM fqd5n20l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD5N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM fqd5p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD5P10TM SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.94 грн
6+55.89 грн
25+42.68 грн
30+37.25 грн
81+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TM fqd6n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD6N25TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.92 грн
10+89.71 грн
19+57.81 грн
52+54.66 грн
500+53.82 грн
1000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD6N50CTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30TM fqd7n30-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD7N30TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM fqd7p06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.42A; 28W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.42A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 451mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.91 грн
10+78.73 грн
21+53.91 грн
56+50.94 грн
500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.95 грн
10+52.23 грн
34+32.11 грн
94+30.34 грн
500+30.25 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD8P10TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD9N25TM-F080
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQH8N100C fqh8n100c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQH8N100C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI13N50CTU FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI27N25TU FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQI27N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N90TU fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI5N60CTU FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TU fqi7n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50F fql40n50f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQL40N50F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA fqn1n50c-d.pdf
FQN1N50CTA
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 fqp12p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]